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[发明专利]基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法-CN202310174413.0在审
发明人：深泽润一;边见笃;大上胜行;山科井作 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法，该基片载置台具有用于吸附基片的吸附电极，并且使在形成有气体供给孔的基片载台的表面形成的电场均匀化。在利用静电吸附力保持基片的基片载置台中，电介质层层叠在基座的上部侧，其上表面成为上述基片的载置面，使静电吸附力产生的吸附电极埋设在该电介质层中。用于向基片供给气体的气体供给孔贯通基座、吸附电极和电介质层并在载置面开口，形成于上述吸附电极的贯通孔以经由隔离部隔离地包围上述气体供给孔的方式设置，由导体构成的屏蔽层与上述吸附电极电隔离地配置，以俯视时覆盖上述隔离部的至少一部分且包围上述气体供给孔的方式形成。
基片载置台处理装置制造方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201911096333.8有效
发明人：佐藤亮;山科井作;笠原稔大;塚本浩贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，抑制不稳定的放电。等离子体处理装置具有：处理室，其在内部设置有用于载置基板的载置台，对基板实施等离子体处理；高频电源，其对载置台施加偏压用的高频电力；以及多个板状构件，其由导电性材料形成，与接地电位连接，配置到处理室的内表面。
等离子体处理装置

[发明专利]故障探测方法和等离子体处理装置-CN202211122513.0在审
发明人：富田尚宏;山科井作;笹浪雄作;小川纯一;植松治志;祢津忠人;齐藤均;町山弥 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种故障探测方法和等离子体处理装置。是等离子体处理装置中的处于多个局部窗与接地之间的阻抗调整部的故障探测方法，装置具有：金属窗，将处理容器内划分为天线室和处理室，金属窗具有多个局部窗；天线，用于生成电感耦合等离子体；以及静电吸盘，其中，阻抗调整部包括处于多个局部窗与接地之间的多个电容元件，该方法包括以下工序：向静电吸盘施加直流电压；开始电源用高频电力和/或偏压用高频电力的供给；稳定供给电源用高频电力和偏压用高频电力；在对基板进行处理的期间，测定在多个电容元件的各个电容元件产生的电容元件电压；基于多个电容元件的各个电容元件的电容元件电压与阈值的比较结果来判定多个阻抗调整部的故障。
故障探测方法等离子体处理装置

[发明专利]控制方法和电感耦合等离子体处理装置-CN202110967087.X在审
发明人：佐野僚;山科井作 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种控制方法和电感耦合等离子体处理装置，能够更高精度地控制等离子体密度。该控制方法是包括多个第一天线段和多个阻抗调整部的电感耦合等离子体处理装置中的控制方法，所述多个第一天线段构成电感耦合天线，所述多个阻抗调整部分别与多个第一天线段连接，所述控制方法包括以下工序：向多个第一天线段供给高频电力来生成等离子体；参照设定有多个第一区和多个第二区的存储部，通过多个阻抗调整部分别调整多个第一区的阻抗，多个第一区与所述多个第一天线段的各第一天线段对应，所述多个第二区与所述多个第一区中的特定的第一区所对应的特定的第一天线段对应；以及通过与特定的第一天线段连接的阻抗调整部来分别调整多个第二区的阻抗。
控制方法电感耦合等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202010377365.1在审
发明人：佐佐木芳彦;佐藤亮;山科井作 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置，能抑制排气口附近的异常放电。包括：处理容器、载置台、气体供给机构、排气机构、等离子体生成机构以及偏压电力供给机构。处理容器收纳基板。载置台设于处理容器内，载置基板。气体供给机构向处理容器内供给处理气体。排气机构经由排气管将处理容器内的气体排出。等离子体生成机构使供给到处理容器内的处理气体等离子体化从而在处理容器内生成等离子体。偏压电力供给机构向载置台供给偏压用的高频电力。在与处理容器的壁部连接的排气管的排气口设有网构件，该网构件由导电性的构件构成，并与接地电位连接。网构件形成有在网构件的厚度方向上贯通的多个贯通孔。网构件的厚度与各贯通孔的开口的宽度之比为0.67以上。
等离子体处理装置