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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]马铃薯原料的糖化方法和液体燃料的制造方法-CN201380010643.8有效
发明人：高旻天;矢野伸一;井上宏之;坂西欣也;中田龙彦;千叶恭一;山本淳一;冈田正史 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所;双日株式会社;日立造船株式会社
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C12P19/14 文献下载
摘要：提供将来源于马铃薯块茎的原料有效地糖化的方法、和利用来源于马铃薯块茎的原料的液体燃料的制造方法。特别提供糖化物的制造方法，其特征在于，将来源于马铃薯块茎的原料用含有水解酶的细胞壁高分解性丝状真菌的分泌酶液进行处理。
马铃薯原料糖化方法液体燃料制造

[发明专利]单唇缘槽钢-CN201180065406.2无效
发明人：植竹正之;上新薰;山本淳一;松本英明;大室彰男;兼冈英树;三井雪惠 -专利权人：日新制钢株式会社
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： E04H5/02 文献下载
摘要：本发明作为横框架或/和纵框架使用，目的在于提高在横框架的上部载置了平板状的太阳光面板模块等的情况下的框架的排水。本发明的形成横框架（2）以及纵框架（3）的单唇缘槽钢构成为将槽钢主体（10）的一侧的第二侧板（15、15a）相对于背板（12）形成仅是直角或者非直角的平板，据此在将各框架（2或者3）配置为水平方向或者倾斜方向的情况下，能够防止水等存积在所述各框架（2、3）的第二侧板（15、15a）上，能够提高框架（2、3）的耐久性。
单唇缘槽钢

[发明专利]固态成像器件及其驱动方法-CN200610159277.4无效
发明人：工藤弘仪;打矢聪;山本淳一;二村文章 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：一种固态成像器件，包括：N型半导体衬底；位于N型半导体衬底的表面部分中的N型杂质区；形成在N型杂质区中的光电转换单元；与光电转换单元接触地形成在N型杂质区中的电荷积累单元，用于临时积累在光电转换单元产生的电荷；与电荷积累单元接触地形成在N型杂质区中的电荷保持区，即阻挡单元，其允许电荷积累单元积累电荷；以及提供给电荷积累单元的电荷积累电极。电荷积累单元和电荷保持区形成为N^－型。
固态成像器件及其驱动方法

[发明专利]固态成像器件及其制造方法-CN200510113430.5无效
发明人：打矢聪;守屋太郎;山本淳一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-10-08 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明减小固态成像器件的暗电流。一种包含光电二极管的固态成像器件包括：在N型半导体衬底的表面上与光电二极管并排布置的扩散层；在扩散层上设置的第一多晶硅电极；在第一多晶硅电极上设置的第一Al互连；连接第一Al互连的下表面和第一多晶硅电极的接触栓塞；以及有选择地设置在接触栓塞内的附着膜，该附着膜是含钛膜。
固态成像器件及其制造方法

[发明专利]用于红外发光二极管的外延生长晶片和红外发光二极管-CN00118294.3有效
发明人：吉永敦;山本淳一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2000-04-27 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：作为在p型GaAs单晶衬底上层积第一p型层、p型包覆层、p型有源层和n型包覆层后除去单晶的外延晶片，n型包覆层的载流子浓度为1×10¹⁷～1×10¹⁸cm^-3，硫浓度为3×10¹⁶原子/cm³以下，层厚度为20～50μm。此外，从p型包覆层和第一p型层的界面到p型包覆层侧2μm以内的区域中硅浓度的最大值不足1×10¹⁸原子/cm³，第一p型层中碳、硫和氧的浓度不足1×10¹⁷原子/cm³。于是，用获得的外延晶片制作的红外LED输出大，偏差小。
用于红外发光二极管外延生长晶片

[发明专利]红外发光元件用外延晶片和使用该晶片的发光元件-CN00118399.0在审
发明人：吉永敦;山本淳一;山崎昭弘 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2000-06-16 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：红外发光元件用外延晶片具备在n型GaAs衬底上边，用液相生长法依次叠层了第1n型Ga_1-x1Al_x1As层(0＜X1＜1)、第2n型Ga_1-x2Al_x2As层(0＜X2＜1)、n型Ga_1-x3Al_x3As包层(0＜X3＜1)、发光波长在850～900nm范围内的p型Ga_1-x4Al_x4As有源层(0＜X4＜1)、p型Ga_1-x5Al_x5As包层(0＜X5＜1)之后，除去上述n型GaAs衬底后形成的上述5层，其中p型Ga_1-x5Al_x5As包层的层厚在5～30微米的范围内，该p型Ga_l-x5Al_x5As包层中的氧浓度在3×10¹⁶原子/cm³以下。
红外发光元件外延晶片使用

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