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[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN201580018706.3有效
发明人：高谷秀史;斋藤顺;添野明高;山本敏雅;副岛成雅 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种能实现更高耐压的半导体器件及其制造方法。所提供的半导体器件具有：p型的第四区，其与栅极沟槽的下端相接；终端沟槽，其在第二区的外侧形成于半导体基板的表面；p型的下端p型区，其与终端沟槽的下端相接；p型的侧面p型区，其与终端沟槽的外周侧的侧面相接，且与下端p型区相连，并在半导体基板的表面露出；p型的多个保护环区，其形成于比侧面p型区靠外周侧处，且在表面露出。
半导体器件制造方法

[发明专利]绝缘栅型半导体器件-CN201580015955.7有效
发明人：斋藤顺;浜田公守;添野明高;高谷秀史;青井佐智子;山本敏雅 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种能够容易地耗尽外围区的绝缘栅型半导体器件。所述绝缘栅型半导体器件包括：在半导体衬底的正面中形成的第一至第四外围沟槽；绝缘层，其位于所述外围沟槽中；第五半导体区，其具有第二导电类型，并且在暴露于所述外围沟槽的底面的范围内形成；以及连接区，其将暴露于所述第二外围沟槽的底面的所述第五半导体区连接到暴露于所述第三外围沟槽的底面的所述第五半导体区。所述第二与第三外围沟槽之间的间隔比所述第一与第二外围沟槽之间的间隔以及所述第三与第四外围沟槽之间的间隔中的每一者宽。
绝缘半导体器件

[发明专利]绝缘栅型半导体装置、以及绝缘栅型半导体装置的制造方法-CN201580018795.1有效
发明人：斋藤顺;池田知治;庄司智幸;山本敏雅 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置，其具有半导体基板、表面电极、以及背面电极，并且对表面电极与背面电极之间进行开关，且该绝缘栅型半导体装置具有：第一外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；第二外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并与第一外周沟槽相比而较深；第二导电型的第五区域，其露出于第一外周沟槽的底面上；第二导电型的第六区域，其露出于第二外周沟槽的底面上，且表面侧的端部与第五区域的背面侧的端部相比而位于背面侧；第一导电型的第七区域，其使第五区域与第六区域分离。
绝缘半导体装置以及制造方法

[发明专利]绝缘栅型半导体装置的制造方法及绝缘栅型半导体装置-CN201480071099.2有效
发明人：斋藤顺;藤原広和;池田知治;渡边行彦;山本敏雅 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：使绝缘栅型半导体装置高耐压化。一种制造在表面电极和背面电极之间进行开关的绝缘栅型半导体装置的方法，具有：向栅极沟槽的底面注入第一第二导电型杂质并使注入的第一第二导电型杂质扩散的工序、以及向外周沟槽的底面注入第二第二导电型杂质并使注入的第二第二导电型杂质扩散的工序。
绝缘半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201480071339.9有效
发明人：斋藤顺;藤原広和;池田知治;渡边行彦;山本敏雅 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种通过使耗尽层在外周区内更高速地伸展，从而能够实现更高的耐压的技术。半导体装置具有形成有绝缘栅型开关元件的元件区和外周区。在外周区内的半导体基板的表面上，形成有第一沟槽和以与第一沟槽隔开间隔的方式配置的第二沟槽。在第一沟槽和第二沟槽内形成有绝缘膜。形成有以从第一沟槽的底面跨及第二沟槽的底面的方式延伸的第二导电型的第四区域。在第四区域的下侧形成有从第三区域连续的第一导电型的第五区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201480071046.0有效
发明人：斋藤顺;藤原広和;池田知治;渡边行彦;山本敏雅 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使耗尽层在外周区域内更加高速地伸展，从而实现较高的耐压的技术。半导体装置具有元件区域和与元件区域邻接的外周区域，所述元件区域具有绝缘栅型开关元件。在外周区域内形成有第一沟槽与第二沟槽。在第一沟槽与第二沟槽之间形成有第二导电型的表面区域。在第一沟槽的底面上形成有第二导电型的第一底面区域。在第二沟槽的底面上形成有第二导电型的第二底面区域。沿着第一沟槽的侧面而形成有对表面区域和第一底面区域进行连接的第二导电型的第一侧面区域。沿着第二沟槽的侧面而形成有对表面区域和第二底面区域进行连接的第二导电型的第二侧面区域。在第一侧面区域以及第二侧面区域的至少一部分中形成有低面密度区域。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201380041833.6有效
发明人：森本淳;宫原真一朗;山本敏雅;副岛成雅;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在具备具有沟槽栅结构(9)的纵型开关元件的碳化硅半导体装置的制造方法中，使用相对于(0001)面或(000－1)面具有偏轴角的衬底(1)，以使沟槽(6)的侧壁面朝向(11－20)面或(1－100)面的方式，将沟槽(6)从源区(4)的表面形成到将基区(3)贯通并到达漂移层(2)的深度，在上述沟槽(6)的形成后不进行牺牲氧化，形成栅氧化膜(7)。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201410487147.8有效
发明人：斋藤顺;青井佐智子;渡辺行彦;山本敏雅 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置(10)，其包括半导体基板(11)，所述半导体基板具有元件区域(12)以及终端区域(14)。元件区域包括第一体区域(36a，38)，其具有第一导电类型；第一漂移区(32)，其具有第二导电类型；以及第一浮动区域(34)，其具有第一导电类型。终端区域包括场限环区域(41)、第二漂移区(32b)以及第二浮动区域(37)。场限环区域具有第一导电类型并围绕元件区域。第二漂移区具有所述第二导电类型，并与场限环区域相接触且围绕场限环区域。所述第二浮动区域具有第一导电类型并被第二漂移区围绕。所述第二浮动区域围绕元件区域。至少一个所述第二浮动区域相对于最接近所述元件区域的一个场限环区域而被置于元件区域侧。
半导体装置

[发明专利]钣金面板的安装方法-CN201380062516.2有效
发明人：斋藤武弘;荒井崇壹;山本敏雅 -专利权人：沃尔沃卡车公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B62D25/08 文献下载
摘要：本发明涉及钣金面板的安装方法，提供提高了钣金面板的组装性、组装精度的钣金面板的安装构造，将安装支架安装于在驾驶室的后侧的面板上开口的玻璃安装用开口部的周缘部，并将钣金面板临时保持于该安装支架，然后，将钣金面板的周缘粘合于玻璃安装用开口部周边的后侧的面板，其特征为，沿着上述玻璃安装用开口部，在后侧的面板上设置朝驾驶室的后方突出的倾斜面，将上述钣金面板的周缘沿着上述倾斜面折弯，并以该钣金面板的周缘与该倾斜面之间的间隙依次变窄的方式将钣金面板的周缘朝倾斜面方向延伸设置，在钣金面板与后侧的面板之间设置粘接剂积存部，并且，使上述钣金面板的周缘紧贴倾斜面，对该周缘与倾斜面之间实施密封。
面板安装方法

[发明专利]半导体装置-CN201480052481.9在审
发明人：斋藤顺;青井佐智子;渡边行彦;山本敏雅 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置(10)，包括半导体基板(11)。该半导体基板的元件区域(12)包括具有第一导电类型的第一体区域(36a)，具有第二导电类型的第一漂移区(32a)，以及多个第一浮动区域(34)，各所述第一浮动区域具有所述第一导电类型。终端区域包括具有所述第二导电类型的第二漂移区(32b)，以及多个第二浮动区域(37)，各所述第二浮动区域具有所述第一导电类型。各所述第二浮动区域被所述第二漂移区所围绕。当第一漂移区的中心的深度被看作参考深度时，至少一个第二浮动区域被配置成比每个第一浮动区域更接近于所述参考深度。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201280060472.5无效
发明人：添野明高;山本敏雅;渡辺行彦 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直MOSFET，其包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括漏极层、漂移层、主体层和源极层；以及沟槽栅极，其从所述半导体衬底的上表面穿透所述源极层和所述主体层并且到达所述漂移层。所述沟槽栅极包括栅电极；第一绝缘膜，其布置于形成在所述半导体衬底中的沟槽的底表面上；第二绝缘膜，其至少布置在所述沟槽的侧表面上，并且与所述主体层接触；以及第三绝缘膜，其布置在所述栅电极和所述第二绝缘膜之间，并且由介电常数比所述第二绝缘膜的介电常数高的材料形成。
半导体器件

[发明专利]碳化硅半导体器件的制造方法-CN201280016150.0有效
发明人：宫原真一朗;山本敏雅;高谷秀史;杉本雅裕;渡边行彦;副岛成雅;石川刚 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：一种碳化硅半导体器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底(1)上形成漂移层(2)；在所述漂移层(2)的表面部分上或表面部分中形成基极层(3)；在所述基极层(3)的表面部分中形成源极区(4)；形成沟槽(6)，以穿透所述基极层(3)并且到达所述漂移层(2)；在所述沟槽(6)中的所述栅极绝缘膜(7)上形成栅极电极(8)；形成电连接至所述源极区(4)和所述基极层(3)的源极电极(9)；以及在所述衬底(1)的背侧表面上形成漏极电极(11)。形成所述沟槽(6)包括：对衬底表面进行平坦化，并且在平坦化之后蚀刻以形成所述沟槽(6)。
碳化硅半导体器件制造方法

[发明专利]SiC半导体器件及其制造方法-CN201110281178.4有效
发明人： 山本敏雅;杉本雅裕;高谷秀史;森本淳;副岛成雅;石川刚;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：一种SiC半导体器件，包括：按下述顺序堆叠的衬底(1)、漂移层(2)和基极区(3)；第一和第二源极区(4a，4b)和基极区中的接触层(5)；穿透所述源极和基极区的沟槽(6)；沟槽中的栅电极(8)；覆盖栅电极，具有接触孔的层间绝缘膜(10)；经由所述接触孔与所述源极区和所述接触层耦合的源电极(9)；衬底上的漏电极(11)；以及金属硅化物膜(30)。高浓度的第二源极区比低浓度的第一源极区更浅，且高浓度的第二源极区具有被层间绝缘膜覆盖的部分，该部分包括表面附近的低浓度的第一部以及比第一部深的高浓度的第二部。第二部上的金属硅化物膜的厚度大于第一部上的金属硅化物膜的厚度。
sic 半导体器件及其制造方法

[发明专利]平头型车及其驾驶室安装方法-CN200480044680.1有效
发明人： 山本敏雅 -专利权人：日产柴油机车工业株式会社
申请日： 2004-12-21 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： B62D27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种平头型车，在该平头型车中，不缩小驾驶室室内空间而使弹簧靠近驾驶室的重心，提升了驾驶室的乘车舒适性。使纵梁(23)的、纵梁(23)与前横梁(21)之间的结合部(23a)附近处的下表面(23b)向上方倾斜，在该倾斜的下表面(23b)的前方空间内，配置弹簧(24a)的至少一部分。
平头及其驾驶室安装方法

[发明专利]驾驶室的变形防止机构-CN200480044069.9无效
发明人：棚泽明文;山本敏雅;布川满浩 -专利权人：日产柴油汽车工业株式会社
申请日： 2004-09-27 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： B62D33/067 文献下载
摘要：本发明涉及一种驾驶室的变形防止机构，其目的在于提供一种在冲撞时按照确保乘坐人员的生存空间的方式防止变形的平头型卡车的驾驶室的车体构造。在驾驶室支架(2)的压曲变形的起点位置上设置支架变形防止用增强材料(3)，该压曲变形的起点位置为驾驶室支架(2)的俯视形状中的弯曲位置(A)或驾驶室支架(2)的侧面形状的弯曲位置(B)。
驾驶室变形防止机构

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