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[发明专利]一种用于FPGA的过压输入I/O缓冲器电路-CN202010148775.9有效
发明人： 屈小钢 -专利权人：中科亿海微电子科技（苏州）有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种用于FPGA的过压输入I/O缓冲器电路，其在输入信号高电平电压与FPGA I/O电源电压相差小于或大于一个P管阈值电压时都可以关住末级驱动P管的源漏极到N阱的PN结，减小过压输入导致的泄露电流，同时还将末级驱动P管的栅极拉高到输入信号高电平电压与FPGA I/O电源电压中较高的电压，进一步保证末级驱动P管的泄露电流维持在较小的纳安(nA)值以下，从而减小电路功耗。电路(100)，包括：输入缓冲器(109)、6个PMOS管和2个NMOS管，第一、第二、第三、第五、第六、第七MOS管(101、102、103、105、106、107)是PMOS管，第四、第八MOS管(104、108)是NMOS管。
一种用于 fpga 输入缓冲器电路

[发明专利]一种可以实现分布式存储器功能的查找表结构-CN202110956339.9有效
发明人：高丽江;王彦林;朱辰;马建军;屈小钢;秋小强 -专利权人：北京中科胜芯科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H03K19/17728 文献下载
摘要：本发明涉及一种可以实现分布式存储器功能的查找表结构，包括：地址译码器、字节使能模块、六输入查找表、五输入查找表、第一四输入查找表、第二四输入查找表和独立输入端。本发明提供的可以实现分布式存储器功能的查找表结构，在多粒度查找表的基础上，只增加了写地址译码器，和字节使能模块，通过对端口连接的重新分配，实现了两种模式的简单双端口存储器。该结构的读出功能复用了原来LUT表的多路选择器，从而减少了面积。
一种可以实现分布式存储器功能查找结构

[发明专利]一种多粒度查找表结构-CN202110956914.5有效
发明人：高丽江;王彦林;朱辰;马建军;屈小钢;秋小强 -专利权人：北京中科胜芯科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H03K19/17728 文献下载
摘要：本发明涉及一种多粒度查找表结构，包括：六输入查找表、五输入查找表、第一四输入查找表、第二四输入查找表和独立输入端；本发明提供的多粒度查找表结构，有利于在性能和面积（成本）之间进行平衡，兼顾性能与面积（成本）。相比2个完整的6LUT，可以实现更多的相互独立的逻辑函数。
一种粒度查找结构

[发明专利]一种多电源上电复位电路-CN202110956909.4在审
发明人： 屈小钢;秋小强;高丽江;朱辰 -专利权人：北京中科胜芯科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种多电源上电复位电路，包括：第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第二电阻、第一反相器、第二反相器和或门。本发明提供的多电源上电复位电路，能较好的解决FPGA等可编程逻辑器件需要监测多电源上电复位的问题，以支持基于SRAM的FPGA广泛应用于计算机硬件、数据处理、工业控制、遥控遥测、智能仪表、广播电视、医疗器械和航空航天等诸多领域。
一种电源复位电路

[发明专利]一种低温漂复位点上电复位电路-CN202110956910.7在审
发明人： 屈小钢;秋小强;高丽江;朱辰 -专利权人：北京中科胜芯科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温漂复位点上电复位电路，包括：带隙基准Bandgap参考电压产生电路、MOS管、分压电阻和比较器。本发明提供的低温漂复位点上电复位电路，由于复位点电压变化小能较好的解决上电复位电路复位点电压的变化范围小的问题。
一种低温复位点上电电路

[发明专利]用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路-CN201910170169.4在审
发明人： 屈小钢 -专利权人：中科亿海微电子科技（苏州）有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种FPGA的N模冗余配置存储单元电路，包括：2N对互锁存储单元，每一对互锁存储单元包括一个PMOS管和一个NMOS管，其中，第i个PMOS管的漏极连接第i+1个PMOS管的栅极，第2N个PMOS管的漏极连接第1个PMOS管的栅极；第i个NMOS的栅极连接第i+1个NMOS的漏极，第2N个NMOS管的栅极连接第1个NMOS管的漏极；每一对互锁存储单元的PMOS管和NMOS管的漏极互相连接，1≤i≤2N‑1；N个传输管，其栅极和源极分别互相连接；N个清零管，其栅极互相连接。本发明相较于现有技术的两端读写存储单元节省了一倍的布线，简化了布线和结构。
漏极存储单元互相连接互锁存储单元电路冗余配置栅极连接布线读写存储单元传输管清零源极

[发明专利]一种抗SET的加固环形振荡器-CN201511017201.3有效
发明人：韦援丰;杨海钢;陈柱佳;屈小钢 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗SET的加固环形振荡器，包括：N级主环形振荡器，其包括N级延时单元，每一级延时单元均输出3对差分输出，共输出3N对差分输出；以及N个输出表决器，每个输出表决器均与N级主环形振荡器中的一级延时单元相连接并从所述级延时单元接收3对差分输出作为输入，并对所述输入进行多数表决后输出有效值，其中，N为大于1的整数。本发明的抗SET的加固环形振荡器对SET具有较强的免疫能力，可产生均匀的多相位输出，可避免传统加固VCO引起冗余环路相位同步问题，环路中不增加额外延时，对环路振荡频率的影响很小。
输出环形振荡器延时单元表决器环路振荡频率多数表决免疫能力冗余环路相位同步多相位每一级

[发明专利]抗单粒子翻转的FPGA三模冗余配置存储单元电路-CN201711218764.8在审
发明人： 屈小钢;魏育成;尹韬;韦援丰 -专利权人：中科亿海微电子科技（苏州）有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本公开提供了一种抗单粒子翻转的FPGA三模冗余配置存储单元电路,包括传输单元，连接到输入端sel和输入端data；清零单元，连接到输入端clr；互锁存储单元，包括6个上MOS管以及6个下MOS管，其中，所述6个上MOS管与6个下MOS管组成6级互锁存储单元，每一级逐次以相同的方式相连，第6级再连接到第1级；所述互锁存储单元通过所述传输单元连接到输入端sel及输入端data，通过所述清零单元连接到输入端clr；每一级包括1个上MOS管和1个下MOS管，所述每一级的1个上MOS管和1个下MOS管的漏极D端连接，并连接到下一级上MOS管的栅极G端，以及上一级下MOS管的栅极G端。
粒子翻转 fpga 冗余配置存储单元电路

[发明专利]用于可编程逻辑器件的二模冗余配置存储单元电路-CN201310165798.0有效
发明人： 屈小钢;杨海钢 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于可编程逻辑器件的二模冗余配置存储单元电路，该电路包括4个PMOS管和4个NMOS管组成的4级互锁存储单元、2个传输管以及2个清零管。本发明的二模冗余配置存储单元电路，能够使用尽量少的MOS管在可编程逻辑器件满足配置要求，且可提高可编程逻辑器件抗单粒子翻转阈值。
用于可编程逻辑器件冗余配置存储单元电路

[发明专利]电荷泵-CN201310716856.4有效
发明人：杨海钢;何辉;刘飞;韦援丰;陈柱佳;屈小钢;张春红;杨雅娟 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明提供了一种电荷泵。该电荷泵通过反馈模块检测电荷泵输出电压，根据电荷泵输出电压值来调节电荷泵充放电电源各自所镜像的电源电流值，以补偿由于输出电压变化所造成的充放电电流失配。
电荷

[发明专利]一种多模式降压型DC-DC转换器片内软启动电路-CN201210118619.3有效
发明人：张春红;杨海钢;韦援丰;屈小钢;张甲;余乐;何辉 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于多模式降压型DC-DC转换器在启动阶段对芯片实施保护作用的软启动电路。在DC-DC转换器的启动阶段的大过冲电流容易造成功率开关的损坏，并且增加了芯片的功率损耗。本发明利用一个充电电流发生器为一个电容充电，用限流电路实时检测电容上的电压来输出限流电压，保证芯片的安全软启动。通过软启动过程结束判断电路，本发明使芯片实时的工作在软启动和正常工作状态下，关断电路根据芯片的调制模式可关断芯片的部分非工作电路。本发明所提供的软启动方案能有效抑制启动阶段的过冲电流，从而保护芯片的功率开关，并提高芯片的效率。
一种模式降压 dc 转换器片内软启动电路

[发明专利]一种将逻辑信号转换为低压差分信号的装置-CN201210117648.8有效
发明人：韦援丰;杨海钢;张甲;屈小钢;张春红;余乐;何辉 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种将普通双电平逻辑信号转换为低压差分信号(LVDS)的装置，所述装置包括逻辑输出单元和梯形电阻网络单元，单端逻辑信号输入到所述逻辑输出单元，在逻辑输出单元中变为正反逻辑信号后，通过所述梯形电阻网络单元实现分压和电平转换，在输出端口负载为100欧姆的条件下，输出符合低压差分信号电气标准的电压信号。本发明电路装置的工作条件不受逻辑信号电压的限制，适用于普通双电平逻辑信号与低压差分信号(LVDS)接口转换的传输场合，特别适用于将FPGA中普通正反逻辑信号转化为低压差分信号(LVDS)。
一种逻辑信号转换低压装置

[发明专利]配置状态可定制的可编程逻辑电路-CN201010591415.2有效
发明人：杨海钢;贾一平;屈小钢 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H03K19/177 文献下载
摘要：本发明公开了一种配置状态可定制的可编程逻辑电路，涉及逻辑电路技术，n个配置SRAM单元电路和m个双端口SRAM单元电路，将其并列设置固化成阵列；经掩膜定制单元通过定制有限层的金属掩膜层建立选择连接，实现配置SRAM和双端口SRAM的固化。本发明的可编程逻辑电路，开发周期短、成本低，且克服了普通FPGA在辐照条件下配置SRAM易翻转的问题。
配置状态定制可编程逻辑电路

[发明专利]一种信号延时集成电路-CN200710117610.X有效
发明人：杨海钢;屈小钢 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H03K5/13 文献下载
摘要：本发明公开一种信号延时集成电路，包括：延时电路的输入信号分别接到RS触发器的置位端、分频相与电路的清零端和逻辑或门的一个输入端；逻辑或门的另一个输入端接触发器的反向输出端；逻辑或门的输出端接到环行振荡器的输入端；环行振荡器的输出端接到分频相与电路的时钟端；分频相与电路的输出端接到RS触发器的复位端；RS触发器的正输出端输出延时电路的输出信号。本发明要解决芯片版图面积大的问题，采用本发明的延时电路在占用较小芯片版图面积的情况下很容易就可以实现几十毫秒，甚至上百毫秒的延时。因此，本延时电路便于与其他电路单芯片集成，特别是需集成上电复位电路的可编程逻辑器件和微处理器。
一种信号延时集成电路

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