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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于基板处理的原位膜生长速率监视设备、系统及方法-CN202280014755.X在审
发明人：丛者澎;尼欧·谬;盛涛;郑勇 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体涉及用于原位膜生长速率监视的设备、系统、及方法。在基板处理操作期间监视基板上的膜厚度，所述基板处理操作在基板上沉积膜。在进行基板处理操作时监视厚度。监视包括在朝向结晶试样的方向上引导光。所述方向垂直于加热方向。在一个实施方式中，在基板处理操作期间用于监视膜生长的反射计系统包括第一区块，所述第一区块包括第一内表面。反射计系统包括在第一区块中设置并且朝向第一内表面定向的光发射器、及在第一区块中设置并且朝向第一内表面定向的光接收器。反射计系统包括与第一区块相对的第二区块。
用于处理原位生长速率监视设备系统方法

[发明专利]EPI中的多区域点加热-CN201880069406.1有效
发明人：刘树坤;科吉·纳卡尼施;中川俊行;朱作明;叶祉渊;约瑟夫·M·拉内什;尼欧·谬;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;舒伯特·S·楚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-10-04 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体处理的设备和方法，更具体地，涉及热处理腔室。热处理腔室包括基板支撑件、设置在基板支撑件上方或下方的第一多个加热元件、和设置在基板支撑件上方的点加热模块。点加热模块用于在处理期间对设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善了温度分布，这进而改善了沉积均匀性。
epi 中的区域加热

[发明专利]通过脉冲或轮廓点加热执行的外延（EPI）厚度调节-CN201980009926.8有效
发明人：刘树坤;叶祉渊;朱作明;尼欧·谬;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;舒伯特·楚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述的实施方式提供处理腔室，该处理腔室包含：用于处理容积的外壳；外壳内的可旋转支撑件，该支撑件具有延伸到外壳外部的轴，其中该轴具有位于处理容积外部的信号特征；外壳内的能量模块，其中该轴延伸通过该能量模块、耦合到外壳的一个或多个定向能量源；及邻近该信号特征定位的一个或多个信号器，每个信号器耦合到定向能量源中的至少一个。
通过脉冲轮廓加热执行外延 epi 厚度调节

[发明专利]具有共用的气体输送和排气系统的多个热CVD腔室-CN202180016018.9在审
发明人：叶祉渊;刘树坤;布莱恩·H·伯罗斯;洛里·华盛顿;赫尔曼·迪尼兹;马丁·A·希尔金;理查德·O·柯林斯;尼欧·谬;马尼施·赫姆卡;舒伯特·S·楚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文描述了用于热处理的处理腔室的方法和设备。处理腔室是双处理腔室，并且共用腔室主体。腔室主体包括第一组气体注入通道和第二组气体注入通道。腔室主体还可包括第一组排气口和第二组排气口。处理腔室可具有共用的气体面板和/或共用的排气导管。本文描述的处理腔室能够以改进的处理气体流动和热分布同时处理多个基板。
具有共用气体输送排气系统多个热 cvd

[发明专利]具有减少占地面积的半导体处理工具平台配置-CN202180007747.8在审
发明人：尼尔·玛利;舒伯特·S·楚;苏斯汉特·S·科希特;迈克尔·C·库查尔;尼欧·谬;李松宰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：基板处理系统包括具有受控环境的工厂接口和传送腔室。传送腔室包括四个第一小平面和三个第二小平面，其中三个第二小平面的每一个具有比四个第一小平面的每一个的宽度窄的宽度。第一处理腔室附接到四个第一小平面的一个。第一辅助腔室附接到三个第二小平面的第一个，其中第一辅助腔室小于第一处理腔室。负载锁定附接到三个第二小平面的第二个和工厂接口。机器人附接到传送腔室的底部，机器人适以将基板传送进出第一处理腔室、第一辅助腔室及负载锁定。
具有减少占地面积半导体处理工具平台配置

[其他]注入器设备、基板处理设备及在机器可读介质中实现的结构-CN201990000973.1有效
发明人：刘树坤;林丽萍;普雷塔姆·拉奥;卡尔蒂克·萨哈;艾娜·王;尼欧·谬;布莱恩·H·伯罗斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述的实施方式一般涉及一种注入器设备、一种基板处理设备及一种在机器可读介质中实现的结构。气体注入设备耦接到第一气体源和第二气体源。来自第一气体源和第二气体源的气体可保持分离，直到气体进入处理腔室中的处理容积。冷却剂流过气体注入设备中的通道，以冷却气体注入设备中的第一气体和第二气体。冷却剂用于通过减轻来自处理腔室的热辐射的影响来防止气体的热分解。在一个实施方式中，通道围绕具有第一气体的第一导管和具有第二气体的第二导管。
注入设备处理机器可读介质实现结构

[发明专利]利用光束宽度调制的晶片点加热-CN201980033939.9在审
发明人：刘树坤;叶祉渊;朱作明;中西孝之;中川敏行;尼欧·谬;诸绍芳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供一种热处理腔室，包含基板支撑件、设置于基板支撑件的上方或下方的第一多个加热元件、及设置于基板支撑件上的点加热模块。点加热模块被用于在处理期间提供设置于基板支撑件上的基板上的区域的局部加热。基板的局部加热改变了温度分布，这进而可用于改善沉积均匀性。由点加热模块所产生的光束点的形状可被修改，而无需改变点加热模块的光学元件。
利用光束宽度调制晶片加热

[发明专利]常压外延沉积腔室-CN201580047552.0有效
发明人：刘树坤;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;尼欧·谬;亚伦·米勒;阿伦·缪尔·亨特;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;保罗·布里尔哈特;约瑟夫·M·拉内什;卡尔蒂克·萨哈;丹尼斯·L·德玛斯;萨瑟施·库珀奥 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本文中所述的实施方式揭露了外延沉积腔室及其部件。在一个实施方式中，腔室可包括定位于处理区域中的基板支撑件、包括多个辐射能量源的辐射能组件、具有上衬垫及下衬垫的衬垫组件及定位于所述基板支撑件与所述辐射能组件之间的拱形结构组件。本文中所述的外延沉积腔室允许处理较大的基板，同时维持了产量、降低了成本且提供了可靠均匀的沉积产品。
常压外延沉积

[发明专利]用于使预热构件自定中心的装置-CN201910950385.0在审
发明人：凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;理查德·O·柯林斯;尼欧·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：在此所描述的具体实施方式一般地涉及用于对准预热构件的装置。在一个具体实施方式中，提供对准组件用于处理腔室。所述对准组件包括：下衬垫；预热构件；在所述预热构件的底表面上形成的对准机构；以及在所述下衬垫的顶表面内形成且经配置以与所述对准机构啮合的拉长的槽。
预热对准机构对准组件下衬垫啮合处理腔室顶表面拉长对准配置

[发明专利]用于使预热构件自定中心的装置-CN201480065524.7有效
发明人：凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;理查德·O·柯林斯;尼欧·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在此所描述的具体实施方式一般地涉及用于对准预热构件的装置。在一个具体实施方式中，提供对准组件用于处理腔室。所述对准组件包括：下衬垫；预热构件；在所述预热构件的底表面上形成的对准机构；以及在所述下衬垫的顶表面内形成且经配置以与所述对准机构啮合的拉长的槽。
用于预热构件中心装置

[发明专利]加热灯组件-CN201480011595.9有效
发明人：理查德·O·柯林斯;尼欧·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本文公开加热灯及加热灯组件的实施方式。在一些实施方式中，加热灯可包括灯泡；反射体，所述反射体在所述灯泡的第一端附近限制所述灯泡；基座，所述基座耦接至所述反射体的与灯泡相对的侧面上；柄，所述柄耦接至所述基座的与所述反射体相对的侧面上，其中所述柄包含主体，所述主体具有耦接至基座的第一端及与所述第一端相对的第二端；第一导体，所述第一导体自所述灯泡延伸，且以与所述灯泡相反的方向穿过所述基座及所述柄；以及第二导体，所述第二导体自所述灯泡延伸，且以与所述灯泡相反的方向穿过所述基座及所述柄。
加热组件

[实用新型]基板支撑载体和用于处理基板的系统-CN201420441504.2有效
发明人：戴维·K·卡尔森;卡什夫·马克苏德;迈克尔·R·赖斯;布赖恩·伯罗斯;兰斯·斯卡德;尼欧·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本文提供了基板支撑载体和用于处理基板的系统的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑载体可包括第一基板支撑板、第二基板支撑板和具有支撑特征部件的基座，所述支撑特征部件将第一基板支撑板和第二基板支撑板以距彼此约0°至180°的角度可移动地定位。在一些实施方式中，支撑特征部件可在基板处理期间将第一基板支撑板和第二基板支撑板以距彼此约4°至约20°的角度定位。在一些实施方式中，支撑特征部件可在基板的装载和卸载期间将第一基板支撑板和第二基板支撑板以距彼此约90°至约180°的角度定位。
支撑载体用于处理系统

[发明专利]在基板上沉积材料的方法和设备-CN201280036316.5有效
发明人：穆罕默德·图鲁尔·萨米尔;尼欧·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在此提供在基板上沉积材料的方法和设备。在某些实施例中，设备可包括：具有基板支撑件的处理腔室；用来提供热能至基板支撑件的加热系统；气体入口端口，所述气体入口端口设置在基板支撑件的第一侧，以提供第一处理气体或第二处理气体中的至少一者越过基板的处理表面；第一气体分配导管，所述第一气体分配导管设置在基板支撑件上方，并具有一个或多个第一出口，所述一个或多个第一出口沿着第一气体分配导管的长度设置，以提供第三处理气体至基板的处理表面，其中一个或多个第一出口实质上为线性排列；和排气岐管，所述排气岐管设置在基板支撑件的第二侧，排气岐管与气体入口端口相对，以自处理腔室排气处理气体。
基板上沉积材料方法设备

[发明专利]用于化学气相沉积腔室的衬里组件-CN201180069452.X有效
发明人：戴维·基思·卡尔森;穆罕默德(图鲁尔)·萨米尔;尼欧·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本文所述的实施例涉及一种用于对腔室内的处理区域形成衬里的设备和方法。于一个实施例中，提供用于衬底处理腔室的模块衬里组件。所述模块衬里组件包含第一衬里和第二衬里，所述第一衬里和所述第二衬里每个包括环形主体，所述环形主体经调整尺寸以容纳于腔室的处理容积中；及至少第三衬里，所述第三衬里包括主体，所述主体通过所述第一衬里和所述第二衬里而延伸，所述第三衬里具有设置于所述处理容积中的第一端和设置于所述腔室外侧的第二端。
用于化学沉积衬里组件

[发明专利]用于沉积工艺的方法和设备-CN201180010262.0有效
发明人： 尼欧·谬;凯文·鲍蒂斯塔;叶祉渊;舒伯特·S·楚;金以宽 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供用于沉积工艺的方法和设备。在部分实施例中，一种设备可包括基板支撑件，所述基板支撑件包括：基座板，所述基座板具有凹穴和唇部，所述凹穴设置在基座板的上表面中，所述唇部形成在所述上表面中，且所述唇部外接所述凹穴，而所述唇部配置以将基板支撑在唇部上；以及多个通气孔，所述多个通气孔从凹穴延伸至基座板的上表面，以当基板设置在唇部上时，使在基板的背侧与凹穴之间所捕捉（trapped）的气体排出。本发明还公开了使用本发明的设备而在基板上沉积一层的方法。
用于沉积工艺方法设备

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