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[发明专利]半导体结构、三维存储器件及其制备方法-CN201910844650.7有效
发明人：贺晓平;万先进;封铁柱;张莉;夏碧波;刘力挽 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、三维存储器件及其制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，其中，所述衬底上形成有第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成衍生层，其中，所述衍生层的硬度为第一硬度；以及对所述衍生层进行处理，处理后的衍生层的硬度为第二硬度，其中，所述第二硬度大于所述第一硬度。本发明的三维存储器件的制备方法，解决了现有技术的绝缘层和牺牲层之间的衍生层容易形成缺口，从而影响三维存储器件的品质的问题。
半导体结构三维存储器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN201910908298.9有效
发明人：羅興安;封铁柱;张高升;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一衬底，形成厚度方向上沉积温度梯度变化的硬掩膜叠层于所述衬底上，所述硬掩膜叠层包括至少两层硬掩膜层，不同的所述硬掩膜层对应不同的所述沉积温度；形成开口于所述硬掩膜叠层中，所述开口暴露出所述衬底上表面，且所述开口的顶端尺寸与底端尺寸不同；以具有所述开口的所述硬掩膜叠层为掩膜，形成凹陷结构于所述衬底中。本发明可以扩大预期的CD工艺窗口，精准地控制目标CD，并有利于降低硬掩膜层薄膜厚度，降低硬掩膜开口轮廓变形，从而降低图形失真度，提升DVC性能。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]三维存储器及其形成方法-CN201910113088.0有效
发明人：张念华;孙祥烈;赵成林;向银松;李远;潘杰;万先进;封铁柱 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成三维存储器的方法，所述方法包括：提供衬底、多个栅极片和介电片，各栅极片和介电片具有多个通孔；在所述衬底上交替堆叠栅极片和介电片形成堆叠结构，所述栅极片和介电片在所述堆叠结构的至少一端堆叠成阶梯结构，且沿着所述衬底表面方向的栅极片之间和介电片之间形成栅线隙，各栅极片和介电片的对应的通孔对齐形成沟道孔；封闭所述沟道孔和所述栅线隙的顶端；打开所述沟道孔并填充所述沟道孔而形成沟道孔垂直结构，以及打开所述栅线隙并形成阵列共源极。
三维存储器及其形成方法

[发明专利]一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的工艺-CN201610440482.1有效
发明人： 封铁柱 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的工艺。包括以下步骤：在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法低温沉积粘附层钛薄膜，粘附层钛薄膜覆盖在二氧化硅上表面；沉积阻挡层氮化钛薄膜，阻挡层氮化钛薄膜覆盖在粘附层钛薄膜上表面；高温沉积铝薄膜，铝薄膜覆盖在阻挡层氮化钛薄膜上表面；铝薄膜上表面沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜上表面沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在铝薄膜上表面直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。本发明的有益效果是：采用简单的工艺流程克服了铝薄膜在生产工艺过程中铝晶粒无序增大使铝薄膜产生小丘状的缺陷。
一种减少薄膜产生小丘缺陷工艺

[实用新型]一种溅射装置的制程反应室及溅射装置-CN201720541487.3有效
发明人：龙俊舟;封铁柱;杨弘;马山州 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种溅射装置的制程腔体及溅射装置，包括：反应室主体，包括相互平行设置的两个侧壁板以及连接两个侧壁板的底部板，侧壁上设有孔洞，孔洞的内壁顶部设有与侧壁连接的气体源，气体源连接有点燃装置，孔洞的内壁底部垂直连接有有起辉面，底部板位于制程空间内的一侧连接有基材；孔洞的直径为标准直径的两倍，起辉面上设有喷砂层。本实用新型的有益效果：通过设置气体源和起辉面之间的距离为预设距离，能够避免等离子体损伤起辉面导致起辉面上产生微粒，通过在起辉面上设置粗糙层，进一步避免等离子体损伤起辉面导致起辉面上产生微粒，从而避免反应室主体内的微粒颗数超出制程需求。
起辉孔洞溅射装置气体源等离子体损伤本实用新型反应室主体侧壁板底部板制程制程反应室侧壁连接垂直连接点燃装置内壁顶部平行设置预设距离制程腔体粗糙层喷砂层侧壁基材内壁

[发明专利]一种减少晶圆离子损伤方法及离子发生器-CN201611116738.X在审
发明人：龙俊舟;封铁柱;杨弘;马山州 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少晶圆离子损伤方法及离子发生器，应用于射频溅射的离子发生器，离子发生器包括一用于射频辐射的线圈，其中将线圈的两端接地；线圈提供一馈入点，馈入点设置于线圈的两端之间；提供一射频电源，连接馈入点；离子发生器的线圈于接通射频电源后，使生成的离子均匀的轰击晶圆的表面，以去除晶圆表面的氧化物。其技术方案的有益效果在于，可通过离子发射器将生成的离子均匀的发射于晶圆的氧化物表面，在氧化物去除的同时，还可有效的避免因为离子于射入晶圆表面不均进而造成晶圆中的离子损伤的缺陷。
一种减少离子损伤方法发生器

[发明专利]一种改善铝膜缺陷的方法-CN201611104106.1在审
发明人：龙俊舟;封铁柱;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善铝膜缺陷的方法，通过利用物理溅射沉积机台在半导体衬底上形成阻挡层之后，将形成有阻挡层的半导体衬底从物理溅射沉积机台中取出并放置在室温条件下一段时间，使得阻挡层在室温下晶粒和应力趋于稳定，之后再进行于阻挡层上表面制备铝膜的工艺，从而减少了铝膜成膜时的不稳定因素，抑制铝晶粒在生长过程中的无序生长，有效减少了铝薄膜胡须状缺陷的产生，进而提高了硅片的良品率。
一种改善缺陷方法

[发明专利]一种沉积氮化钛薄膜的方法-CN201610055250.4在审
发明人： 封铁柱 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种沉积氮化钛薄膜的方法，首先在真空反应腔体中，只通入少量四氯化钛气体，在一定高温和等离子的共同作用下，将四氯化钛分解成氯离子，氯离子在辅助气体的作用下，清除半导体结构表面的氧化物，反应副产物依靠气泵的作用下抽出反应腔体；而后，继续通入四氯化钛气体和氨气，在高温和等离子体的共同作用下，反应生成所需要氮化钛薄膜。即采用原位的方法，以低成本的优点来完成复杂结构表面的氧化物清除和氮化钛薄膜的沉积，最终实现晶圆制造成本的降低，且该方法简单易行，操作可控性强。
一种沉积氮化薄膜方法

[发明专利]一种背照式传感器的制备方法-CN201510734022.5在审
发明人：胡胜;封铁柱;陈俊;孙鹏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式传感器的制备方法，通过在进行金属栅格底端粘合层，金属层镀膜制程之后，依次对半导体衬底进行破真空工艺和表面洁净处理工艺，之后于金属层之上沉积抗反射层，最后通过图形和刻蚀形成上表面具有抗反射层的若干金属栅格，从而避免背面金属栅格层工艺中的异常突起现象，降低异常生长，进而避免了不同像素之间额外的光线串扰，提高了背照式传感器芯片的性能。
一种背照式传感器制备方法

[发明专利]一种金属钨薄膜的制备方法-CN201510298874.4在审
发明人： 封铁柱 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种金属钨薄膜的制备方法，通过改变反应腔体中，气体的反应温度并减少反应气体的量，以使金属钨原子尽可能多的形成在反应腔体，然后下落至成核层的表面，有序生长，形成一金属钨薄膜。通过本技术方案，有效减小了金属钨薄膜的应力，较传统方法相比，减小了73％。
一种金属薄膜制备方法

[发明专利]一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺-CN201310578991.7有效
发明人： 封铁柱 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺。包括以下步骤：在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法低温沉积粘附层钛薄膜，粘附层钛薄膜覆盖在二氧化硅上表面；沉积阻挡层氮化钛薄膜，阻挡层氮化钛薄膜覆盖在粘附层钛薄膜上表面；高温沉积铝薄膜，铝薄膜覆盖在阻挡层氮化钛薄膜上表面；铝薄膜上表面沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜上表面沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在铝薄膜上表面直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。本发明的有益效果是：采用简单的工艺流程克服了铝薄膜在生产工艺过程中铝晶粒无序增大使铝薄膜产生小丘状的缺陷。
一种减少薄膜产生小丘缺陷新工艺

[发明专利]一种钴—抑制剂超细复合粉末的制备方法-CN200610124908.9无效
发明人：邵刚勤;熊震;段兴龙;史晓亮;孙鹏;王天国;封铁柱;周芙蓉 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2006-11-01 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种钴—抑制剂超细复合粉末的制备方法。首先采用下列三种方式之一制备钴氧化物、过渡金属氧化物和碳粉的混合粉末：(1)将钴氧化物、过渡金属氧化物和碳粉按比例混合球磨制成混合粉末；(2)将钴盐和过渡金属盐按比例混合，经过喷雾热解、或喷雾干燥、或喷雾干燥加煅烧制成钴氧化物—过渡金属氧化物粉末，再将其与碳粉混合球磨制成混合粉末；(3)将钴盐、过渡金属盐、可溶性碳源按比例混合，经过喷雾热解、或喷雾干燥、或喷雾干燥加煅烧制成混合粉末。将上述混合粉末放入反应炉中，通过控制直接还原碳化温度和反应时间制得钴—抑制剂超细复合粉末。本发明使作为晶粒生长抑制剂的过渡金属碳化物能在粘接相金属钴中均匀分散，由此可制备高性能的碳化钨—钴硬质合金。本发明中粉末的合成温度低、工艺简捷安全、容易控制、没有污染、投资成本低。
一种抑制剂复合粉末制备方法

[发明专利]一种用于制备高密度合金的钨－铜复合粉末的制备方法-CN200610124767.0无效
发明人：史晓亮;杨华;段兴龙;邵刚勤;熊震;孙鹏;王天国;封铁柱;赵晓峰 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明属于一种用于制备高密度合金的钨铜复合粉末的制备方法。包括将钨铜原料经过喷雾热解或喷雾干燥加煅烧后制备成钨铜复合氧化物粉末，前驱体粉末粒度控制在0.1～10μm；然后将钨铜复合氧化物粉末放入多气氛可倾斜式回转炉中，经过一次还原，二次还原，得到钨－铜复合粉末。本发明制备的钨－铜复合粉末具有粒度可调、成分分布均匀、纯度高、分散性好的特点，粉末的钨晶粒度可控制在50nm～1μm，含氧量低于0.1wt.％。该粉末具有良好的烧结活性，可用于制备具有优良力学和热学性能的高密度钨－铜合金。本发明前驱体钨铜复合氧化物粉末无需球磨或其它分散处理，因而工艺简捷、易控制、没有污染、投资成本低，适合于工业化规模生产。
一种用于制备高密度合金复合粉末方法

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