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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法-CN202210565266.5在审
发明人：青木一史;丸野尚纪;巴赫曼·苏丹尼;加藤裕也;高武恭平;向田慎二;富坂学;石原康生;中泽秀作;山口哲司 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：提供了用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。提供了使用阳极氧化的用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。用于SiC衬底(W)的表面处理设备(1)包括表面处理垫(3)和电源装置(5)。表面处理垫(32)包括磨轮层。磨轮层被布置成面向SiC衬底的工件表面(W1)。电源装置使周期大于0.01秒且小于或等于20秒的脉冲电流在存在电解液(S)的情况下通过作为阳极的SiC衬底来对要由磨轮层处理的工件表面进行阳极氧化。
用于 sic 衬底表面处理设备方法

[发明专利]半导体设备以及在其基片上图案化树脂绝缘层的方法-CN201010292890.X有效
发明人： 富坂学;龟山美知夫;深谷辉和;加藤和人;福田丰;田井明;赤松和夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2010-09-25 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一种制造半导体设备的方法，电极层(2)形成于半导体基片(1)的表面上，并且树脂绝缘层(3)形成于半导体基片(1)的表面上以使得电极层(2)能由树脂绝缘层(3)覆盖。锥形孔(31)通过使用刀面角为零或负值的刀头(4)形成于绝缘层(3)中。锥形孔(31)具有由绝缘层(3)限定的开口、由电极层(2)限定的底部(21)、以及将开口(31)连接至底部(21)的侧壁(10)。刀头(4)的刀面角为零或负值。
半导体设备以及基片上图案树脂绝缘方法

[发明专利]半导体装置的金属电极的形成方法以及金属电极形成设备-CN201010502834.4有效
发明人： 富坂学;加藤英寿;福田丰;田井明;赤松和夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置(10)的金属电极(15)的形成方法。所述方法包括：获取关于半导体衬底(11)的表面部分(11c)的表面形状的数据；以及基于所述数据令变形装置(24、24a)使半导体衬底(11)变形，以使得切削平面(P)与表面部分(11c)之间的距离落入所需的切削量精度内。在使半导体衬底(11)变形时，使用多个致动器(24a)作为变形装置(24、24a)。所述多个致动器(24a)的间距设定为大于半导体衬底(11)的厚度分布的空间频率的波长的一半且小于或等于该波长。
半导体装置金属电极形成方法以及设备

[发明专利]具有半导体芯片和金属板的半导体设备及其制造方法-CN201010258186.2有效
发明人：福冈大辅;手岛孝纪;真光邦明;坂本健;富坂学;藤井哲夫;田井明;赤松和夫;西畑雅由 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2010-08-18 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体设备包括用于覆盖第一金属布线(18)的第一保护膜(25)。第二保护膜(26)布置于第一保护膜(25)上，第二保护膜(26)由焊料层(29)覆盖。即使在焊料层(29)形成于第二保护膜(26)上之前裂纹产生于第二保护膜(26)中，也限制裂纹行进入第一保护膜(25)。
具有半导体芯片金属板半导体设备及其制造方法

[发明专利]金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件-CN201010129988.3有效
发明人： 富坂学;小岛久稔;新美彰浩 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。
金属电极形成方法具有半导体器件

[发明专利]金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件-CN200910225920.2无效
发明人： 富坂学;小岛久稔;新美彰浩 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。
金属电极形成方法具有半导体器件

[发明专利]金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件-CN200810082457.6有效
发明人： 富坂学;小岛久稔;新美彰浩 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开口(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。
金属电极形成方法具有半导体器件

[发明专利]制造压力传感器的方法-CN200610005464.7无效
发明人： 富坂学;渡边善文;田中宏明 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2006-01-17 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：一种制造压力传感器的方法，包括如下步骤：制备半导体基底(21)；在基底(21)上形成绝缘膜(22)；在绝缘膜(22)上形成第一金属膜(23)；在第一金属膜(23)和绝缘膜(22)上形成第一保护膜(25)；在第一金属膜(23)和第一保护膜(25)上形成第二保护膜(26)；在第二保护膜(26)上进行附着力减小处理，附着力是在第二保护膜(26)和第二金属膜(24，27－29)之间；在第一金属膜(23)以及第一保护膜(25)上形成第二金属膜(24，27－29)；以及去除一部分第二金属膜(24，27－29)。
制造压力传感器方法

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