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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211607049.4在审
发明人： 宫原真一朗;原田峻丞;森野友生 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有深层、电流扩散层、基区、高浓度区和沟槽栅极结构的垂直半导体元件。所述深层具有在一个方向上彼此分开的多个区段。所述电流扩散层位于所述深层的相邻两个区段之间。所述高浓度区位于所述基区的一部分上。所述沟槽栅极结构包括栅极沟槽、栅极绝缘膜和栅极电极。所述电流扩散层位于所述沟槽栅极结构的底部，并且具有从栅极沟槽底部延伸到深层底部或深层底部下方位置的离子注入层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201780041600.4有效
发明人：竹内有一;宫原真一朗;秋叶敦也;铃木克己;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在p型连接层(30)的前端连结p型扩张区域(40)。通过形成这样的p型扩张区域(40)，能够消除在p型连接层(30)与p型保护环(21)之间间隔变大的区域。因此，在台面部中，能够抑制等电位线过度隆起，能够确保耐压。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN202080075352.7在审
发明人： 宫原真一朗;辻村理俊;山下侑佑 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：具备电场缓和层(3)，该电场缓和层(3)包括第2导电型的第1区域(3a)和第2导电型的第2区域(3b)，上述第1区域(3a)形成在比沟槽(7)深的位置，上述第2区域(3b)以与沟槽的长度方向相同的方向作为长度方向并在多个沟槽之间分别与沟槽的侧面分离地配置，并且将第1区域和基底区域相连。此外，设为如下结构：通过离子注入构成第1区域和第2区域，并且构成由第1区域和第2区域重叠而得到的二重注入区域(3c)，在二重注入区域中具有第2杂质浓度的峰值。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]碳化硅单晶、碳化硅单晶晶片、碳化硅单晶外延晶片、电子器件-CN201680049110.4有效
发明人：冈本武志;近藤宏行;金村高司;宫原真一朗;海老原康裕;恩田正一;土田秀一;镰田功穗;田沼良平 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。
碳化硅晶片外延电子器件

[发明专利]半导体装置-CN201580061372.8有效
发明人：斋藤顺;永冈达司;青井佐智子;渡边行彦;宫原真一朗;金村高司 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。
半导体装置

[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法-CN201580068085.X有效
发明人：永冈达司;三宅裕树;宫原真一朗;青井佐智子 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。
肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201480071043.7有效
发明人：小野木淳士;宫原真一朗 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种能够抑制在沟槽内的绝缘层中产生裂纹或空隙的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有：沟槽(20)；栅极绝缘膜(22)，其覆盖沟槽(20)的内表面；栅电极(24)，其设置于栅极绝缘膜(22)的内侧。终端区(120)具有：终端沟槽(30)，其被配置于元件区(110)的周围；第一绝缘层(32b)，其覆盖终端沟槽(30)的内表面；第二绝缘层(34b)，其被形成于第一绝缘层(32b)的内侧，且被填充于终端沟槽(30)内。第一绝缘层(32b)的折射率大于第二绝缘层(34b)的折射率。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201680060502.0在审
发明人：熊泽辉显;宫原真一朗;青井佐智子 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2016-09-16 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体器件的方法，其包括形成层间绝缘。层间绝缘膜包括第一绝缘层和第二绝缘层。所述第一绝缘层覆盖每个栅极电极的上表面。所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上。在所述层间绝缘膜中沟槽之间的位置处设置有接触孔。然后，在低于所述第一绝缘层的软化温度且高于所述第二绝缘层的软化温度的温度下加热所述层间绝缘膜，以使所述第二绝缘层的表面成为曲面，从而使得所述第二绝缘层的端部的表面从对应的接触孔起倾斜，以便朝向对应的沟槽的中央向上移位。
绝缘层层间绝缘膜半导体器件接触孔软化绝缘层覆盖栅极电极上表面位置处移位加热绝缘制造

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201380041833.6有效
发明人：森本淳;宫原真一朗;山本敏雅;副岛成雅;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在具备具有沟槽栅结构(9)的纵型开关元件的碳化硅半导体装置的制造方法中，使用相对于(0001)面或(000－1)面具有偏轴角的衬底(1)，以使沟槽(6)的侧壁面朝向(11－20)面或(1－100)面的方式，将沟槽(6)从源区(4)的表面形成到将基区(3)贯通并到达漂移层(2)的深度，在上述沟槽(6)的形成后不进行牺牲氧化，形成栅氧化膜(7)。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201580066372.7在审
发明人：斋藤顺;小野木淳士;青井佐智子;宫原真一朗 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成在半导体基板(2)上的被覆绝缘膜(31)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。在第一部分(10)与第二部分(20)相邻的部分形成有台阶部(90)。在台阶部(90)的侧面与第二部分(20)的上表面之间的角部(40)形成有角部件(50)。角部件(50)的上表面(51)随着从台阶部(90)的侧面(92)朝向第二部分(20)侧而向下方下降。被覆绝缘膜(31)从第一部分(10)延伸至第二部分(20)，并覆盖角部件(50)。
半导体装置制造方法

[发明专利]开关元件-CN201580039069.8在审
发明人：添野明高;青井佐智子;宫原真一朗 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实现具有与底部绝缘层的下端部相接的p型区域的开关元件的高耐压特性。具有配置于沟槽(18)内的底部的底部绝缘层(20)和配置于比底部绝缘层(20)靠表面侧的位置的栅极电极(24)的开关元件。半导体基板(12)具有与栅极绝缘膜(22)相接的第一n型区域(30)、与栅极绝缘膜(22)相接的第一p型区域(32)、与底部绝缘层(20)的端部相接的第二p型区域(34)、以及使第二p型区域(34)与第一p型区域(32)分离的第二n型区域(36)。从第一p型区域(32)的背面侧端部到第二p型区域(34)的表面侧端部为止的距离A与从底部绝缘层(20)的背面侧端部到第二p型区域(34)的背面侧端部为止的距离B满足A＜4B的关系。
开关元件

[发明专利]二极管以及二极管的制造方法-CN201610211107.X在审
发明人：三宅裕树;永冈达司;宫原真一朗;青井佐智子 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管以及二极管的制造方法，该二极管使具有p型接触区和n型接触区的二极管的耐压提高。二极管具有：多个p型接触区，它们与阳极电极接触；n型接触区，其在相邻的两个p型接触区之间与阳极电极接触；阴极区，其被配置于p型接触区与n型接触区的背面侧，且与阴极电极接触。p型接触区具有：第一区域，其与阳极电极接触；第二区域，其被配置于第一区域的背面侧，并具有与第一区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度；第三区域，其被配置于第二区域的背面侧，并具有与第二区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度。所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。
二极管以及制造方法

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201610169667.3在审
发明人：杉本雅裕;渡边行彦;宫原真一朗 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管。在俯视观察半导体基板(20)的表面(23)时，源极区(11)和第一接触区(141)在与栅极沟槽(30)的侧面(301)相接的范围内，在沿着栅极沟槽(30)的方向上邻接形成，第二接触区(142)在远离栅极沟槽(30)的范围内，与源极区(11)和第一接触区(141)邻接形成。第一接触区(141)的杂质浓度与第二接触区(142)的杂质浓度相比较低。
金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201510811532.8在审
发明人：高谷秀史;朽木克博;青井佐智子;宫原真一朗 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善沟道长度与击穿电压的此消彼长的关系的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有在表面上形成有沟槽的半导体基板、沟槽内的栅绝缘层以及栅电极。在沟槽的侧面上形成有高低差。沟槽的侧面具有上部侧面、高低差的表面、下部侧面。半导体基板具有：第一导电型的第一区域，其在上部侧面处与栅绝缘层相接；第二导电型的体区，其以从与第一区域相接的位置跨至与高低差相比靠下侧的位置的方式而被配置，并且在第一区域的下侧的上部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的第二区域，其被配置于体区的下侧，并在下部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的侧部区域，其在高低差的表面处与栅绝缘层相接，并与第二区域相连。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]碳化硅半导体器件的制造方法-CN201280016150.0有效
发明人： 宫原真一朗;山本敏雅;高谷秀史;杉本雅裕;渡边行彦;副岛成雅;石川刚 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：一种碳化硅半导体器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底(1)上形成漂移层(2)；在所述漂移层(2)的表面部分上或表面部分中形成基极层(3)；在所述基极层(3)的表面部分中形成源极区(4)；形成沟槽(6)，以穿透所述基极层(3)并且到达所述漂移层(2)；在所述沟槽(6)中的所述栅极绝缘膜(7)上形成栅极电极(8)；形成电连接至所述源极区(4)和所述基极层(3)的源极电极(9)；以及在所述衬底(1)的背侧表面上形成漏极电极(11)。形成所述沟槽(6)包括：对衬底表面进行平坦化，并且在平坦化之后蚀刻以形成所述沟槽(6)。
碳化硅半导体器件制造方法

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