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[发明专利]一种VDMOS器件建模方法及模型-CN201910046974.6有效
发明人：卜建辉;宋李梅;王成成;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种VDMOS器件建模方法及模型，包括：建立包含漏端寄生电阻的VDMOS器件对应的子电路模型；引入一阶拟合系数、二阶拟合系数和耦合系数对所述漏端寄生电阻的值进行定义，获得所述漏端寄生电阻的值的定义函数；根据对所述VDMOS器件样本的测试数据与所述定义函数，获取包含所述一阶拟合系数、所述二阶拟合系数以及所述耦合系数的模型参数。本发明解决了目前缺乏标准的SPICE模型来精确的描述功率VDMOS器件中JFET电阻和漂移区电阻特性的问题。
一种 vdmos 器件建模方法模型

[发明专利]半导体器件的评估方法-CN201810799311.7有效
发明人：万宁;李科;丛密芳;任建伟;李永强;李浩;宋李梅;黄苒;赵博华;苏畅;杜寰 -专利权人：北京顿思集成电路设计有限责任公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件的评估方法，所述半导体器件包括衬底、以及位于所述衬底中的源区、漏区和沟道，所述方法包括如下步骤：获得半导体器件中寄生晶体管的二次击穿等效电路模型，其中，将源区、漏区和沟道分别等效为寄生晶体管的发射区、集电区和基区；根据寄生晶体管的二次击穿等效电路模型计算漏结电容；以及根据漏结电容评估所述半导体器件的可靠性。可根据所述漏结电容评估所述半导体器件抗驻波能力、抗浪涌能力以及防静电放电能力。
半导体器件评估方法

[发明专利]半导体器件的评估方法-CN201810799303.2有效
发明人：万宁;李科;丛密芳;任建伟;李永强;李浩;宋李梅;黄苒;赵博华;苏畅;杜寰 -专利权人：北京顿思集成电路设计有限责任公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件的评估方法，所述半导体器件包括衬底、以及位于所述衬底中的源区、漏区和沟道，所述方法包括如下步骤：获得半导体器件中寄生晶体管的二次击穿等效电路模型，其中，将源区、漏区和沟道分别等效为寄生晶体管的发射区、集电区和基区；根据寄生晶体管的二次击穿等效电路模型计算基区寄生电阻；以及根据基区寄生电阻评估所述半导体器件的可靠性。可根据所述基区寄生电阻评估所述半导体器件抗驻波能力、抗浪涌能力以及防静电放电能力。
半导体器件评估方法

[发明专利]一种阻抗匹配电路、射频电路及加热设备-CN202210530265.7在审
发明人：丛密芳;任建伟;李科;宋李梅;李永强;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗匹配电路、射频电路及加热设备，涉及电磁波技术领域，阻抗匹配电路包括：容性元件，容性元件用于接收射频信号；可调节电路，可调节电路与容性元件串联连接，可调节电路包括多个可变容性元件和多个可变感性元件，以通过调节多个可变容性元件和多个可变感性元件来调节可调节电路的阻抗。改进的阻抗匹配电路进一步提升匹配的可调范围，增强高频性能，在负载产生变化时，可以实现连续性调节，并且保持其精确度。
一种阻抗匹配电路射频加热设备

[发明专利]一种MOS栅控晶闸管-CN201811525422.5有效
发明人：胡飞;宋李梅;韩郑生;杜寰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS栅控晶闸管。所述MOS栅控晶闸管包括阴极、栅极和阳极三个电极，其中，所述栅极包括NMOS和PMOS，所述MOS栅控晶闸管还包括N‑P‑N‑P四层结构区和P+扩散区，其中，所述N‑P‑N‑P四层结构区包括N+阴极区、P基区、N型漂移区、N+缓冲层和P+阳极区，所述N型漂移区中靠近所述P+扩散区的区域内设置N型埋层。本发明能够抑制基极电阻控制晶闸管BRT和发射极开关晶闸管EST开启过程中的snapback现象，从而能够解决多元胞开启不一致问题，提高器件工作可靠性。
一种 mos 晶闸管

[发明专利]一种超结器件结构、器件及制备方法-CN201811477951.2有效
发明人：王琳;王立新;宋李梅;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种超结器件结构、器件及制备方法，其中所述超结器件结构，包括：衬底第一掺杂类型柱区、第二掺杂类型柱区、第一栅极、第二栅极以及第一引流区；所述第一掺杂类型柱区、所述第二掺杂类型柱区均设置在所述衬底上方，所述第二掺杂类型柱区位于两个所述第一掺杂类型柱区之间，所述第一栅极和所述第二栅极隔离，且分别设置在两个所述第一掺杂类型柱区的基区上方，所述第二掺杂类型柱区的顶端设置有用于引导电荷流向的第一引流区。本发明解决了现有技术在实现抗单粒子栅穿的同时带来的第一掺杂类型和第二掺杂类型柱区的电荷不平衡问题，提高了超结器件的动态特性，以及抗单粒子特性。
一种器件结构制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811613682.8有效
发明人：万宁;李科;丛密芳;任建伟;李永强;宋李梅;黄苒;赵博华;苏畅;李浩;黄振兴;杜寰 -专利权人：北京顿思集成电路设计有限责任公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；栅介质层，位于外延层上；栅极，位于栅介质层上；源区与漏区，分别位于栅极两侧；漂移区，位于外延层中，并与栅极的一侧相邻，漂移区与漏区位于栅极的同一侧；以及屏蔽环，至少覆盖漂移区与栅极相邻的部分，半导体器件还包括位于漂移区中的第一掺杂区，第一掺杂区与屏蔽环的位置对应，其中，衬底与外延层为第一掺杂类型，源区、漏区、漂移区、以及第一掺杂区为第二掺杂类型，第一掺杂区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度。该半导体器件通过在漂移区中设置第一掺杂区从而提高了半导体器件的击穿电压，同时降低了器件的导通电阻，优化了半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种双埋层MOS栅控晶闸管及制备方法-CN201910142423.X有效
发明人：胡飞;宋李梅;韩郑生;杜寰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明提供一种双埋层MOS栅控晶闸管及制备方法，所述双埋层MOS栅控晶闸管包括：衬底和漂移区；从下至上依次在漂移区中设置有双N埋层、表面结构；设置在表面结构上端面的阴极和栅极、以及衬底下端面的阳极。本发明能够提升器件开启速度、抑制基区电阻控制晶闸管(BRT)和发射极开关晶闸管(EST)开启过程中的snapback现象，解决多元胞开启不一致问题，缓解电流分布不均匀，提高器件开启可靠性。
一种双埋层 mos 晶闸管制备方法

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN201910149287.7有效
发明人：万宁;李科;丛密芳;任建伟;李永强;宋李梅;黄苒;赵博华;苏畅;李浩;黄振兴;杜寰 -专利权人：北京顿思集成电路设计有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种LDMOS器件及其制造方法，包括形成衬底以及位于衬底上方的外延层，衬底与外延层具有第一导电类型；在外延层中形成下沉区，下沉区至少部分接触衬底；在外延层中形成具有第一导电类型的埋层，埋层覆盖下沉区；在外延层上依次形成栅氧化层以及栅极；在栅极下方形成彼此靠近的具有第二导电类型的漂移区和第一导电类型的沟道区，漂移区远离下沉区；分别在沟道区形成源区，在漂移区形成漏区，源区通过下沉区与衬底连接，埋层形成于栅极靠近源区的一侧。本发明通过光刻注入一中等掺杂浓度的与沟道区导电类型一致的埋层，埋层位于沟道下方并覆盖下沉区，使得寄生晶体管内的基区电阻下降，避免了因寄生晶体管开启烧毁器件。
ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]平面螺旋电感及相应的宽带射频功率放大器内匹配电路-CN202111060838.6在审
发明人：任建伟;丛密芳;李科;李永强;宋李梅;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种平面螺旋电感，包括:衬底层；介质层，其形成于所述衬底层上；电感单元，其形成于所述介质层上，形成涡形螺旋线，所述螺旋电感线具有凹槽，本发明在在电感单元上设置凹槽，在不调整平面螺旋电感尺寸的前提下，有效提高了电感的品质因数，本发明还提供了一种宽带射频功率放大器内匹配电路。
平面螺旋电感相应宽带射频功率放大器匹配电路

[发明专利]螺旋电感的制备方法、螺旋电感及无源器件模块-CN202110979650.5在审
发明人：任建伟;李科;丛密芳;李永强;宋李梅;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺旋电感的制备方法、螺旋电感及无源器件模块，其中所述方法包括：提供衬底；在所述衬底的表面生长外延层，并在所述外延层的表面沉淀第一介质层；在所述第一介质层之上依次自下而上形成第一金属层、第二介质层、第二金属层和钝化层；在所述第一金属层和所述第二金属层中制备具备预设槽型的螺旋电感槽线。采用本发明，能解决现有技术中电感制造中存在的集成面积大、电感值小等技术问题。
螺旋电感制备方法无源器件模块

[发明专利]一种新型射频功率放大器内匹配电路-CN202111060855.X在审
发明人：任建伟;丛密芳;李科;李永强;宋李梅;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型射频功率放大器内匹配电路，包括：输入匹配单元，其能够接收并减少输入信号的损耗；射频晶体单元，其与所述输入匹配单元耦接，以对所述输入信号进行放大，并输出放大后的信号；输出匹配单元，其与所述射频晶体单元耦接，能够接收所述放大后的信号，经阻抗变换后进行选频，得到选频信号并输出，本发明在输出匹配单元内调整内匹配电路，能够在射频功率放大器的二次谐波点形成谐振，降低谐波点的功率性能，使基波处的性能达到最优，实现最大输出功率和最大效率。
一种新型射频功率放大器匹配电路

[发明专利]一种绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法-CN201910482149.0在审
发明人：胡飞;宋李梅;韩郑生;杜寰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法。包括：集电极结构，包括底部集电极，位于底部集电极上方的P++集电极区和位于P++集电极区上方的N+缓冲层；漂移区，位于N+缓冲层的上方，其中，漂移区中有超结结构，超结结构为沿着第三维z方向依次交替放置的多根第一掺杂立柱和多根第二掺杂立柱；表面结构，位于漂移区上方，其中，表面结构包括P基区、浮空P基区、设置在P基区中的沟槽栅极以及P+发射极区和N+发射极区、以及设置在浮空P基区、沟槽栅极和P+发射极区和N+发射极区上方的顶部发射极，其中，P+发射极区与N+发射极区交替放置在垂直于平面的第三维z方向上。本发明的IGBT结构能够抑制集电极偏置感应势垒降低效应，提升器件工作能力。
一种绝缘极性晶体管结构及其制备方法

[发明专利]基于SiC MOSFET器件并联使用的自动化分拣电路及自动化分拣方法-CN201810506631.9有效
发明人：孙茂友;宋李梅;周丽哲 -专利权人：江苏矽导集成科技有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SiC MOSFET器件并联使用的自动化分拣电路，供电单元一通过串联负载给器件漏极供电，电流监测单元一用于测量通过器件的电流，驱动单元一为器件提供所需的调制驱动；供电单元二通过恒流源给Q1供电，Q1的栅极与驱动单元二连接，电流监测单元二用于测量通过Q1的电流，驱动单元二为Q1提供驱动，与驱动单元一信号同步，电压监测单元一用于测量Q1漏极电压，电压监测单元二用于测量器件栅极驱动电压。并公开其自动化分拣方法。本发明采用隔离测量法测量导通阻抗，电路结构简单，监测电压始终为低压；采用双二极管背靠背连接法使二极管的前向导通压降一致；采用特定的极小结电容二极管，可使测量频率与实际工作频率相同，与事实高度符合。
基于 sic mosfet 器件并联使用自动化分拣电路方法

[发明专利]一种超结MOS晶体管-CN201610542698.9有效
发明人：孙博韬;王立新;张彦飞;肖超;宋李梅;丁艳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结MOS晶体管，其特征在于，包括：外延层，外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱；多个表面MOS结构，包括：P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，每个表面MOS结构的敏感区域均与P型立柱的中轴线错位；每个表面MOS结构的敏感区域均与N型立柱的中轴线错位；其中，敏感区域包括：栅氧化层与外延层交界的界面区域。本发明提供的晶体管，用以解决现有技术中SJ‑MOSFET应用在空间领域时，存在易出现SEB和SEGR，导致失效的技术问题。实现了单粒子辐射加固的效果，进而提高器件在空间应用时的可靠性的技术效果。
一种 mos 晶体管

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