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[发明专利]存储装置与防止意外的编程的方法-CN201710845487.7有效
发明人：池育德;洪哲民;曾仁洲;李介文;宋明相;李淑娟;周绍禹;苏郁迪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种存储装置包括存储电路及熔丝保护电路。所述存储电路包括存储单元及编程线。所述存储单元包括熔丝。所述编程线被配置成接收用于对所述熔丝进行编程的编程电压。所述熔丝保护电路耦合至所述存储电路并被配置成防止对所述熔丝进行意外的编程。一种防止对存储装置的存储单元的熔丝进行意外的编程的方法亦被提供。
存储装置防止意外编程方法

[发明专利]具静电放电防护的元件-CN201811203644.5在审
发明人：张子恒;陈国基;宋明相 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具静电放电防护的元件，包含集成电路，此集成电路包含单一标准元件，此单一标准元件选自用于集成电路的布局设计的标准元件库。单一标准元件包含第一主动区、第二主动区、第一栅极、第二栅极、与第三栅极。第一栅极设于第一主动区上方，以形成至少一第一静电放电(ESD)防护组件。第二栅极与第一栅极分开，且第二栅极设于第二主动区上方，以形成至少一第二静电放电防护组件。第三栅极与第一栅极和第二栅极分开，且第三栅极设于第一主动区与第二主动区上方，以形成至少一晶体管。
主动区单一标准集成电路静电放电防护静电放电防护组件标准元件布局设计防护组件静电放电晶体管

[发明专利]促进提高热传导性的半导体布置-CN201410032858.6有效
发明人： 宋明相;李介文;张伊锋;林文杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：半导体布置包括阱区和设置在阱区内的第一区域。第一区域包括第一导电类型。半导体布置包括在第一区域的第一侧上设置在阱区之上的第一栅极。第一栅极包括背离阱区的第一顶面。第一顶面具有第一顶面积。半导体布置包括设置在第一栅极之上的第一栅极接触件。第一栅极接触件包括朝向阱区的第一底面。第一底面具有第一底面积。第一底面积覆盖第一顶面积的至少约三分之二。本发明还提供了促进提高热传导性的半导体布置。
促进提高传导性半导体布置

[发明专利]静电放电测试结构-CN201611044428.1在审
发明人：张子恒;曾仁洲;宋明相 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种静电放电(ESD)测试结构包括位于第一管芯中的测量装置。所述静电放电测试结构进一步包括位于第二管芯中的熔断器。所述静电放电测试结构进一步包括多个接合件，将所述第一管芯电连接至所述第二管芯，其中所述多个接合件中的第一接合件将所述熔断器电连接至所述测量装置。
静电放电测试结构

[发明专利]改善的栅极间的外延生长-CN201310593960.9有效
发明人：林文杰;曾仁洲;宋明相 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路器件，包括生长在衬底上的至少两个外延生长有源区，有源区置于两个栅极器件之间。该器件还包括位于两个外延生长有源区之间的至少一个伪栅极。每个有源区的长度都大致相同。本发明还公开了改善的栅极间的外延生长。
改善栅极外延生长

[发明专利]具有非对称源极/漏极结构的FinFET及其制造方法-CN201310236958.6有效
发明人：曾祥仁;江庭玮;陈威宇;杨国男;宋明相;郭大鹏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例为一种半导体器件、一种FinFET器件以及一种形成FinFET器件的方法。一种实施例为一种半导体器件，包括在衬底上方延伸的第一半导体鳍、在第一半导体鳍上的第一源极区以及在第一半导体鳍上的第一漏极区。第一源极区具有第一宽度并且第一漏极区具有与第一宽度不同的第二宽度。本发明还公开了一种具有非对称源极/漏极结构的FinFET及其制造方法。
具有对称结构 finfet 及其制造方法

[发明专利]具有自对准互连件的半导体器件-CN201310061476.1有效
发明人：池育德;李介文;郭政雄;蔡宗哲;宋明相;宋弘政;王宏烵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底，该衬底包括金属氧化物器件。金属氧化物器件包括设置在衬底中并且在沟道区中界面连接的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区掺杂有第一类型掺杂剂。第一掺杂区具有不同于第二掺杂区的掺杂剂浓度。金属氧化物器件还包括横跨沟道区和第一掺杂区和第二掺杂区的界面并且分离源极区和漏极区的栅极结构。源极区形成在第一掺杂区中，并且漏极区形成在第二掺杂区中。源极区和漏极区掺杂有第二类型的掺杂剂。第二类型的掺杂剂与第一类型相反的掺杂剂。本发明还提供了具有自对准互连件的半导体器件。
具有对准互连半导体器件

[发明专利]具有栅极叠层的器件-CN201110368821.7有效
发明人：庄学理;宋明相;陈国基;朱鸣;陈柏年;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有栅极叠层的器件，该器件包括漏极、源极、以及栅极叠层。栅极叠层具有栅极介电层、直接位于栅极介电层顶部上的栅极导电层、以及直接位于栅极导电层的顶部上的第一栅极层和第二栅极层。第一栅极层的第一电阻高于第二栅极层的第二电阻。第二栅极层是导电的，与栅极导电层电连接，并且具有接触端，该接触端被配置为作为器件的栅极的接触端。还公开了该栅极叠层的制造方法。
具有栅极器件

[发明专利]用于射频发射机的静电放电电路-CN201110457091.8有效
发明人：林群佑;竹立炜;柯明道;蔡铭宪;洪彬舫;宋明相 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：一种用于射频发射机的静电放电电路，包括：可控硅整流器(SCR)，电耦合至功率放大器的输出；ESD检测电路，响应于在ESD总线上检测到静电放电来触发SCR；以及ESD箝位电路，耦合至第一电压线。
用于射频发射机静电放电电路

[发明专利]双向静电放电保护电路及相关的射频识别标签-CN201010521165.5有效
发明人：蔡铭宪;周淳朴;薛福隆;宋明相 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种双向静电放电保护电路及相关的射频识别标签，该电路包括一双向硅控整流器，形成在一基板中，双向硅控整流器包括一第一P型阱区及一第二P型阱区，位于一N型阱区的两侧；一深N型阱区，位于第一P型阱区、第二P型阱区及N型阱区之下；一第一N型区及一第二N型区，分别在第一P型阱区及第二P型阱区中，第一N型区及第二N型区分别耦接至一第一接垫及一第二接垫；以及一第一P型区及一第二P型区，分别在第一N型阱区及第二N型阱区中，第一P型区及第二P型区分别耦接至第一接垫及第二接垫，第一P型区及第二P型区分别较第一N型区及第二N型区接近N型阱区。本发明不受闩锁效应影响并且在射频识别标签正常运行下形同不存在。
双向静电放电保护电路相关射频识别标签

[发明专利]用于触发双重SCR ESD保护的电源箝位电路和方法-CN200910207135.4有效
发明人： 宋明相;李介文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明提供了用于触发双重SCR ESD保护的RC电源箝位电路的电路和方法。在集成电路中，保护焊垫连接到上SCR电路和下SCR电路；它们都连接到连接在正电源和接地电源之间的RC电源箝位电路。本发明公开了ESD保护的结构，其具有邻接第二导电类型的第二阱的第一导电类型的第一阱，形成p-n结的边界，和在电连接到焊垫端的每个阱中的焊垫接触扩散区；紧邻于焊垫接触扩散区且与焊垫接触扩散区电隔离的附加扩散区，上述扩散区、第一和第二阱形成两个SCR器件。在ESD事件中，通过由RC电源箝位电路注入各个阱的电流触发这些SCR器件。
用于触发双重 scr esd 保护电源箝位电路方法

[发明专利]智能卡芯片以及放置输入/输出焊盘的方法-CN200810002239.7有效
发明人： 宋明相 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-01-02 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：一种智能卡芯片以及放置输入/输出焊盘的方法，该智能卡芯片包括用于向智能卡读取器传送数据的多个电性接点。在一个实施例中，智能卡芯片包括核心电路以及对应于电性接点的多个输入/输出焊盘，其中输入/输出焊盘划分成至少一个第一列以及放置成与第一列直接相邻的第二列，使得第一列以及第二列形成丛聚。在另一个实施例中，八个输入/输出焊盘被划分成彼此直接相邻的两列。丛聚可被核心电路部分地包围。芯片还可包括静电放电网络，包括VDD以及GND总线，以改善静电放电保护而减少芯片的尺寸。本发明能够大幅减少芯片尺寸，而仍然提供极佳的静电放电功能，并且不限定芯片内丛聚的配置；此外，本发明能够容易地与芯片内电压稳压器整合。
智能卡芯片以及放置输入输出方法

[发明专利]静电放电防护装置与其制造方法-CN200510093816.4有效
发明人：吴宜勋;游国丰;李建兴;翁烔城;李淑娟;宋明相;黄绍璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明是有关于一种静电放电防护装置与其制造方法。在实施例中，静电放电防护装置至少包括形成在基材中的齐纳二极管以及形成相邻于齐纳二极管的N型金氧半导体装置。齐纳二极管具有两个掺杂区、位于两个掺杂区之间的具有接地电位的闸极以及形成在基材中的两个轻掺杂汲极特征。轻掺杂汲极特征的其中之一者是位于两个掺杂区的每一者与闸极之间。NMOS装置至少包括形成于基板中的源极与汲极以及位于源极与汲极之间的第二闸极。
静电放电防护装置与其制造方法

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