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[发明专利]一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管-CN201910459149.9有效
发明人： 宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;王栋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底区；漂移层，位于N+衬底区上，漂移层的表面至少包括两个沟槽及相邻两个沟槽之间的一个凸起结构；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽底部P型区位于沟槽底部下方，沟槽侧壁P型区位于凸起结构下方；金属层，包括：第一部分金属层和第二部分金属层，所述第一部分金属层与一部分所述漂移层形成肖特基接触，所述第二部分金属层与所述P型区形成欧姆接触；第一部分阳极，位于肖特基接触、欧姆接触的表面。本发明采用沟槽底部P型区与沟槽侧壁P型区的半沟槽离子注入的混合结构，使导通电阻减小，从而提高器件的性能及可靠性。
一种沟槽离子注入混合 pin 肖特基二极管

[发明专利]一种多组分网状壳体相变微胶囊及其制备方法-CN201811504387.9有效
发明人：陆少锋;宋庆文;辛成;邵景峰;肖超鹏 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C08G18/75 文献下载
摘要：本发明公开的多组分网状壳体相变微胶囊，其囊芯为低熔点的脂肪酸酯或石蜡烃类化合物；囊壁为多元异氰酸酯分别于与多元胺、油溶性多元醇和水溶性多元醇反应形成具有聚脲聚氨酯多组分网状结构的树脂。本发明还公开该相变微胶囊的制备方法，包括：将油相和水相介质溶液乳化处理，加入水溶性多元胺，然后升温反应，最后加入水溶性多元醇保温反应即得。本发明从界面内部引入了单体之间的反应形成壳体，促使反应单体在反应结束时单体反应完全；采用脂肪族异氟尔酮二异氰酸酯分别与二乙烯三胺、分子量较大的油溶性聚丙二醇和水溶性多元醇进行反应，制备出具有多组分网状壳体相变微胶囊，该微胶囊囊壁的交联密度增高，从而增强了囊壁的致密性和稳定性。
一种组分网状壳体相变微胶囊及其制备方法

[实用新型]基于公交刷卡器的驾驶员认证装置-CN202022916303.1有效
发明人： 宋庆文;许福元;戴林胜;郑之旭 -专利权人：成都市公共交通集团有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G07C9/22 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于公交刷卡器的驾驶员认证装置，属于控制技术领域，包括RS485信号源、RS485芯片、继电器匹配单元以及继电器，RS485芯片与RS485信号源电性连接，继电器匹配单元与RS485芯片电性连接，继电器与继电器匹配单元电性连接。利用这样的一种基于公交刷卡器的驾驶员认证装置，实现了控制车辆非正常启动，避免了公交车辆在结束运营后停放时被社会人员启动导致社会危害；根据车辆所属车队的不同，实现只能本车队人员方可启动车辆，方便了归属化管理。
基于公交刷卡驾驶员认证装置

[实用新型]一种调节汽车发动机台架试验环境的智能控制系统-CN202021705424.5有效
发明人：张阳;时敬龙;李根;刁旭;徐宁宁;冯朋朋;宋庆文;刘子鸣;王学双;徐亮 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G05D27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种调节汽车发动机台架试验环境的智能控制系统，包括：环境舱；分别安装在环境舱进风口和出风口的新风阀和排风阀；分别安装在环境舱内单向循环气路上游和下游的变频送风机与变频回风机；安装在变频送风机上游的制冷单元、加热单元和加湿单元；安装在环境舱内的温度传感器、湿度传感器和环境压力传感器；信号输入端分别与温度传感器、湿度传感器和环境压力传感器相连，且信号输出端分别与新风、排风阀、变频送风机、变频回风机、制冷单元控制器、加热单元控制端和加湿单元控制器相连的单片机。本实用新型可有效地对环境温度、压力及湿度进行精确控制，保证了发动机试验开发在符合要求的环境温度、压力及湿度下顺利进行。
一种调节汽车发动机台架试验环境智能控制系统

[发明专利]碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN201710445261.8有效
发明人： 宋庆文;肖莉;王梁永;贾一凡;曾福林;张玉明 -专利权人：中兴通讯股份有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管自下而上依次包括：漏极金属、N+衬底、N‑漂移层、P阱、结型场效应管JFET区域、N+源区、P+接触区、复合栅介质、源极金属和栅极，所述复合栅介质由High‑K介质与SiO2介质横向分布构成。本发明由High‑K介质与SiO2介质的横向分布构成复合栅介质，降低了SiC MOSFET界面陷阱的密度，提升了沟道迁移率，提高了器件的正向导通能力，以减小功率损耗，此外，本发明采用淀积的方式生长复合栅介质的氧化层，使得氧化层的生长速度得到提高，从而降低了工艺成本。
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]一种高分子材料3D打印机-CN202021239381.6有效
发明人：林广义;李巧;王宏;渠广凯;魏玉展;程玉新;李志伟;宋庆文;韩雪敏;储绍清 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： B29C64/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及高分子材料加工机械领域，具体是一种高分子材料3D打印机，包括挤出装置、振动装置、打印装置，本发明使用螺杆对胶料进行剪切和挤压，将胶料加工至熔融状态，挤出装置头部连接振动装置，振动装置通过连杆机构产生周期性的振动，使胶料呈现出一种喷射的状态，喷射到打印装置的动平台上，分层完成整个零件的打印。
一种高分子材料打印机

[发明专利]一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管-CN201910459108.X有效
发明人： 宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;王栋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底层；漂移层，位于N+衬底层上；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽侧壁P型区侧边与沟槽第一侧壁、沟槽底部P型区侧边贴合；二氧化硅层，包括：纵向二氧化硅层和横向二氧化硅层，横向二氧化硅层设置沟槽上，与沟槽第二侧壁贴合，纵向二氧化硅层设置横向二氧化硅层上，与沟槽第二侧壁贴合；金属层，位于漂移层表面、P型区、二氧化硅层上，部分金属层与二氧化硅层、漂移层形成金属氧化物半导体；金属区域，位于金属层表面。本发明采用P型区半沟槽结构，且在二氧化硅层形成金属氧化物半导体，在正向导通电阻减小的同时，漏电流减小，击穿特性改善。
一种集成金属氧化物半导体混合 pin 肖特基二极管

[发明专利]一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管-CN201910459150.1有效
发明人： 宋庆文;王栋;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底区；漂移层，位于N+衬底区上；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽侧壁P型区第一侧边与沟槽第一侧壁、沟槽底部P型区第一侧边贴合，沟槽底部P型区顶端、沟槽侧壁P型区顶端分别与沟槽底部、凸起结构底部贴合；金属层，位于沟槽与凸起结构表面，金属层包括：第一金属层部分和第二金属层部分，第一金属层部分与P型区表面形成欧姆接触区，第二金属层部分与漂移层表面形成肖特基接触区；第一部分阳极，位于金属层的表面。本发明采用P型区的混合结构，并增加第二肖特基接触，增大肖特基接触面积，使器件在正向导通下，电流密度增大，同时导通电阻减小。
一种改善正向特性混合 pin 肖特基二极管

[发明专利]一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管及其制备方法-CN201911066932.5有效
发明人：元磊;杨柳;汤晓燕;宋庆文;张艺蒙;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、P+短路区(6)、N+阳极区(7)、P‑漂移区(8)、N‑漂移区(9)、缓冲层(10)、衬底(11)以及阴极接触金属(12)。本发明通过引入双MOS栅结构，将器件的驱动控制从传统的电流型转变为电压型，有利于前端控制电路的设计、实现以及功耗的降低；且开启栅和关断栅独立工作，分别控制器件的开启和关断，有利于器件在开关或脉冲工作状态下的快速导通和关断，可以显著提高器件的工作频率。
一种基于 mos 碳化硅晶闸管及其制备方法

[发明专利]一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管及其制备方法-CN201911067748.2有效
发明人：汤晓燕;周腾鹏;元磊;宋庆文;张艺蒙;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、N+短路区(6)、P+阳极区(7)、N‑漂移区(8)、P‑漂移区(9)、缓冲层(10)、衬底(11)以及阴极接触金属(12)。本发明通过引入双MOS栅结构，将器件的驱动控制从传统的电流型转变为电压型，有利于前端控制电路的设计、实现以及功耗的降低；且开启栅和关断栅独立工作，分别控制器件的开启和关断，有利于器件在开关或脉冲工作状态下的快速导通和关断，可以显著提高器件的工作频率。
一种基于 mos 碳化硅晶闸管及其制备方法

[实用新型]一种拆卸工具-CN202020957983.9有效
发明人：孙照伟;唐龙剑;王俊强;姜传旭;刘文强;马天龙;贾鹏伟;王海城;宋庆文;马云杰;谢凯;李永胜;赵斌;未国昊;赵磊;孙天英;迂万利 -专利权人：一汽-大众汽车有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： B25B27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种拆卸工具，属于汽车零部件技术领域。所述拆卸工具，包括第一拆卸部、第二拆卸部和主体部，所述第一拆卸部位于所述主体部的一端，所述第二拆卸部位于所述主体部的另一端，所述第一拆卸部为勾形结构，所述第二拆卸部为扇形结构。本实用新型通过特定的结构设置，使得能够适应相应汽车内外饰零部件结构，拆卸起来更方便，提高了拆卸效率及其维修效率，并且不容易发生汽车内外饰零件拆装衍生损坏、维修人员被零件划伤等问题。
一种拆卸工具

[发明专利]碳化硅器件及其制备方法-CN201910755009.6在审
发明人：袁昊;肖莉;王梁永;宋庆文;周显华;何艳静 -专利权人：中兴通讯股份有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了碳化硅器件及其制备方法。碳化硅器件包括：碳化硅衬底；设置于碳化硅衬底表面的外延层；设置于外延层内的P型源区浮动结；设置于外延层内，并与P型源区浮动结在纵向上处于相同高度的P型终端区浮动结；嵌入外延层上表面的终端区；其中，P型终端区浮动结包括在横向上设置的至少三个不连续的P型结构，并且相邻P型结构之间的间距中，至少包括第一间距和与第一间距不等的第二间距。由于P型终端区浮动结中包括在横向上设置的至少三个不连续的P型结构，相邻P型结构之间的间距中至少包括第一间距和与所述第一间距不等的第二间距，并且沿横向后一个间距大于或等于前一个间距，从而能够有效减小器件面积。
碳化硅器件及其制备方法

[实用新型]一种汽车线束插头的拆卸工具-CN202020957629.6有效
发明人：孙照伟;唐龙剑;王俊强;姜传旭;刘文强;马天龙;贾鹏伟;王海城;宋庆文;马云杰;谢凯;李永胜;赵斌;未国昊;赵磊;孙天英;迂万利 -专利权人：一汽-大众汽车有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01R43/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车线束插头的拆卸工具，属于汽车零部件技术领域。所述汽车线束插头的拆卸工具包括卡槽部和把手部，所述卡槽部位于所述拆卸工具端部，所述卡槽部包括卡槽内壁，所述卡槽内壁具有与汽车线束插头相卡合的匹配形状。本实用新型提供的汽车线束插头的拆卸工具，通过特定的结构设置，使得能够适应汽车线束插头结构的拆装，拆卸起来更方便省力，提高了拆卸效率及其维修效率，并且不容易发生车后门线束总插头损坏等问题。
一种汽车插头拆卸工具

[发明专利]一种碳化硅功率器件终端区表面钝化方法-CN202011036141.0在审
发明人：李锡光;袁昊;徐海波;何艳静;胡彦飞;阳志超;宋庆文;汤晓燕;郭辉 -专利权人：东莞南方半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件终端区表面钝化方法，包括：在碳化硅材料表面形成终端区；在所述碳化硅材料表面形成Si原子层；采用热氧化工艺在所述碳化硅材料表面形成SiO2薄膜；光刻所述SiO2薄膜以形成器件终端区钝化层。本发明提供的碳化硅功率器件终端区表面钝化方法可有效屏蔽现有钝化工艺引入的界面态、界面陷阱、界面电荷等缺陷对SiC功率器件终端性能的影响，提升了器件终端区钝化层的质量，进而提升了器件性能。
一种碳化硅功率器件终端表面钝化方法

[实用新型]发动机离线对中装置-CN202020864755.7有效
发明人：张程;贺红伟;闫涛;张文韬;邵福明;张阳;李根;施伟龙;刘铮;陶丹;宋庆文;马万庆 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01M15/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及发动机台架试验领域，尤其涉及一种发动机离线对中装置，包括基轴、接收基座和发动机快换装置。接收基座被配置为其与基轴的相对位置与试验台架上的发动机接收器与测功机的输入轴的相对位置相同；发动机快换装置包括发动机和调节机构。发动机的输出端与基轴连接，调节机构，调节机构设置于接收基座上，调节机构与发动机的壳体连接，调节机构用于调节发动机的位置，进而调节发动机的输出端和基轴的同轴度。本实用新型实现发动机在试验室外与测功机离线对中。整体结构简单，操作方便，提高试验设备利用率及试验效率，节省试验成本。
发动机离线装置