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[发明专利]一种基于边缘计算的火电厂辅机振动分析方法及系统-CN202310636520.0在审
发明人：孟旸;刘晓东;黄生文;张喜方;宋凯霖;程钢;赵学锋;王益飞 -专利权人：北京京能电力股份有限公司;河北涿州京源热电有限责任公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F18/241 文献下载
摘要：本发明属于火电领域，尤其涉及一种基于边缘计算的火电厂辅机振动分析方法，其中，该方法包括：收集火电厂辅机可能出现故障案例信息，对案例中所包含的故障特征参数对故障进行分类；构建专家系统知识库，对不同的故障分类建立相关词条，储存在专家系统的知识库中；建立逻辑推理语句，推理机通过逻辑关系对不同特征故障进行诊断；将诊断结果发送到服务器，服务器通过人机接口对用户展示。该方法可靠性高、占用资源少，能有效缓解服务器的运算压力，同时，火电厂辅机发生故障后可以及时检测和报警，避免事后检测带来的经济损失。
一种基于边缘计算火电厂振动分析方法系统

[实用新型]一种基于图像识别的火电厂辅机振动校准装置-CN202321149206.1有效
发明人：孟旸;刘晓东;黄生文;张喜方;宋凯霖;程钢;赵学锋;王益飞 -专利权人：北京京能电力股份有限公司;河北涿州京源热电有限责任公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：本实用新型属于机械振动的测量技术领域，具体涉及一种基于图像识别的火电厂辅机振动校准装置，包括：固定基座、磁力吸附座和万向调节臂，万向调节臂两端连接固定基座和磁力吸附座，固定基座为图像拍摄处理工作台，固定基座台面上固定图像装置，其装置包括监控相机、图像处理模块和无线通讯模块，图像处理模块处于底部，模块上表面固定有监控相机和无线通讯模块；磁力吸附座任意侧边通过磁力吸附振动就地指示柜，指示柜任意侧边装有显示振动数值画面的振动显示面板，监控相机将画面实时传输到图像处理模块，图像经由处理后通过无线通讯模块传送到集控室，用于TSI系统振动校准。本实用新型解决了辅机振动和就地显示的振动数值存在偏差的问题。
一种基于图像识别火电厂振动校准装置

[外观设计]智能培训机-CN202230834342.9有效
发明人：白云川;卜群杰;刘金强;张安堃;董树伟;孟旸;李维悦;宋凯霖;张谦;贺建新 -专利权人：河北涿州京源热电有限责任公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： 19-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：智能培训机。2.本外观设计产品的用途：用于对生产人员操作智能设备的安全培训。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
智能培训

[发明专利]采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件-CN202111225386.2在审
发明人：关世瑛;洪旭峰;严利人;刘志弘;宋凯霖;王锰 -专利权人：上海芯石半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件，与传统的离子注入形成阱区的工艺相比，掺杂杂质分布的均匀性大大提升，因而进一步带来器件特性上的提高，突出表现在更好的开启电压均匀性，更好的导电通道电阻值的稳定性、可重复性，更低的沟道区噪声，等等，故此本发明方案的采用，就成为了SiC MOS器件生产制造中产品良率，片内片间的均匀性、可重复性等，本发明的有益效果为，采用外延的方式得到器件的基本结构，即阱区，因为阱区掺杂杂质的分布的均匀性得到了提升和保证，对于器件的正向和反向特性就都带来了益处；突出表现为SiC MOS器件具备更好的开启电压均匀性，更好的导电沟道的稳定性、可重复性，更低的噪声，更好的漏电和击穿特性。
采用外延工艺方案 sic mosfet 器件

[实用新型]一种高耐压的晶体管器件-CN202021347357.4有效
发明人：洪旭峰;宋凯霖 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高耐压的晶体管器件，包括晶体管本体，所述晶体管本体外侧匹配有散热绝缘硅胶外管，所述散热绝缘硅胶外管侧壁及顶部均均匀设有若干散热孔，所述散热绝缘硅胶外管内部均匀设有若干散热绝缘硅胶软柱，所述散热绝缘硅胶外管顶部设有一组散热绝缘硅胶直柱，所述散热绝缘硅胶直柱连接也有弧形软胶，所述散热绝缘硅胶外管一体连接有锥形筒，所述锥形筒内壁设有螺纹槽，所述锥形筒匹配有锥形胶塞，所述锥形胶塞设有与螺纹槽匹配的锥螺纹，所述锥形胶塞开设有让孔，所述让孔直径尺寸小于晶体管本体直径尺寸，所述锥形胶塞一体连接有固定盘。
一种耐压晶体管器件

[实用新型]一种用于IGBT器件的压紧装置-CN202021347362.5有效
发明人： 宋凯霖;王金秋 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于IGBT器件的压紧装置，包括底座，底座表面两侧连接有立柱，立柱顶部连接有盖板，盖板设有螺纹孔，螺纹孔内连接有螺纹杆，螺纹杆上侧连接有旋转盘，螺纹杆下侧连接有按压块，螺纹杆下侧连接有轴承，按压块的一侧连接有导向块，导向块滑动连接有导向杆，底座中心位置设有凹槽，凹槽的四个角落连接有弹簧，弹簧的自由端连接有承板，承板底部两侧连接有推板，凹槽在推板的下侧连接有第一推块，第一推块连接有第一推杆，第一推杆的另一侧连接有第二推块，底座在第二推块上侧滑动连接有导向推块，导向推块的上侧连接有第三推块，第三推块连接有第二推杆，第二推杆连接有挤压块，挤压块安装在凹槽的侧壁。
一种用于 igbt 器件压紧装置

[发明专利]一种封装免焊片的肖特基势垒二极管芯片制备方法-CN201210409003.1无效
发明人：洪旭峰;宋凯霖 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装免焊片的肖特基势垒二极管芯片制备方法，该二极管的结构为：以N型半导体材料为基片，在上面形成N-外延层，阳极与阴极均为金属材料；其制备包括：改变现有肖特基势垒二极管芯片的阴阳极焊接层金属类别。本发明制备方法简单，提高肖特基二极管芯片封装厂的封装良率与生产效率，同时减少封装厂的生产成本。
一种封装免焊片肖特基势垒二极管芯片制备方法

[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其制备方法-CN200910050995.1无效
发明人：杨忠武;宋凯霖;洪旭峰;任宏志 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，该二极管的结构为：以N型半导体为基片，在上面形成N-外延层，阳极为(阻档层)金属材料；其制备包括：在硅外延片和金属之间用75度清洗试剂清洗10-30分钟生长一层薄氧化层，氧化层厚度在，然后溅射或蒸发金属，合金形成硅化物，作为势垒层，从而形成了肖特基势垒二极管。本发明制备方法简单，在低成本的条件下，通过薄氧化层的参与，降低了势垒高度，高效率的制备得到低正向压降的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本发明二极管的应用范围更为广泛。
一种肖特基势垒二极管及其制备方法

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