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[发明专利]半导体存储装置-CN201310014875.2有效
发明人：李明珍;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储装置及其驱动方法。所述半导体存储装置包括：主字线译码器，配置成对行地址的较高位进行译码，以生成主字线选择信号；子字线选择线译码器，配置成对所述行地址中比所述较高位低的所述行地址的位进行译码，以生成子字线选择信号；主字线驱动器，配置成响应于所述主字线选择信号而驱动多条主字线；子字线选择线驱动器，配置成响应于所述子字线选择信号而驱动多条子字线选择线；子字线关断电压线驱动器，配置成响应于所述子字线选择信号或所述主字线选择信号而利用不同的电压电平来驱动多条子字线关断电压线；子字线驱动器，配置成响应于所述主字线、所述子字线选择线和所述子字线关断电压线上的信号来驱动多条子字线。
半导体存储装置

[发明专利]用于半导体装置中的数据输入缓冲器-CN200510114947.6无效
发明人：姜熙福;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-11-16 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：提供一种使用于半导体装置中的数据输入缓冲器，能够在非对称数据模式传输中传输弱数据的周期期间确保数据电平检测容限。在传输强数据的周期期间向着强数据方向预先调整输入检测参考电平。由此，在传输弱数据的下一周期期间，数据输入缓冲器可确保数据电平检测的充分容限。因此，该数据输入缓冲器可强健地抵抗数据输入噪声。同时，可调整流过数据输入单元和参考电压输入单元的电流，以上拉/下拉实质的输入检测参考电平，而无需改变恒定的参考电压。
用于半导体装置中的数据输入缓冲器

[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法-CN200910170941.9有效
发明人：李明珍;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储装置及其驱动方法。所述半导体存储装置包括：多条字线；和驱动器，配置成当所述多条字线中的字线由激活命令所激活时，在激活的字线被驱动至高电压电平的时间段期间利用不同的字线驱动电压电平来驱动与激活的字线相邻的至少一条未激活的字线和剩余的未激活的字线。
半导体存储装置及其驱动方法

[发明专利]非易失性动态随机存取存储设备-CN200910128114.3无效
发明人： 安进弘;洪祥熏;朴荣俊;李相敦;金一旭;裵基铉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-08-18 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一种用于控制单位单元的非易失性动态随机存取存储器，包括：用于接收外部电压和产生具有各不同电平的多个内部电压的内部电压产生器；用于将多个内部电压的其中之一供应到字线、位线和电容器板线的开关模块；及用于控制开关模块的模式控制器。
非易失性动态随机存取存储设备

[发明专利]数据存取时间降低的半导体存储装置-CN200810190311.3有效
发明人： 安进弘;洪祥熏;金世俊;高在范 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-10-29 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：一种数据存取时间降低的半导体存储装置，包括：多个单元块；第一全局位线读出放大器块；第二全局位线读出放大器块；第一全局位线连接单元，响应于第一控制信号，有选择地将第一单元块的第二局部位线读出放大器块连接至第二全局位线读出放大器块，或者是将第二单元块的第一局部位线读出放大器块连接至第一全局位线读出放大器块；第二全局位线连接单元，在响应第二控制信号的情况下，有选择地将第三单元块的第二局部位线读出放大器块连接至第二全局位线读出放大器块，或者是将第四单元块的第一局部位线读出放大器块连接至第一全局位线读出放大器块；控制装置，产生控制信号来控制对锁存在第一及第二全局位线读出放大器块中的数据的存储操作。
数据存取时间降低半导体存储装置

[发明专利]相变存储器件-CN200810126338.6无效
发明人：姜熙福;安进弘;洪锡敬 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种相变存储器件包括在行方向上布置的多条字线和在列方向上布置的多条位线。在列方向上布置多条参考位线和多条钳位位线。在字线和位线相交之处布置包括相变电阻单元的单元阵列块。在字线和参考位线相交之处形成参考单元阵列块。参考单元阵列块被配置为输出参考电流。在字线和钳位位线相交之处形成钳位单元阵列块。钳位单元阵列块被配置为输出钳位电流。读出放大器连接到每条位线并被配置为接收钳位电压和参考电压。
相变存储器件

[发明专利]具有嵌入式基于FeRAM的RFID的集成电路-CN200680031772.5有效
发明人：姜熙福;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G06K19/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路(IC)(100)，包括：高电容固态电路区域，其被配置为执行预定操作；RFID块(104)，其包括用于存储数据的FeRAM块(910)；以及接口单元，其被配置为向RFID块传送外部提供的用于以无线方式识别IC的特有ID，所述特有ID存储在FeRAM块中。IC还包括导电迹线，其延伸通过IC的预定区域，所述导电迹线被配置作为RFID块的天线，其中RFID块被配置为经由所述天线接收并传输信息至外部源。
具有嵌入式基于 feram rfid 集成电路

[发明专利]半导体存储器件的自刷新操作-CN200710096574.3无效
发明人： 安进弘;郑奉华;金生焕;秋新镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-04-16 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种用于驱动半导体存储器件的方法，包括：初始化与在单元阵列中包括的每个对应行的刷新时间相对应的第一数据；在进入自刷新模式之后，存储与在第一行中包括的列数据相对应的第二数据；通过检测第一行的刷新时间而设置与第一行相对应的第一数据，同时，在预定刷新循环中，根据基于对应的第一数据而选择的刷新周期，而对单元阵列中的其它行执行刷新操作，其中，在预定刷新循环期间，不对第一行执行刷新操作；向第一行恢复第二数据；以及对于其它行而重复以上步骤，由此设置对应的第一数据，直至对所有行完成了设置步骤、或自刷新模式期满。
半导体存储器件刷新操作

[发明专利]包括失效单元校正电路的非易失性铁电存储器装置-CN200610005871.8无效
发明人：姜熙福;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明揭示一种包括失效单元校正电路以便有效地处理随机分布的单元数据的非易失性铁电存储器装置。该非易失性铁电存储器装置检查主存储器单元阵列的水平奇偶且将该奇偶储存于水平奇偶校验单元阵列中，并检查主存储器单元阵列的垂直奇偶且将该奇偶储存于垂直奇偶校验单元阵列中。然后，将储存于该水平奇偶校验单元阵列与该垂直奇偶校验单元阵列中的编码数据与该主存储器单元的感测数据相比较，以校正错误数据。因此，校正在预定行内随机产生的1位故障。
包括失效单元校正电路非易失性铁电存储器装置

[发明专利]半导体设备中的输出驱动器-CN200510114949.5无效
发明人：姜熙福;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-11-16 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种半导体设备的输出驱动器，在数据传输中去除码间干扰噪声以实现信号完整性，其包括：主驱动器，用于驱动输出端子；以及支持驱动器，用于控制码间干扰噪声。所述支持驱动器被提供有：上拉支持驱动器，用于通过检测输出数据的传输模式而上拉所述输出端子；及下拉支持驱动器，用于通过检测输出数据的传输模式而下拉所述输出端子。
半导体设备中的输出驱动器

[发明专利]低电压半导体存储器装置-CN200510074995.7无效
发明人：姜熙福;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-06-06 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种具有用于读取或储存数据的单元阵列区域的半导体存储器装置，其包括：包括多个普通单元的普通单元块，每个普通单元耦接至用于储存数据的位线和杠位线之一；以及包括多个参考单元部件的参考单元块，每个参考单元部件包括参考电容器、用于将该参考电容器的第一端子连接至该位线的第一参考晶体管、用于将该参考电容器的第一端子连接至该杠位线的第二参考晶体管、以及连接至参考电压以将该参考电压供应至该参考电容器的第一端子的第三参考晶体管。
电压半导体存储器装置

[发明专利]用于低功率系统的半导体存储器装置-CN200510085350.3无效
发明人：姜熙福;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：一种包含于半导体存储器装置中之设备，用以对位线和位线杠预充电，并感测及放大递送至该位线和位线杠之一的数据，所述设备包括：预充电装置，用以将所述位线和位线杠预充电为地；感测放大装置，用以通过使用一低电压和一高电压来感测并放大所述数据，所述低电压具有低于地之电压电平，并且所述高电压具有高于供应电压之电压电平；以及辅助感测放大装置，其耦合至所述位线和位线杠，用以控制该位线和位线杠的每个电压电平。
用于功率系统半导体存储器装置

[发明专利]具有片上终结电路的半导体存储器装置-CN200510070696.6无效
发明人：姜熙福;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-05-18 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： G11C11/4093 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，其具有连接到数据输入节点的数据输入/输出垫，包括：片上终结电阻器，其一端被连接到该数据输入节点；以及开关，其一端被连接到该片上终结电阻器另外一端，用以使该片上终结电阻器与片上终结电压连接/断开。
具有终结电路半导体存储器装置

[发明专利]用于低功率系统的半导体存储器装置-CN200510082615.4有效
发明人：姜熙福;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：一种用以响应于所输入之地址及命令来输出或存储数据之半导体存储器装置，包含：第一单元阵列，用以输出所述数据至位线及位线杠之一；第一基准单元块，用以输出基准信号至所述位线及位线杠的另一个；感测放大块，用以感测及放大所述位线与位线杠之间的电压差；以及浮置控制块，用以在预充电命令信号被激励时，浮置所述位线及位线杠。
用于功率系统半导体存储器装置

[发明专利]用于低功率系统之半导体存储器装置-CN200410081794.5有效
发明人：姜熙福;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：一种包含于半导体存储器装置中之设备，用以预充电一位线及一位线杠以及感测及放大传送至该位线及该位线杠中之一的数据，包括：一预充电块，用以预充电该位线及该位线杠成为一接地电位；以及一感测放大块，用以藉由使用具有低于该接地电位之电压电平的低电压及具有高于一电源电压之电压电平的高电压来感测及放大该数据。
用于功率系统半导体存储器装置

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