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[发明专利]形成用于沉积磁隧道结的极平滑底电极表面的方法-CN201780063458.3有效
发明人：薛林;萨贾德·阿明·哈桑;马亨德拉·帕卡拉;安在洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：提供一种工艺序列以提供用于在其上沉积磁隧道结的极平滑(0.2nm或更小)底电极表面。在一个实施方式中，此序列包括通过体层沉积接着图案化并蚀刻而形成底电极焊盘。氧化物接着沉积在形成的底电极焊盘上方且被向后抛光以暴露底电极焊盘。接在预清洁操作后，底电极缓冲层接着沉积在其上方。底电极缓冲层接着暴露于CMP工艺以改良表面粗糙度。接着在底电极缓冲层上方执行MTJ沉积。
形成用于沉积隧道平滑电极表面方法

[发明专利]用于侧向硬模凹槽减小的混合碳硬模-CN202310649955.9在审
发明人：托马斯·琼万·权;程睿;阿布海杰特•巴苏•马利克;平尔萱;安在洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。
用于侧向凹槽减小混合碳硬模

[发明专利]用于侧向硬模凹槽减小的混合碳硬模-CN201780006952.6有效
发明人：托马斯·琼万·权;程睿;阿布海杰特·巴苏·马利克;平尔萱;安在洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。
用于侧向凹槽减小混合碳硬模

[发明专利]用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法-CN202111107385.8在审
发明人：薛林;安在洙;M·帕卡拉;程志康;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。
用于形成 mram 应用使用具有期望结晶度结构方法

[发明专利]用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法-CN201610554216.1有效
发明人：薛林;安在洙;M·帕卡拉;程志康;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。
用于形成 mram 应用使用具有期望结晶度结构方法

[发明专利]磁性存储器装置及形成方法-CN202080013786.4在审
发明人：薛林;朴赞道;安在洙;曾信伟;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开内容的实施方案大体上涉及于一种存储器装置。更具体地，本文描述的实施方案大体上涉及SOT‑MRAM。SOT‑MRAM包括具有磁性储存层的存储器单元，该磁性储存层与SOT层并排设置并接触SOT层。并排的磁性储存层和SOT层可通过使流过SOT层的电流的方向反转来实现磁性储存层的切换，而无需任何附加条件。
磁性存储器装置形成方法

[发明专利]用于存储器应用的垂直晶体管制造-CN202080012010.0在审
发明人： 安在洙;托马斯·权;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供用于形成具有准确的轮廓和针对制造三维(3D)堆叠存储器单元半导体装置的尺寸控制的阶梯状结构的设备和方法。在一个实施方式中，一种存储器单元装置包含：膜堆叠结构，所述膜堆叠结构包含：水平地形成在基板上的交替的成对的介电层和导电结构，形成在所述膜堆叠结构中的开口，其中所述开口被填充有通道层和中心填充层，和设置在所述导电结构与所述通道层之间的保护衬垫层。
用于存储器应用垂直晶体管制造

[发明专利]自旋轨道矩磁阻式随机存取存储器及其制造方法-CN201980088186.1在审
发明人： 安在洙;朴赞道;曾信伟;薛林;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：在此公开的是一种改良的SOT‑MRAM装置及其制造方法。一种存储器装置包括第一结构，该第一结构包括磁隧道结堆叠和自旋轨道矩层。该自旋轨道矩层形成在该磁隧道结堆叠上。介电覆盖层形成在该自旋轨道矩层上面。金属层形成于该第一结构的顶部上。该金属层环绕该自旋轨道矩层和该介电覆盖层中的每一个。该金属层与该自旋轨道矩层的侧壁直接接触。
自旋轨道磁阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]用于MRAM应用的结构的形成方法-CN201980081765.3在审
发明人： 安在洙;曾信伟;薛林;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供了用于在基板上制造磁性隧道结(MTJ)结构的方法及设备，所述磁性隧道结(MTJ)结构可用于MRAM应用，特别是用于自旋轨道矩磁性随机存取存储器(SOT MRAM)应用。在一个实施方式中，磁性隧道结(MTJ)装置结构包括：设置于基板上的磁性隧道结(MTJ)柱体结构，以及围绕MTJ柱体结构的间隙。在又另一实施方式中，磁性隧道结(MTJ)装置结构包括：围绕经图案化的参考层及隧穿阻挡层的间隔层，所述隧穿阻挡层设置于经图案化的自由层上，以及围绕经图案化的自由层的间隙。
用于 mram 应用结构形成方法

[发明专利]用于形成用于MRAM应用的结构的方法-CN201980076331.4在审
发明人：曾信伟;朴赞道;安在洙;薛林;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供了用于针对混合式(或称集成式)自旋轨道矩磁性自旋转移矩磁性随机存取存储器(SOT‑STT MRAM)应用在基板上制造磁性隧道结(MTJ)结构的方法及装置。在一个实施方式中，该方法包括：一个或多个磁性隧道结结构，设置在基板上，该磁性隧道结结构包括第一铁磁性层及第二铁磁性层，该第一铁磁性层及该第二铁磁性层将隧穿阻挡层夹在中间；自旋轨道矩(SOT)层，设置在该磁性隧道结结构上；及后端结构，设置在该自旋轨道矩(SOT)层上。
用于形成 mram 应用结构方法

[发明专利]形成磁隧道结的顶部接触的方法-CN201980060105.7在审
发明人：薛林;安在洙;曾信伟;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式关于用于制造在存储器装置中使用的结构的方法。更具体地，本公开内容的实施方式关于用于在存储器装置中制造MTJ结构的方法。在一个实施方式中，方法包括以下步骤：形成MTJ结构；在MTJ结构的顶部和侧部上沉积封装层；在封装层上沉积介电材料；通过化学机械平坦化(CMP)处理来移除设置在MTJ结构的顶部上的介电材料和封装层，以暴露MTJ结构的顶部；及在MTJ结构上沉积接触层。方法利用CMP处理而不利用蚀刻处理来暴露MTJ结构的顶部，这避免损坏MTJ结构并导致在MTJ结构与接触层之间的改善的电接触。
形成隧道顶部接触方法

[发明专利]适于高温热处理的磁性隧道结-CN201880036108.2在审
发明人：薛林;慈航·清;安在洙;马亨德拉·帕卡拉;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本文中的实施方式提供用于在基板上形成磁性隧道结(MTJ)结构的膜堆叠，包含：缓冲层；种晶层，设置在所述缓冲层上；第一钉扎层，设置在所述种晶层上；合成亚铁磁体(SyF)耦合层，设置在所述第一钉扎层上；第二钉扎层，设置在所述SyF耦合层上；结构阻挡层，设置在所述第二钉扎层上；磁性参考层，设置在所述结构阻挡层上；隧道势垒层，设置在所述磁性参考层上；磁性存储层，设置在所述隧道势垒层上；覆盖层，设置在所述磁性存储层上，其中所述覆盖层包含一个或多个层；和硬掩模，设置在所述覆盖层上，其中所述覆盖层、所述缓冲层和所述SyF耦合层的至少一个不由Ru制造。
钉扎层覆盖层缓冲层耦合层磁性存储层隧道势垒层参考层种晶层阻挡层磁性隧道结膜堆叠硬掩模基板亚铁合成制造

[发明专利]用于图案化磁性隧道结的硬掩模-CN201680029460.4在审
发明人：薛林;马亨德拉·帕卡拉;陈浩;安在洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本文提供装置结构及用于制造装置结构的方法。本文描述的磁性随机存取存储器(MRAM)装置可包括膜堆叠，所述膜堆叠包括磁性隧道结层、介电覆盖层、蚀刻终止层、导电硬掩模层、介电硬掩模层、旋涂式碳层和抗反射涂层。所述膜堆叠可以被一种或更多种选择的化学物质蚀刻，以实现改良的膜堆叠侧壁垂直度。可以利用本文描述的方法和装置来制造临界尺寸越来越均匀且越来越小的存储器单元。
用于图案磁性隧道硬掩模

[发明专利]黑豆露酒及其制备方法-CN201610193858.3在审
发明人：金昌洙;安在洙 -专利权人：金昌洙
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C12G3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑豆露酒，是由15%~20%重量的露液加入到80%~85%重量的酒基中，在常温下发酵90天以上，过滤制成；所述的露液是由黑豆酱饼和天国酱各按15%~20%的重量比例浸泡在5~60度的酒基里，在常温下自然发酵，浸泡60~90天后过滤，制成露液。本发明口感柔和、香味浓、味道香甜、饮后不上脑，口不干渴，解酒快，降低体内酒精残留，无宿醉感，富含氨基酸肽氮、纤维素、锌、钠、钾、镁、钙、各种维生素等营养成份，具有营养保健功效，调节肠胃功能，有助消化，减轻肝脏负担，清除体内的血栓及溶栓功能。黑豆露酒。本发明还提供了一种黑豆露酒的制备方法。
黑豆露酒及其制备方法

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