专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体结构的返工方法-CN202310864766.3在审
  • 孙玉乐;周保保 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-07-13 - 2023-10-20 - H01L21/02
  • 本公开实施例提供了一种半导体结构的返工方法,返工方法包括:提供衬底,衬底上形成有从下至上的目标层、第一掩膜层、第一刻蚀停止层及第一图形转移层,其中第一图形转移层已被图案化。执行第一处理工艺,去除第一图形转移层,执行第二处理工艺,去除第一刻蚀停止层,以暴露出第一掩膜层的表面,执行第三处理工艺,去除第一掩膜层,以暴露出目标层的表面,其中,第三处理工艺包括干法工艺。在目标层表面形成自下而上的第二掩膜层、第二刻蚀停止层以及第二图形转移层,第二图形转移层未被图案化。
  • 一种半导体结构返工方法
  • [发明专利]晶圆晶边缺陷的检测方法和检测系统-CN202310745069.6在审
  • 李振兴;周保保;沈润生;孙玉乐;王张柯 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-09-05 - G06V10/75
  • 本公开实施例涉及一种晶圆晶边缺陷的检测方法和检测系统。该检测方法,包括:建立特征数据库,特征数据库包括特征参数的预设值;提供完成预设制程的待测晶圆,并将待测晶圆上与待测晶圆的边缘之间的距离在3mm~1mm内的区域设置为待测区域;对待测区域进行扫描,以得到扫描图像;对扫描图像进行数据处理,以得到待测区域对应的特征参数的实际值;根据实际值和预设值,判定预设制程是否存在异常。可以实时检测完成预设制程的待测晶圆是否存在异常,克服人工无法实时监控晶圆晶边的缺陷且存在误判风险的问题。
  • 晶圆晶边缺陷检测方法系统
  • [发明专利]等离子处理装置-CN202210014865.8在审
  • 李振兴;孙玉乐;王春阳;方锦国;邵波 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-07 - 2023-07-18 - H01J37/32
  • 本公开提供了一种等离子处理装置,属于半导体技术领域。该等离子处理装置包括反应腔、卡盘、聚焦环和升降机构。其中,卡盘可以设置于反应腔内,卡盘可以具有托盘,该托盘可以用于承载待处理晶片。聚焦环可以安装于卡盘的外周,聚焦环的数量可以为多个,且各个聚焦环同轴心嵌套设置。升降机构可以包括支撑部和升降部,升降部能够控制各个聚焦环升降以使得各个聚焦环始终处于同一位置。随着刻蚀工艺的进行,升降部就能够根据反应腔内不同位置处的聚焦环的损耗量来调节相对应的聚焦环的高度,以使得各个聚焦环始终位于同一位置,从而实现动态补偿各个聚焦环的损耗量,进而提高待处理晶片边缘区域的良率。
  • 等离子处理装置
  • [发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构-CN202110269758.5有效
  • 邵波;刘欣然;王春阳;孙玉乐;李振兴 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-03-12 - 2023-04-28 - H10B12/00
  • 本发明实施例属于半导体制作技术领域,涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构,用于解决在蚀刻介质层的过程中,粗糙的顶面容易造成离子散射,形成的电容孔洞尺寸精度差,影响电容结构性能的问题。该半导体结构制作方法,在基底上形成膜层结构,在膜层结构上形成图形转移层,图形转移层上定义多个孔洞,并对图形转移层进行平坦化处理;通过孔洞蚀刻膜层结构,以在膜层结构中形成电容孔洞;在形成电容孔洞之前,对图形转移层的顶面进行了平坦化处理,在进行蚀刻的过程中,平坦的图形转移层顶面可以避免发生离子散射,进而避免形成的电容孔洞侧壁出现鼓包、或者电容孔洞倾斜,提高了电容孔洞的尺寸精度,提高了电容结构的性能。
  • 半导体结构制作方法
  • [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202011049179.1在审
  • 孙玉乐 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-09-29 - 2022-04-12 - H01L21/8242
  • 该发明公开了一种半导体器件的及其制备方法,制备方法包括:提供衬底,衬底内形成有字线结构,位线支撑层包括第一氧化物层和第一氮化层,位线结构形成在第一氮化物层内,第一氧化物层形成在位线结构两侧且位于第一氮化物层内;图形化支撑结构以在位线支撑层内形成与位线结构对应的第一通孔;沿第一通孔刻蚀位线支撑层至预设高度,调节刻蚀参数和刻蚀气体对氧化物层和氮化物层的选择刻蚀比,并对位线支撑层继续刻蚀,直至暴露位线结构,以在位线结构的上方形成聚合物层,聚合物层形成在第一通孔的部分侧壁上且位于位线结构的两侧。所述制备方法能够控制并改善形成的位线接触点和字线接触点的外部轮廓。
  • 半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法-CN202110094612.1在审
  • 孙玉乐 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-01-25 - 2021-06-04 - G01B11/24
  • 本公开提供了一种蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法,属于半导体生产制造技术领域。该方法包括提供测试晶圆,所述测试晶圆包括衬底、第一介质层和第二介质层,所述第一介质层和所述第二介质层依次形成于所述衬底的顶表面,所述衬底内设置有电容接触结构;将所述测试晶圆传递至待测蚀刻机台内,刻蚀部分所述第二介质层和部分所述第一介质层,以形成电容孔;去除所述第二介质层,以形成量测晶圆;将所述量测晶圆传递至缺陷检测机台,检测所述量测晶圆的电容孔的形状;根据所述量测晶圆的电容孔的形状,确定所述待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷。该方法简单便捷,可准确判断待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷,提高对蚀刻机台的检测效率。
  • 蚀刻机台刻蚀缺陷检测方法
  • [实用新型]用于穿墙管道的套管定位装置-CN202020224465.6有效
  • 高行;李兆祥;隋沿辉;刘相涛;苏仙山;林迎栋;孙玉乐;崔海鹤;薛建房;朱永柏 - 中国建筑第八工程局有限公司
  • 2020-02-28 - 2020-11-24 - F16L5/00
  • 本实用新型涉及一种用于穿墙管道的套管定位装置,包括:套设于穿墙管道且以可拆卸地方式固定于穿墙管道的定位环;多个长度相等的限位架,限位架的一端垂直固定于定位环表面且延长线经过定位环中心,限位架的另一端支撑限位套设于穿墙管道的套管的内壁面。本实用新型通过采用定位环套设于穿墙管道上进行定位,方便安装和拆卸。定位环上的限位架用于限位支撑套管。安装套管的过程中通过将套管套设于穿墙管道上,限位架抵靠于套管的内壁进行支撑限位,通过长度相同的限位架以保证套管的内壁和穿墙管道的外壁之间的间距处处相等而同心设置。尺寸规格统一,解决套管安装时定位不准确不能保证套管和管道圆心重合的问题。
  • 用于穿墙管道套管定位装置
  • [实用新型]管道加工用辅助支架-CN202020292948.X有效
  • 苏仙山;李兆祥;薛建房;隋沿辉;王超;林迎栋;崔海鹤;孙玉乐;朱永柏 - 中国建筑第八工程局有限公司
  • 2020-03-11 - 2020-10-23 - B23Q1/76
  • 本实用新型公开了一种管道加工用辅助支架,包括底座和安装板,所述底座和安装板之间连接有高度调节件,所述安装板上至少设有一组相对设置的滑轮支座,所述滑轮支座上转动设有用于支撑管道的滑轮,每组所述滑轮支座中至少一侧的所述滑轮支座相对滑动地滑设在所述安装板上,所述安装板上设有用于锁定所述滑轮支座的锁定件。本实用新型将管道安装于两个滑轮之间,从而可避免在工作时管道上的镀锌层和防锈层损坏,且底座上通过高度调节件使上层部分高度可调,从而可根据现场条件调节机械加工支座高度,且滑轮支座之间的距离可调,并可通过锁定进行位置锁定,从而可匹配不同管径的管道进行使用。
  • 管道工用辅助支架
  • [实用新型]用于消防栓门扇的铰链-CN201921166399.5有效
  • 隋沿辉;李兆祥;邱德增;刘相涛;苏仙山;戴黄广;王超;林迎栋;孙玉乐;刘兆伟 - 中国建筑第八工程局有限公司
  • 2019-07-23 - 2020-08-04 - E05D3/06
  • 本实用新型提供了一种用于消防栓门扇的铰链,包括:第一铰接臂,具有第一铰接部、前臂和后臂,且前臂比后臂短,第一铰接臂的前臂铰接于第一支座;第二铰接臂,具有第二铰接部、前臂和后臂,且前臂比后臂短,第一铰接部铰接于第二铰接部;第一支座,其第一侧铰接于第一铰接臂的前臂;第二支座,其第一侧铰接于第二铰接臂的前臂;第一连接件,其两端分别铰接于第一支座的第二侧和第一铰接臂的后臂;以及第二连接件,其两端分别铰接于第二支座的第二侧和第二铰接臂的后臂;第一铰接臂的前臂与第二铰接臂的前臂的长度之和大于门扇与饰面板的厚度之和。本实用新型解决了传统的消防栓门扇安装占用空间大且开启角度小的问题。
  • 用于消防栓门扇铰链

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