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[发明专利]一种磁隧道结和磁性随机存储器-CN202210379868.1在审
发明人：宫俊录;孙一慧;陈若飞 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁隧道结和磁性随机存储器，涉及磁性存储器领域，用于磁性随机存储器。磁隧道结包括依次层叠的第一自由层、增强层、第二自由层，第一自由层和/或第二自由层至少包括依次层叠的第一磁性单元层、第二磁性单元层、界面优化单元层和第三磁性单元层，界面优化单元层的材料为非磁性金属。磁隧道结的第一自由层和/或第二自由层除了包括第一磁性单元层、第二磁性单元层和第三磁性单元层，还包括界面优化单元层，其材料为非磁性金属，有利于改善第二磁性单元层和第三磁性单元层的界面质量，降低阻尼，提高自旋力矩转移效率，降低写电压和写电流。
一种隧道磁性随机存储器

[发明专利]一种结合摩擦发电机与阻变存储器的触摸传感记忆器件-CN201610770480.9有效
发明人：张跃;孙一慧;闫小琴;郑鑫;申衍伟;刘怿冲 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种结合摩擦发电机与阻变存储器的触摸传感记忆器件，属于传感器技术领域。该器件大致为用导线将单电极摩擦发电机的电极与阻变存储器的上电极连接而成，通过人体触摸摩擦材料表面产生的电信号驱动阻变存储器的阻态改变，实现对触摸信号的探测与记录。当阻变存储器处于高阻态时，摩擦发电机的输出电压较大，能将阻变存储器由高阻态转变为低阻态；而当阻变存储器处于低阻态时，摩擦发电机的输出电压较小，阻变存储器阻态不变，从而实现对摩擦信号的记录。该器件可以实现信号记录时的完全自驱动，不需要外加电源，信号不会因摩擦的交变电压而改变，是一种自驱动的非易失性集成器件，在信息安全、监测等方面拥有广泛的应用前景。
一种结合摩擦发电机存储器触摸传感记忆器件

[发明专利]MTJ以及存储器件-CN202111511065.9在审
发明人：宫俊录;孙一慧;高扬 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种MTJ以及存储器件，该MTJ包括自由层、势垒层、固定层以及复合钉扎层，势垒层位于自由层的表面上；固定层位于势垒层的远离自由层的表面上；复合钉扎层位于固定层的远离势垒层的表面上，复合钉扎层包括在固定层的远离势垒层的表面上依次层叠的第一钉扎层、第一耦合层、第二钉扎层、第二耦合层以及第三钉扎层。本申请在各钉扎层之间设置耦合层，耦合层与钉扎层之间的界面耦合保证了复合钉扎层的垂直磁各向异性较强，近邻的钉扎层通过中间耦合层发生层间反铁磁耦合而相互固定，这保证了复合钉扎层磁矩在外磁场中具有较强的稳定性，解决了现有的MTJ刻蚀后顶部钉扎层垂直磁各向异性较弱，造成磁化翻转特性异常的问题。
mtj 以及存储器件

[发明专利]磁传感器及其制作方法-CN201910663268.6有效
发明人： 孙一慧;刘波;李辉辉 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁传感器及其制作方法。该磁传感器包括至少一个磁传感器结构，其中，每个磁传感器结构包括至少一个磁传感组，各磁传感组包括两个磁传感单元，各磁传感单元包括串联的传感结构和加热结构，各传感结构包括叠置的自由层和参考层，各磁传感组中的两个磁传感单元的参考层的磁化方向相反。本申请解决了相关技术中，磁传感器难以实现同一裸片上参考层相反的磁化方向，且存在灵敏度、可靠性低的技术问题。
传感器及其制作方法

[发明专利]MTJ器件-CN201911270954.3有效
发明人： 孙一慧 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种MTJ器件，包括：层叠设置的参考层、势垒层、自由层、反铁磁层、第一耦合层、自旋极化层和覆盖层，其中，所述参考层具有与所述参考层的平面大致垂直的固定磁化；所述自由层具有与所述自由层的平面大致垂直的磁化且磁化方向可在大致平行于所述参考层的磁化方向与大致反平行于所述参考层的磁化方向之间转换；所述自旋极化层具有与所述自旋极化层的平面大致垂直的固定磁化；所述反铁磁层和所述自由层接触，形成一反铁磁/铁磁界面。本发明能够降低MTJ器件的写电流同时保证器件稳定性。
mtj 器件

[发明专利]磁性隧道结-CN202010316067.1有效
发明人： 孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结，包括：自由层、势垒层、参考层以及用于钉扎参考层的磁化方向的合成反铁磁层，所述合成反铁磁层包括第一反平行层、第二反平行层以及位于所述第一反平行层和所述第二反平行层之间的反铁磁耦合层，所述第一反平行层采用磁性薄膜与非磁性薄膜交替设置的多层膜结构，或者第一磁性薄膜与第二磁性薄膜交替设置的多层膜结构，其中与所述反铁磁耦合层相邻的一层磁性薄膜的厚度尽量薄。本发明能够提高参考层的稳定性。
磁性隧道

[发明专利]一种存储计算阵列和存储设备-CN202111031370.8在审
发明人： 孙一慧 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储计算阵列，包括阵列排布的存储单元，存储单元包括多个存储节点，存储节点包括开关器件和磁性存储器件，磁性存储器件包括多个磁隧道结位元，磁隧道结位元至少具有三种阻态，磁隧道结位元包括由下至上依次层叠的第一参考层、第一势垒层、自由层、第二势垒层、第二参考层。本申请中每个磁性存储器件包括多个磁隧道结位元，每个磁隧道结位元至少有三种阻态，开关器件可以使得磁隧道结位元处于不同的阻态，磁隧道结位元阻态种类增多，可以存储的信息量增多，所以可以减少磁隧道结位元的数量，因此开关器件的数量也减少，从而使得存储计算阵列的面积缩小，功耗降低。本申请还提供一种存储设备。
一种存储计算阵列设备

[发明专利]存储单元、存储器以及存储器的初始化方法-CN201910663272.2有效
发明人： 孙一慧 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储单元、存储器以及存储器的初始化方法。其中，该存储单元包括：自旋轨道矩提供线，自旋轨道矩提供线的第一端与源线连接，第二端与第一开关的源极连接；两个存储结构，两个存储结构间隔设置在自旋轨道矩提供线的表面上，且每个存储结构均包括阻变层和磁性隧道结，其中，磁性隧道结包括与自旋轨道矩提供线接触设置的自由层，阻变层的第一端与磁性隧道结的参考层连接，阻变层的第二端与第二开关连接；其中，第一开关用于控制自旋轨道矩提供线的连通状态，第二开关用于控制两个存储结构的连通状态。本申请解决了相关技术中MTJ的差分电路相对复杂，导致制造难度大或占用面积大的技术问题。
存储单元存储器以及初始化方法

[发明专利]一种磁性存储单元及磁性存储器-CN202110245652.1在审
发明人：宫俊录;简红;孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性存储单元，从下至上依次包括第一电极、过渡组合层、磁性隧道结及第二电极；所述第一电极及所述第二电极用于与外部电路相连，并控制所述磁性隧道结的电阻态；所述过渡组合层包括层叠设置的硼提供层及硼吸附缓冲层。本发明通过设置所述过渡组合层，消除了金属电极与磁性隧道结的晶格结构不匹配而带来的应力问题，为磁性隧道结的生长提供了更好的母板，减小了磁性隧道结中的缺陷数量及内应力。在高温环境下，所述硼提供层及所述硼吸附缓冲层发生硼元素的扩散和吸附，该过程可有效减缓高温环境下磁性隧道结中其他膜层材料的界面扩散，改善了磁隧道结的界面结构质量。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的磁性存储器。
一种磁性存储单元存储器

[发明专利]磁隧道结及降低磁隧道结自由层工艺波动的方法-CN201910741890.4有效
发明人： 孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结，至少包括依次层叠的参考层、势垒层、磁性缓冲层和自由层；其中，所述磁性缓冲层的延展性比所述自由层的延展性强。本发明通过在势垒层表面增加一层薄的磁性缓冲层，利用其较好的延展性提供更平整的基底，使随后沉积的自由层薄膜的均一性更好，且不会损害磁隧道的TMR效应。
隧道降低自由工艺波动方法

[发明专利]一种MRAM的自由层及其制备方法和MRAM的磁隧道结-CN202011622212.5在审
发明人： 孙一慧;孟凡涛;简红;宫俊录 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明属于磁阻器件技术领域，尤其涉及一种MRAM的自由层及其制备方法和MRAM的磁隧道结。本发明提供的自由层设置于势垒层上，包括至少两层磁性层，相邻磁性层之间设置有耦合层；每层所述磁性层均采用磁控溅射沉积而成；与所述势垒层相接触的磁性层在至少两种不同的磁控溅射功率下沉积形成，且在近势垒层一侧的磁控溅射功率最小。本发明在传统自由层结构基础上通过降低临近势垒层的磁性层沉积功率，可以在保持磁性层厚度不变的条件下，大幅提升自由层垂直磁各向异性场(Hk)，减小界面损伤，提升MRAM的数据保持能力(data retention)。
一种 mram 自由及其制备方法隧道

[发明专利]MTJ和存储器-CN202011567663.3在审
发明人： 孙一慧;孟凡涛;简红;宫俊录 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种MTJ和存储器。该MTJ包括依次层叠的参考层、势垒层和自由层，自由层包括依次层叠的第一磁性层、第一耦合层、第二磁性层、第二耦合层和第三磁性层。该方案中，在传统的MTJ上，增加了自由层磁性膜的厚度，通过增加厚度使得能量势垒高度较大，保证了MTJ的保存能力较好，进而可以提高MTJ的数据保存能力，从而较好地缓解了现有技术中的存储器数据保存能力较差的问题。
mtj 存储器

[发明专利]一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器-CN202011552696.0在审
发明人：简红;宫俊录;孙一慧;孟凡涛;刘俊 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明属于磁隧道结技术领域，尤其涉及一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器。本发明提供的自由层包括依次接触的第一铁磁层、间隔层和第二铁磁层；所述第一铁磁层和第二铁磁层的厚度均≤1nm，且所述第二铁磁层厚度小于第一铁磁层厚度；所述间隔层中包括至少两种非磁性元素。本发明通过将自由层结构中的第一铁磁层和第二铁磁层的厚度控制在小于1nm，有效提升了STT效率，降低了写入电流；同时，该自由层结构中的间隔层至少由两种不同的非磁性元素组成，两种元素有较强的结合能，保证了间隔层结构的稳定性，抑制了因磁性层厚度减薄引起的元素扩散，提升了耐擦写性能。
一种隧道自由自旋转移力矩磁性随机存储器

[发明专利]磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构-CN202011349124.2在审
发明人：简红;宫俊录;孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构。该磁性隧道结自由层包括沿第一方向顺序层叠的第一磁性复合层、反铁磁间隔结构和第二磁性复合层，在反铁磁间隔结构的作用下第一磁性复合层与第二磁性复合层呈反铁磁耦合，磁化方向相反。由于上述结构采用多层磁性复合层，在控制磁化方向垂直于薄膜界面的同时，增加磁性层的总体厚度，从而增大器件的数据保持能力。并且，为降低写入电流，上述结构使得不同的磁性复合层磁化方向相反，降低整体结构的总磁矩，从而降低写入电流，实现高的器件耐擦写能力。此外，该结构可获得较高的TMR，提高了数据读取速度。
磁性隧道自由具有结构

[发明专利]一种磁性多层膜、存储单元及存储器-CN202011219147.1在审
发明人：宫俊录;孟凡涛;孙一慧;简红 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性多层膜、存储单元及存储器。该磁性多层膜包括沿第一叠置方向依次叠置的第一磁性层、间隔膜和第二磁性层，间隔膜包括沿第二叠置方向叠置的多层间隔子膜，第一叠置方向和第二叠置方向相同，间隔子膜中的至少一层为非磁性间隔子膜。设置多层间隔子膜，一方面保证磁性多层膜有较强的垂直磁各向异性(PMA)，在用作磁性隧道结的自由层时获得预期的磁化方向。另一方面，多层间隔子膜两侧的磁性层可实现较强的层间磁性耦合，使得磁性层的磁化方向在较小的外磁场或外加电流作用下可以同时翻转。将本申请的磁性多层膜作为磁性隧道结的自由层时，具有该自由层的MTJ器件可实现较高的热稳定性因子Δ以及较低的翻转电流。
一种磁性多层存储单元存储器

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