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[发明专利]基于垂直导电结构功率芯片的功率模块及其制备方法-CN202310155242.7在审
发明人：王来利;姚乙龙;汪岩;董晓博;孔航;袁天舒;王天健;张虹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：基于垂直导电结构功率芯片的功率模块及其制备方法，包括功率半桥芯片、顶板、底板、驱动铜面、功率铜面和解耦电容；功率半桥芯片设置在顶板和底板之间，顶板和底板相对的面上均设置有驱动铜面和功率铜面；功率半桥芯片的上下两面均设置有驱动铜面和功率铜面；功率半桥芯片上下两面的驱动铜面和功率铜面，与顶板和底板上的对应的驱动铜面和功率铜面连接；解耦电容连接在底板的功率铜面上。本发明整个回路寄生电感小于4nH，有效减小芯片开通关断过程中的过电压和电流震荡。同时通过先进Fan‑out工艺在芯片指定位置填充绝缘材料，保证模块的绝缘及可靠性。模块两侧采用陶瓷基板实现散热，减小模块热阻。
基于垂直导电结构功率芯片模块及其制备方法

[实用新型]一种全科医学设备用气管导管固定结构-CN202221836215.3有效
发明人：彭兰飞;孔航 -专利权人：彭兰飞
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： A61M16/04 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种全科医学设备用气管导管固定结构，包括固定绑带一、固定绑带二和限位结构，所述固定绑带一底部的一端连接有魔术子贴，所述固定绑带一的顶部连接有与魔术子贴适配的魔术母贴，所述固定绑带一的顶端通过连接块连接有固定绑带二，所述连接块与固定绑带一活动连接。本申请提供的一种全科医学设备用气管导管固定结构，通过固定绑带一的设置，该结构能够快速的与患者的头部固定在一起，连接块与固定绑带一活动连接的设置，使两个固定绑带二的位置可以进行调节，便于把固定绑带二移动至患者的嘴角处，便于固定绑带二把气管的位置固定，该结构能够快速的拆装，且拆装时不会对患者造成不适，便于使用。
一种医学备用气管导管固定结构

[发明专利]一种冷库用温湿度智能监控调节管理系统-CN202310771552.1在审
发明人：戈文涵;李志峰;樊明星;祝清欣;王鑫;孔航;程玉玲;赵维国;李仕鹏 -专利权人：山东舜王城投资发展有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F25D29/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种冷库用温湿度智能监控调节管理系统，属于冷库技术领域，它解决了现有冷库监测准确性低等技术问题。本冷库用温湿度智能监控调节管理系统，包括冷库本体、远程控制终端、温湿度监测模块、温度控制模块和湿度控制模块，温湿度监测模块、温度控制模块和湿度控制模块均与远程控制终端电性连接，温湿度监测模块包括安装盒，所述安装盒的上端开设有开口，安装盒的内部下端固定有电动伸缩杆，电动伸缩杆的上端固定有活塞板，活塞板的外周与安装盒的内壁滑动连接，活塞板将安装盒分隔成密封腔和活动腔，安装盒的下端安装有第一微型控制器和第一信息处理器。本发明具有对冷库多个区域进行高精度的检测的优点。
一种冷库温湿度智能监控调节管理系统

[发明专利]基于Chiplet先进封装的高性能半导体智能功率模块及其制备方法-CN202310179920.3在审
发明人：王来利;孔航;杨奉涛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Chiplet先进封装的高性能半导体智能功率模块及其制备方法，所述第一导电层上的一侧设置有第一电容；第一导电层上的另一侧设置有驱动芯片以及设置于驱动芯片周围的第二电容、第二电阻、第一电阻、第三电阻、第四电阻及第三电容；所述第一层聚酰亚胺层上穿过有第二铜柱及第一铜柱，第二导电层上设置有第一互连铜层、第二互连铜层及第三互连铜层，第二层聚酰亚胺层上设置有第一半导体芯片及第二半导体芯片，第三导电层上设置有第一信号端子、第二信号端子、第一功率端子、第二功率端子、第三功率端子、第四功率端子及第五功率端子，该模块及其制备方法具有结构简单、寄生电感小以及额定功率较大的特点。
基于 chiplet 先进封装性能半导体智能功率模块及其制备方法

[发明专利]基于碳化硅功率芯片的双面散热功率模块及其制备方法-CN202310342345.4在审
发明人：王来利;姚乙龙;赵一平;孔航;董晓博;汪岩;马定坤;张虹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：基于碳化硅功率芯片的双面散热功率模块及制备方法，包括第一底板、第二底板、功率铜面、驱动铜面、功率回路、第一驱动模块、第二驱动模块、第一解耦电容和第二解耦电容；第一底板和第二底板上均设置有功率铜面和驱动铜面，第一底板的功率铜面和第二底板的功率铜面之间设置有功率回路；第一底板的功率铜面上设置有第一解耦电容和第二解耦电容；第一底板的驱动铜面连接第一驱动模块，第二底板的驱动铜面连接有第二驱动模块。本发明功率模块内部集成解耦电容，并实现两个碳化硅功率半桥的并联。功率回路经过优化，功率换流回路寄生电感小于4nH，有效减小芯片开通关断过程中的过电压和电流震荡。同时优化驱动回路寄生电感，减小碳化硅芯片误开通现象。
基于碳化硅功率芯片双面散热模块及其制备方法

[发明专利]一种直插式的高集成度功率模块的封装结构-CN202310182441.7在审
发明人：王来利;孔航;杨奉涛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种直插式的高集成度功率模块的封装结构，第一金属陶瓷绝缘导电基板与第二金属陶瓷绝缘导电基板之间设置有第一电容、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一铜片、第二铜片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、驱动芯片、自举二极管、第二电容及第三电容；第一电容、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一铜片及第二铜片依次设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板的一侧，自举二极管、第二电容、驱动芯片及第三电容设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板的另一侧，第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻依次设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板的中部，该封装结构具有寄生电感低、封装热阻小及集成度较高特点。
一种直插式集成度功率模块封装结构

[发明专利]基于氮化镓功率芯片的半桥智能功率模块及其制备方法-CN202211575220.8在审
发明人：王来利;姚乙龙;孔航;杨奉涛;汪岩;董晓博;齐志远;张虹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：基于氮化镓功率芯片的半桥智能功率模块及其制备方法，包括氮化镓芯片、解耦电容、第一驱动芯片、第二驱动芯片、功率铜面、驱动铜面、第一驱动芯片外围电路、第二驱动芯片外围电路和底部陶瓷基板；若干功率铜面和驱动铜面设置在底部陶瓷基板上，氮化镓芯片和解耦电容设置在功率铜面上，第一驱动芯片和第二驱动芯片设置在驱动铜面上，第一驱动芯片和第二驱动芯片分别对应连接有第一驱动芯片外围电路和第二驱动芯片外围电路；第一驱动芯片和第二驱动芯片用于驱动氮化镓芯片。本发明实现驱动芯片在模块内的集成。功率回路经过优化，功率换流回路寄生电感小于2nH，有效减小芯片开通关断过程中的过电压和电流震荡。
基于氮化功率芯片智能模块及其制备方法

[发明专利]一种高集成度多芯片并联氮化镓半桥功率模块-CN202310028709.1在审
发明人：王来利;王振宇;齐志远;姚乙龙;温浚铎;张轶凡;孔航;汪岩;甘永梅 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种高集成度多芯片并联氮化镓半桥功率模块，包括GaN器件、功率回路解耦电容Cin、PCB电路板、DBC板和驱动芯片，GaN器件设置于PCB电路板与DBC板之间；驱动芯片均设置于PCB电路板上；GaN器件包括第一GaN器件S1、第二GaN器件S2、第三GaN器件S3和第四GaN器件S4，第一GaN器件S1和第二GaN器件S2并联形成上半桥；第三GaN器件S3和第四GaN器件S4并联形成下半桥。本发明利用并联垂直结构降低功率回路和驱动回路的寄生电感，同时通过功率回路和驱动电路的对称设计保证布局对称，实现器件的并联均流效果。
一种集成度芯片并联氮化镓半桥功率模块

[实用新型]一种TOFD探伤仪用扫查架-CN202320002431.6有效
发明人：孔航;王树祥;王志明;宋秋桃;马琛;刘长军 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N29/265 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种TOFD探伤仪用扫查架，包括移动架、伺服电机、转动组件、伸缩组件、移动组件和探头，伺服电机设置在移动架的一侧，转动组件设置在移动架的内腔，且伺服电机与转动组件相连接，伸缩组件的一端与转动组件相连接，伸缩组件的另一端连接探头，移动组件设置在移动架的另一侧，移动组件上设置有按钮，以使转动组件移动至移动组件的按钮处，改变伺服电机的转动方向，转动组件包括螺纹杆和螺纹块，解决现有在进行焊接处探伤检测时，由于双向丝杠的行程没有限位，不能更好的对不同宽度的钢板进行检测的问题。
一种 tofd 探伤仪用扫查架

[发明专利]基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块及制造方法-CN202210602728.6在审
发明人：王来利;姚乙龙;孔航;杨奉涛;汪岩;张轶凡;齐志远;王振宇;张翅;苏宇泉 -专利权人：西安交通大学;美垦半导体技术有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块及制造方法，包括陶瓷基板、功率芯片、驱动芯片、功率铜面、解耦电容、印刷电路板和壳体；若干功率铜面设置在陶瓷基板上，相邻的功率铜面之间留有间隙，解耦电容和功率芯片设置在功率铜面上；印刷电路板覆盖在陶瓷基板上，印刷电路板上设置有若干驱动芯片；陶瓷基板、功率芯片、驱动芯片、功率铜面、解耦电容和印刷电路板均设置在壳体内。本发明设计的加工流程易于实现功率模块加工制备的自动化，并有效减少功率模块制备步骤，提高功率模块制备的良品率，且加工使用的原料成本低廉，有效控制功率模块的生产成本。同时制备工艺可保证功率模块内部电气绝缘性能及电气键合连接的可靠性。
基于氮化功率芯片单相智能模块制造方法

[实用新型]一种等截面产品的脱模装置-CN202220688800.7有效
发明人：刘瑞东;张鹏;王明军;倪圣;邓富强;孔航;王宇 -专利权人：南京聚隆复合材料技术有限公司;南京聚隆科技股份有限公司;南京东聚碳纤维复合材料研究院有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B29C33/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等截面产品的脱模装置，包括支承部，用于对待脱模的产品及其芯模提供支撑使其在脱模方向的中轴位置固定；遮挡部，具有一与所述待脱模的产品的芯模在垂直于所述脱模方向上的横截面形状匹配的第一通道，所述第一通道的位置与所述位于支撑部上的待脱模的产品的芯模在垂直于所述脱模方向上的一个端部对应；推动部，位于所述支承部上的待脱模的产品的芯模在垂直于脱模方向上的另一个端部一侧，用于自所述推动部所在侧向所述待脱模的产品的芯模施加推动力使得所述待脱模的产品的芯模向遮挡部一侧移动并与所述待脱模的产品分离。上述结构操作方便且脱模效果好，能够快速完成等截面产品的脱模工序。
一种截面产品脱模装置

[发明专利]一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块-CN202111528391.0在审
发明人：王来利;姚乙龙;杨奉涛;孔航;王振宇;张轶凡;汪岩;齐志远;张翅;苏宇泉 -专利权人：西安交通大学;美垦半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块，包括驱动板、功率板、模块外壳和散热器；驱动板和功率板均设置在模块外壳内，且驱动板设置在功率板上，功率板和驱动板通过键合线连接；散热器设置在模块外壳底部；功率板包括两个氮化镓芯片和两个硅芯片，两个氮化镓芯片和两个硅芯片组成全桥电路；驱动板包括四个用于驱动功率板上四个芯片的驱动芯片；本发明基于氮化镓芯片设计单相全桥智能功率模块，氮化镓器件相比传统的硅器件拥有更高的开关速度，因而在开关过程中相比传统硅器件对寄生参数更加敏感。本模块设计出一种基于氮化镓功率芯片的全桥布局，并实现驱动芯片在模块内的集成。
一种基于氮化功率芯片单相智能模块

[发明专利]一种高可靠的双有源桥稳态控制方法及变换器-CN202210199633.4在审
发明人：王来利;靳浩源;温浚铎;董晓博;孔航 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明一种高可靠的双有源桥稳态控制方法及变换器，实现高可靠离散闭环控制和DAB上电初期的软启动，控制过程操作简单，稳定性高，安全性好，适用范围广。包括：在本次闭环控制DAB原边开关管的驱动信号上升沿，更新PWM信号的设定值，更新DAB的移相时间为上一次闭环控制计算得到的DAB的移相时间；基于ADC采样采集本次闭环控制DAB的输出电压，根据输出电压和预期输出电压计算获得本次闭环控制的误差信号；基于增量式离散PI算法，根据误差信号计算本次闭环控制DAB的移相时间；实时检测DAB的输入电压，若输入电压不小于阈值，则开启下一次闭环控制，重复上述步骤直至输入电压小于预设输入电压参考值，稳态控制完成。
一种可靠有源稳态控制方法变换器

[发明专利]一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构-CN202210039284.X在审
发明人：王来利;朱梦宇;杨成子;孔航;郭伟力;杨奉涛;齐志远;伍敏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
一种双面散热芯片倒装气密性耐高温封装结构

[实用新型]一种多功能的沥青道路热再生机的破碎装置-CN202121408959.0有效
发明人：王刚;张鑫;孔航;秦娜;石可强 -专利权人：邓州市交通腾达公路养护有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： E01C23/12 文献下载
摘要：本申请涉及破碎装置的领域，尤其是涉及一种多功能的沥青道路热再生机的破碎装置，其包括基座、固定安装于所述基座顶面的轴座、沿水平方向转动支承于所述轴座的曲轴、用于驱动曲轴转动的驱动电机、连接于所述曲轴的若干破碎组件，所述曲轴包括转动支承于轴座的转动段、与转动段呈偏心设置的若干偏心段，所述基座对应所述破碎组件开设有沿竖直方向贯穿的安装槽，所述破碎组件包括转动连接于所述偏心段的驱动杆、沿竖直方向滑动连接于所述安装槽内的破碎头，所述驱动杆远离所述曲轴的一端铰接于所述破碎头顶端。本申请具有提升对路面或坑槽的破碎效率的效果。
一种多功能沥青道路再生破碎装置

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