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[发明专利]源极/漏极元件的制造方法-CN02148888.6有效
发明人：毛惠民;陈升聪;陈逸男;姜伯青;萧智元 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2002-11-22 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种源极/漏极元件的制造方法，步骤为：提供一基底，基底表面形成有一栅极结构及覆于其上的遮蔽层；在栅极结构侧壁依序形成一第一、一第二及一第三绝缘间隙壁；以遮蔽层及第三绝缘间隙壁为罩幕，离子布植上述栅极结构两侧的基底表面以形成一第一掺杂区；去除第三绝缘间隙壁；以遮蔽层及第二绝缘间隙壁为罩幕，离子布植栅极结构两侧的基底表面以形成一第二掺杂区而作为源极/漏极区；去除第二绝缘间隙壁；以及以遮蔽层及第一绝缘间隙壁为罩幕，离子布植栅极结构两侧的基底表面以形成一第三掺杂区而作为一接面击穿防止区；本发明通过多层间隙壁作为离子布植的罩幕，在存储装置的周边电路区的积集度增加而线距缩小的情形下，仍能制作出轻掺杂区及接面击穿防止区，进而维持源极/漏极元件的特性。
源极元件制造方法

[发明专利]检测半导体元件中位元线偏移的测试元件及测试方法-CN02142642.2有效
发明人：吴铁将;黄建章;丁裕伟;姜伯青 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2002-09-18 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测半导体元件中位元线与位元线接点的重叠是否产生偏移的测试元件及测试方法，该测试元件设置于切割道上，包括一第一、第二长条型位元线接点，各具有一外侧边以及两端；一第一、第二位元线，该第一位元线完全覆盖该第一长条型位元线接点，该第二位元线完全覆盖该第二长条型位元线接点，以及一第一至第四导电插塞，分别设置于该第一位元线两端上方，以及设置于该第二位元线两端上方，各与底下的该位元线接触；通过判断第一和第二导电插塞之间的第一电阻值与第三及第四导电插塞之间的第二电阻值，判断该测试元件中位元线与位元线接点的重叠是否产生偏移。
检测半导体元件位元偏移测试方法

[发明专利]测试沟槽电容器中埋入层掺杂浓度是否异常的元件及方法-CN02131613.9有效
发明人：吴铁将;黄建章;丁裕伟;姜伯青;郭泽绵 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2002-09-11 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种测试沟槽电容器中埋入层掺杂浓度是否异常的元件及方法，该测试元件设置于一晶片的切割道中，包括一沟槽电容器，其包括一电极层具有一第一掺杂浓度、一第一导电层具有一第二掺杂浓度以及一第二导电层具有一第三掺杂浓度；一阻绝块，贯穿第二导电层且延伸至第一导电层中，将第二导电层区分成一第一部分及一第二部分；一第一接触插塞，耦接第二导电层第一部分的一侧；一第二接触插塞，耦接第二导电层第一部分的另一侧；及一第三接触插塞，耦接第二导电层的第二部分。借由第一接触插塞和第二接触插塞间测得的第一电阻值，及第二接触插塞和第三接触插塞间测得的第二电阻值，以监控沟槽电容器中埋入层的掺杂浓度是否异常。
测试沟槽电容器埋入掺杂浓度是否异常元件方法

[发明专利]存储器字线结构与电容器重叠偏移的测试元件及测试方法-CN02141562.5有效
发明人：吴铁将;黄建章;丁裕伟;姜伯青 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2002-09-02 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体测试元件及方法，特别涉及一种用于检测动态随机存取存储器的字线结构与深沟电容器重叠是否产生偏移的测试元件，是设置于一芯片的切割道中，包括一沟道电容器，设置于上述切割道中，具有一埋入板；一矩形字线，设置于上述切割道之上，覆盖部分的深沟电容器；一第一路过字线和一第二路过字线，设置于沟道电容器上方两侧；一第一掺杂区和一第二掺杂区，分别设置于矩形字线与第一路过字线之间，以及矩形字线与第二路过字线之间；一第一接触插塞，耦接至第一掺杂区；一第二接触插塞，耦接至第二掺杂区；以及一第三接触插塞，耦接至埋入板。
存储器结构电容器重叠偏移测试元件方法