[发明专利]存储器字线结构与电容器重叠偏移的测试元件及测试方法有效
| 申请号： | 02141562.5 | 申请日： | 2002-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1481009A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 吴铁将;黄建章;丁裕伟;姜伯青 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体测试元件及方法，特别涉及一种用于检测动态随机存取存储器的字线结构与深沟电容器重叠是否产生偏移的测试元件，是设置于一芯片的切割道中，包括一沟道电容器，设置于上述切割道中，具有一埋入板；一矩形字线，设置于上述切割道之上，覆盖部分的深沟电容器；一第一路过字线和一第二路过字线，设置于沟道电容器上方两侧；一第一掺杂区和一第二掺杂区，分别设置于矩形字线与第一路过字线之间，以及矩形字线与第二路过字线之间；一第一接触插塞，耦接至第一掺杂区；一第二接触插塞，耦接至第二掺杂区；以及一第三接触插塞，耦接至埋入板。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 电容器 重叠 偏移 测试 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器字线结构与电容器重叠偏移的测试元件，设置于一芯片的切割道中，其特征在于，该测试元件包括：一沟道电容器，设置于该切割道中，具有一埋入板；一矩形字线，设置于该切割道之上，覆盖部分的该深沟电容器；一第一路过字线和一第二路过字线，设置于该沟道电容器上方两侧；一第一掺杂区和一第二掺杂区，分别设置于该矩形字线与该第一路过字线之间，以及该矩形字线与该第二路过字线之间；一第一接触插塞，耦接至该第一掺杂区；一第二接触插塞，耦接至该第二掺杂匾；以及一第三接触插塞，耦接该埋入板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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