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[发明专利]基于碳纳米管肖特基二极管的单平衡混频器电路-CN202210303276.1在审
发明人： 夏庆贞;刘洪刚;张志勇;彭练矛 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碳纳米管肖特基二极管的单平衡混频器电路，包括如下结构：碳纳米管肖特基二极管一端与180°混合结结构相连，一端与扇形开路线结构相连；射频输入阻抗匹配网络位于射频输入端口与180°混合结之间；本振输入阻抗匹配网络位于本振输入端口与180°混合结之间；扇形开路线结构位于碳纳米管肖特基二极管器件与1/4波长高阻抗微带线之间；1/4波长高阻抗微带线位于扇形开路线结构与空气桥之间；空气桥横跨在射频输入阻抗匹配网络之上；薄膜电阻和平板电容连接在中频输出线路上。本发明提供的混频器电路在高频频段可以实现更低的变频损耗，并且大幅降低了肖特基二极管器件的寄生电容以及无源器件的衬底损耗。
基于纳米管肖特基二极管平衡混频器电路

[发明专利]基于碳纳米管肖特基二极管的倍频器电路-CN202210303271.9在审
发明人： 夏庆贞;刘洪刚;张志勇;彭练矛 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明提供基于碳纳米管肖特基二极管的倍频器电路，包括：碳纳米管肖特基二极管器件、低频带通滤波器、高频带通滤波器、输入阻抗匹配网络、输出阻抗匹配网络、射频输入端口和射频输出端口；碳纳米管肖特基二极管位于输入阻抗匹配网络与输出阻抗匹配网络之间；低频带通滤波器位于射频输入端口与输入阻抗匹配网络之间；高频带通滤波器位于射频输出端口与输出阻抗匹配网络之间；输入阻抗匹配网络位于低频带通滤波器与碳纳米管肖特基二极管的输入端口之间；输出阻抗匹配网络位于高频带通滤波器与碳纳米管肖特基二极管的输出端口之间。本发明提供的倍频器电路在高频频段实现更低的倍频损耗，大幅降低了肖特基二极管器件的寄生电容及无源器件的衬底损耗。
基于纳米管肖特基二极管倍频器电路

[发明专利]碳纳米管射频场效应晶体管及其制备方法-CN202211176690.7在审
发明人：刘洪刚;夏庆贞;翟明龙;张志勇;彭练矛 -专利权人：北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本公开提供了一种碳纳米管射频场效应晶体管及其制备方法。本公开实施例的碳纳米管射频场效应晶体管包括：衬底、绝缘介质层、碳纳米管有源层、源端接触层、源端导电层、漏端接触层、栅介质层、T型金属栅、背面通孔和背面金属层。本公开实施例的碳纳米管射频场效应晶体管具有较小的寄生电感、较小的栅电阻和较小的衬底寄生电容，可适用于诸如微波毫米波等射频应用领域。
纳米射频场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器-CN201910813118.9在审
发明人：刘洪刚;夏庆贞 -专利权人：苏州闻颂智能科技有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，采用CMOS工艺加工而成，包括振荡电路、LC谐振网络，LC谐振网络包括至少一个耦合电感、至少三个并联且具有不同偏置电压的变容管单元；每个耦合电感包括至少两个电感堆叠耦合而成的耦合结构，耦合结构两端的两个电感分别为主电感和次电感，主电感与振荡电路相连接并设置为振荡电路提供偏置电压的第一偏置端，次电感与变容管单元相连接并设置为变容管单元提供调谐电压的调谐端；每个变容管单元包括两个变容管对称串联构成的串联结构，每个变容管单元中的两个变容管的公共连接端形成用于为变容管单元提供其偏置电压的第二偏置端。本发明具有低相位噪声、高线性度、高温度稳定性的优点。
变容管电感偏置电压振荡电路耦合电感耦合结构偏置端高温度稳定性调谐低相位噪声公共连接端压控振荡器串联结构电容补偿调谐电压堆叠耦合高线性度主电感并联串联对称加工

[发明专利]硅基InGaAs沟道双栅CMOS器件-CN201611226809.1有效
发明人：常虎东;刘洪刚;夏庆贞;孙兵;王盛凯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基InGaAs沟道双栅COMS器件。本发明采用介质键合方法实现硅基半导体材料与InGaAs沟道双栅CMOS器件的集成，以提高CMOS器件的异构集成度，且双栅结构能够实现器件的低功耗工作，且器件的阈值电压调节更容易。
硅基 ingaas 沟道 coms 器件

[发明专利]共源共栅放大电路及功率放大器-CN201610793670.2有效
发明人：刘洪刚;夏庆贞;常虎东;孙兵;王盛凯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种共源共栅放大电路及功率放大器。所述共源共栅放大电路包括晶体管M1和晶体管M2，M1和M2均为GaAs‑MOSHEMT，所述M1的源极接地，所述M1的栅极作为所述共源共栅放大电路的信号输入端V_in，所述M1的栅极通过扼流电感L1连接负电压源VSS1，所述M1的漏极通过扼流电感L4连接正电压源VDD1，所述M1的漏极通过隔直电容C2连接所述M2的源极，所述M2的源极通过扼流电感L5接地，所述M2的栅极通过扼流电感L2连接负电压源VSS1，所述M2的栅极通过栅极电容C1接地，所述M2的漏极作为放大电路的信号输出端V_out，所述M2的漏极通过扼流电感L3连接正电压源VDD2。本发明的技术方案无需引入额外的升压模块，从而在保证较好的功率放大性能的前提下，降低了设计的复杂度。
共源共栅放大电路功率放大器