“喻鹏飞”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果56个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]记忆体系统及其控制方法-CN202310058705.8在审
发明人： 喻鹏飞;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：一种记忆体系统及其控制方法。本文所揭露的一实施例的内容是关于一种包含一组记忆体单元及记忆体控制器的记忆体装置。在一个态样中，该组记忆体单元中的每一者包含串联连接在对应位元线与对应源极线之间的选择晶体管及储存部件。在一个态样中，记忆体控制器用以：将第一写入电压施加至耦接至选定记忆体单元的位元线；在第一时间周期期间，将第二写入电压施加至耦接至选定记忆体单元的选择晶体管的栅极电极的字元线；及将第三写入电压施加至耦接至选定记忆体单元的源极线。第二写入电压可以介于第一写入电压与第三写入电压之间。
记忆体系统及其控制方法

[实用新型]一种卡车纵梁电磁阀安装通用机构总成-CN202223185583.9有效
发明人：王雄;肖杰;费涛;艾晓亮;白晨;喻鹏飞 -专利权人：陕汽集团商用车有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： F16K31/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种卡车纵梁电磁阀安装通用机构总成，包括：纵梁电磁阀安装前支架，纵梁电磁阀安装前支架的右侧设有纵梁电磁阀安装后支架，纵梁电磁阀安装前支架和纵梁电磁阀安装后支架的下侧分别设有两对螺孔，纵梁电磁阀安装前支架和纵梁电磁阀安装后支架通过电磁阀安装长螺栓连接，通过纵梁电磁阀安装前支架和纵梁电磁阀安装后支架的安装孔采用上下俩个长圆孔，上下俩组孔保证了支架不会随车辆抖动而发生旋转，长圆孔可以根据实际装配情况对支架进行微调；纵梁电磁阀安装前支架和纵梁电磁阀安装后支架形成了管线束固定结构，提高了纵梁空间使用率；在支架悬臂和强度设计结合的情况下留出了充足的纵梁管线布置空间。
一种卡车电磁阀安装通用机构总成

[发明专利]记忆体阵列、位准移位电路以及偏压电路-CN202210266412.4在审
发明人： 喻鹏飞;张盟昇;张彤诚;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：一种记忆体阵列、位准移位电路以及偏压电路，记忆体阵列包含N堆叠通道栅、赋能线、N型金属氧化物半导体堆叠、字元线及电阻元件矩阵。每一N堆叠通道栅包含串联的第1级P型金属氧化物半导体核心装置及第N级P型金属氧化物半导体核心装置。每一第1级P型金属氧化物半导体耦接至电压供应。每一赋能线驱动堆叠通道栅。每一N堆叠选择器包含N型金属氧化物半导体堆叠。每一N型金属氧化物半导体堆叠包含串联的第1级N型金属氧化物半导体核心装置及第N级N型金属氧化物半导体核心装置。每一第1级N型金属氧化物半导体核心装置耦接至接地轨。每一字元线驱动堆叠选择器。每一电阻元件耦接在堆叠通道栅与堆叠选择器之间。电压供应大于核心装置的崩溃电压。
记忆体阵列移位电路以及偏压

[发明专利]感测装置及制造感测放大器的方法-CN202210102363.0在审
发明人：林谷峰;蔡睿哲;喻鹏飞;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本案提供一种感测装置及制造感测放大器的方法，感测放大器包括具有第一输入栅极及第一漏极/源极端子的第一输入晶体管，具有第二输入栅极及第二漏极/源极端子的第二输入晶体管、闩锁电路及第一电容器。闩锁电路包括第一闩锁晶体管及第二闩锁晶体管，第一闩锁晶体管具有连接至第一漏极/源极端子的第三漏极/源极端子，第二闩锁晶体管具有连接至第二漏极/源极端子的第四漏极/源极端子。第一电容器在一侧连接至第一输入栅极并在另一侧连接至第四漏极/源极端子，以减少感测放大器中的耦合效应。
装置制造放大器方法

[发明专利]记忆体装置及其操作方法-CN202210273230.X在审
发明人：李谷桓;张彤诚;喻鹏飞;黄家恩;李俊颖;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：揭示了一种记忆体装置及其操作方法，记忆体装置包括储存位元数据的位元单元。位元单元包括耦合至节点的多个第一晶体管；多个第二晶体管，各个第二晶体管串联耦合至第一晶体管中的相应一者；及至少一第三晶体管。第一晶体管响应于控制信号而开启。第二晶体管响应于第一字线信号而开启。至少一第三晶体管具有用于接收第二字线信号的控制端子。在记忆体装置的程序模式下，至少一第三晶体管响应于第二字线信号提供调整电压至节点。调整电压与至少一第三晶体管的第一端子的电压位准相关联。
记忆体装置及其操作方法

[发明专利]记忆体电路、记忆体装置以及其操作方法-CN202210646306.9在审
发明人：林谷峰;喻鹏飞;张盟昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：在本案的一些态样中，揭示了一种记忆体电路、记忆体装置以及其操作方法。在一些态样中，记忆体电路包括：第一储存元件，此第一储存元件耦接到第一位元线；第一晶体管，此第一晶体管耦接在第一储存元件与中心节点之间；第二储存元件，此第二储存元件耦接到第二位元线；第二晶体管，此第二晶体管耦接在第二储存元件与中心节点之间；以及第三晶体管，此第三晶体管耦接在中心节点与参考节点之间。
记忆体电路装置及其操作方法

[发明专利]离子束蚀刻系统-CN202210842269.9在审
发明人：杨建勋;张克正;杨建伦;喻鹏飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例有关于包含工艺腔的离子束蚀刻系统。工艺腔包含被配置以提供等离子体的等离子体室。此外，工艺腔包含加速器栅，上述加速器栅具有包含第一加速器栅元件及第二加速器栅元件的多个加速器栅元件。第一导线耦接至第一加速器栅元件，被配置以将第一电压供应至第一加速器栅元件。第二导线耦接至第二加速器栅元件，被配置以将不同于第一电压的第二电压供应至第二加速器栅元件。通过第一洞的第一离子束由第一加速器栅元件控制，通过第二洞的第二离子束由第二加速器栅元件控制。
离子束蚀刻系统

[外观设计]相框（透明亚克力悬浮款）-CN202230267169.9有效
发明人：何锐;范伟浩;喻鹏飞 -专利权人：武汉鲁大爷文化创意有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： 06-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：相框（透明亚克力悬浮款）。2.本外观设计产品的用途：用作相片悬浮展示和装饰摆件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
相框透明亚克力悬浮

[发明专利]一种塑木复合材料相框及其制备方法-CN202111455980.0有效
发明人：范伟浩;何锐;喻鹏飞 -专利权人：武汉兀艺工舍文化有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C08L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种塑木复合材料相框，其框条由以下按质量份数计的原料制备而成：聚氯乙烯塑料粒子100份、木粉45份、平均粒径为30‑50μm的凹凸棒石粘土24‑30份、介孔分子筛1‑1.2份、氯化聚乙烯5‑8份、发泡剂1‑2份、铅盐类热稳定剂1.8‑2份、金属皂类热稳定剂3.2‑4份和环氧增塑剂1.2份。本发明还保护上述塑木复合材料相框的制备方法。本发明制备的塑木复合材料相框，其框条不仅密度低、脆性小，而且硬度大，同时还能具有高强度，且抗冲击性能优异，与现有相框相比，具有极大的市场竞争力，此外，其制备方法简单、过程易于控制，生产成本低，生产效率高。
一种塑木复合材料及其制备方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210529991.7在审
发明人：杨建勋;喻鹏飞;张克正;杨建伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及制造所述半导体装置的方法，此半导体装置具有不同配置的纳米结构通道区。所述半导体装置包括设置在基板上的鳍式结构、设置在鳍式结构上的纳米结构水平通道(nanostructured horizontalchannel；NHC)区堆叠、设置在NHC区堆叠内的纳米结构垂直通道(nanostructured vertical channel；NVC)区、设置在鳍式结构上的源极/漏极(source/drain；S/D)区，以及设置在NHC区和NVC区未被NHC区覆盖的多个部分和鳍式结构上的栅极结构。
半导体装置形成方法

[发明专利]记忆体装置、记忆体系统以及操作记忆体装置的方法-CN202210028486.4在审
发明人：山内善高;张盟昇;野口纮希;喻鹏飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本揭示文件的一些态样提出一种记忆体装置、记忆体系统以及操作记忆体装置的方法。此记忆体装置包含以多个行与多个列所排列的多个记忆体单元；多条字元线各自耦接至相对应的一行上的记忆体单元；多条位元线各自耦接至相对应的一列上的记忆体单元；以及多条第二字元线各自耦接至相对应的一列的记忆体单元。
记忆体装置系统以及操作方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210523144.X在审
发明人：杨建勋;喻鹏飞;张克正;杨建伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文公开具有栅极结构的不同配置的一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括：多个纳米结构通道区的一堆叠物，置于一鳍状物结构上；一第一栅极结构，置于上述纳米结构通道区的上述堆叠物内；一第二栅极结构，其在一第一轴的四周围绕上述第一栅极结构且在一第二轴的四周围绕上述纳米结构通道区的上述堆叠物，上述第二轴异于上述第一轴；以及一第一接触结构与一第二接触结构，分别置于上述第一栅极结构上及上述第二栅极结构上。
半导体装置制造方法

[外观设计]相框（木质圆角款）-CN202230260010.4有效
发明人：何锐;范伟浩;喻鹏飞 -专利权人：武汉鲁大爷文化创意有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： 06-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：相框（木质圆角款）。2.本外观设计产品的用途：用作相片展示和装饰摆件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
相框木质圆角款

[发明专利]离子束蚀刻系统-CN202210329815.9在审
发明人：杨建勋;张克正;杨建伦;喻鹏飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开关于一种离子束蚀刻系统，包括配置以提供等离子体的等离子体腔室、屏栅、萃取格栅、加速器格栅和减速器格栅。屏栅接收屏栅电压以从等离子体腔室内的等离子体中萃取离子以形成穿过孔洞的离子束。萃取格栅接收萃取格栅电压，其中屏栅电压与萃取格栅电压之间的电压差决定离子束的离子电流密度。加速器格栅接收加速器格栅电压。萃取格栅电压和加速器格栅电压之间的电压差决定离子束的离子束能量。离子束蚀刻系统可更包括偏转器系统，偏转器系统具有位于孔洞周围的第一偏转器板和第二偏转器板，以控制离子束的方向。
离子束蚀刻系统

[发明专利]用于实时补偿控制蚀刻工艺的设备、系统和方法-CN202210128406.2在审
发明人：杨建勋;杨建伦;张克正;喻鹏飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于蚀刻工艺的实时补偿控制的设备、系统及方法，所述设备包含光束调节组合件以及机器学习装置。光束调节组合件配置成向所处理的衬底输出一或多个波长且从衬底接收一或多个反射波长。机器学习装置配置成处理一或多个反射波长以预测工艺变量且将所预测的工艺变量与所测量的工艺变量进行比较以获得比较结果。
用于实时补偿控制蚀刻工艺设备系统方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 56 条