专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]芯片封装缺陷检测方法和系统-CN202310339218.9有效
  • 唐怀军;窦静 - 广东仁懋电子有限公司
  • 2023-04-02 - 2023-06-16 - G06T7/00
  • 本发明涉及芯片封装缺陷检测方法和系统,通过直接采集包含芯片封装的图像,并提取出图像中的芯片边缘、芯片主体区域、以及芯片主体区域与芯片管脚的交点;并基于芯片边缘生成第一中心,基于芯片主体区域与芯片管脚的交点生成第二中心,以及基于芯片主体区域生成质心,进而将复杂的封装图像特征转换为三个特征点,进而判断相关位置是否存在缺陷;如果第一中心的位置与标准位置接近或者一致,则可以判断芯片边缘无缺陷,如果第二中心的位置与标准位置接近或者一致,则可以判断芯片引脚处无缺陷,如果质心的位置与标准位置接近或者一致,则可以判断芯片主体封装无缺陷。从而可以实现对芯片封装的高效检测。
  • 芯片封装缺陷检测方法系统
  • [发明专利]用于实现氮化镓制备场景下的设备组合分析方法及系统-CN202310227503.1有效
  • 窦静;唐怀军 - 广东仁懋电子有限公司
  • 2023-03-10 - 2023-05-30 - G06F30/20
  • 本发明涉及氮化镓制备技术领域,揭露了一种用于实现氮化镓制备场景下的设备组合分析方法及系统,该方法包括:获取氮化镓在目标制备场景下的初始设备组合方法,查找初始设备组合生成的氮化镓之别制备数据,提取氮化镓制备数据中预设制备指标的指标数据,并计算每个指标数据的指标权重;根据指标数据及对应的指标权重查找与初始设备组合方法之间相近的设备组合实例集;计算设备组合实例集中实例指标数据与指标数据之间的数据差异,根据数据差异生成优化设备组合方法;初始化氮化镓制备约束条件,根据所述约束条件对优化设备组合方法进行优化,得到目标制备场景下的最优设备组合方法。本发明可以提高氮化镓制备场景下的氮化镓生产性能。
  • 用于实现氮化制备场景设备组合分析方法系统
  • [发明专利]一种场效应晶体管及制备方法-CN202310115178.X有效
  • 窦静;唐怀军 - 广东仁懋电子有限公司
  • 2023-02-15 - 2023-05-23 - H01L29/78
  • 本申请涉及一种场效应晶体管及制备方法,场效应晶体管包括半导体衬底、间隔设在半导体衬底上的多个鳍片、设在鳍片两端的掺杂区、包裹上鳍片中间部分上的氧化物隔离以及包裹氧化物隔离上的金属栅极,每个鳍片上设有两个氧化物隔离,属于同一个鳍片的两个氧化物隔离位于半导体衬底的两侧,相邻的金属栅极间使用绝缘材料隔绝。本申请公开的场效应晶体管及制备方法,使用多鳍片结构设计和鳍片单独控制的方式使场效应晶体管可以通过鳍片单独开启和组合开启的方式来得到不同的输出电流,具有更佳的电学性能。
  • 一种场效应晶体管制备方法
  • [发明专利]一种掺Cr3+-CN201910855957.7有效
  • 汪正良;唐舒;周强;王凯民;唐怀军;罗利军;郭俊明 - 云南民族大学
  • 2019-09-11 - 2023-05-19 - C09K11/61
  • 本发明涉及无机功能材料领域,公开了一种可见光激发的掺Cr3+的六氟硅酸盐近红外发光材料及其合成方法。本发明可见光激发的掺Cr3+的六氟硅酸盐近红外发光材料的化学组成为K2Si1‑xF6:xCr3+;x为相应掺杂Cr3+离子相对Si4+离子所占的摩尔百分比系数,0x≤0.20。本发明所涉及的红色发光材料在蓝光激发下,以730 nm左右的红光发射为主,发光效率较高。本发明所涉及的可见光激发的掺Cr3+的六氟硅酸盐近红外发光材料的制备方法为液相法,在常温下进行,合成条件温和,合成工艺简单,适合大规模工业化生产。
  • 一种crbasesup
  • [发明专利]提升碳化硅MOS管制备效果的方法、系统、设备及介质-CN202310217261.8有效
  • 徐建;唐怀军 - 广东仁懋电子有限公司
  • 2023-03-08 - 2023-05-05 - H01L21/66
  • 本发明涉及MOS管制备技术,揭露了一种提升碳化硅MOS管制备效果的方法、系统、设备及介质,所述方法包括:获取历史制备数据,对历史制备数据进行标准化处理,得到标准数据;根据标准数据进行计算寄生参数,利用校正参数对寄生参数进行校正,得到标准寄生参数;获取杂散参数,监测标准寄生参数及杂散参数的数值变换,得到监测数据;当监测数据异常时,从监测数据中提取制备过程中的杂散参数,对制备过程中的杂散参数进行修正处理,得到更新后的杂散参数;监测标准寄生参数及更新后的杂散参数的数值变换,得到更新后的监测数据,直至更新后的监测数据达到指标参数标准,完成碳化硅MOS管的制备。本发明可以提高碳化硅MOS管的制备效果。
  • 提升碳化硅mos制备效果方法系统设备介质
  • [发明专利]一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法及系统-CN202310159099.9有效
  • 徐建;唐怀军 - 广东仁懋电子有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-04-25 - G06F30/20
  • 本发明涉及人工智能技术领域,揭露了一种用于实现氮化镓的电路高频封装方法和系统,该方法包括:对获取的氮化镓的历史封装数据进行因素分类,得到历史封装数据的分类因素;确定分类因素中的可变因素,根据可变因素和预设的散热函数建立氮化镓的封装散热模型;获取封装材料的实时数据,根据实时数据确定封装材料的实时散热量;根据实时数据和实时散热量对封装散热模型进行模型训练,得到训练完成的封装散热模型;根据训练完成的封装散热模型生成封装材料的材料值,利用材料值对氮化镓进行电路高频封装。本发明还提出一种用于实现氮化镓的电路高频封装系统,本发明可以解决基于氮化镓的电路高频封装时的封装材料散热量较小的问题。
  • 一种用于实现氮化电路高频封装方法系统
  • [发明专利]一种切线定位机构-CN202211637876.8在审
  • 唐怀军 - 广东仁懋电子有限公司
  • 2022-12-17 - 2023-04-04 - B21F11/00
  • 本申请涉及一种切线定位机构,其包括限位组件、导线载具组件、导线切割组件和光学测距组件,所述限位组件用于固定集成电路板,导线能够沿所述导线载具组件伸出,所述导线切割组件用于切割沿所述导线载具组件伸出的导线,所述导线切割组件能够相对所述限位组件移动,所述光学测距组件用于测量所述导线切割组件与所述限位组件的间距,所述光学测距组件用于控制所述导线切割组件切割导线。本申请具有使导线与集成电路板键合以后,导线与集成电路板的契合度更高的效果。
  • 一种切线定位机构
  • [发明专利]焊线位置检测方法、装置、设备及介质-CN202211231223.X在审
  • 仇亮;唐怀军;黄耀祖 - 广东仁懋电子有限公司
  • 2022-10-09 - 2023-03-21 - B23K31/12
  • 本申请公开了一种焊线位置检测方法、装置、设备及介质,其中,该焊线位置检测方法包括:通过焊接治具对在焊接区域内的物件进行焊接,并通过焊接治具对物件进行焊接;通过影像检测系统获取焊线图像,并与设定的标准检测模板进行对比,确定焊线图像是否满足设定的标准检测模板;若否,则通过焊线机自动停机,并进行报警;通过调整的焊线机的焊接治具后,重复执行对物件进行焊接的步骤,直至焊线图像满足设定的标准检测模板。该方法可以在焊接过程中出现异常时,就可以对物件进行及时检测,及时扼制出现异常情况后的一段时间内未检测出异常,而产生的生产过程中物件的异常消耗,从而保证了设备的生产良率。
  • 位置检测方法装置设备介质
  • [发明专利]一种Cr3+-CN202211435677.9在审
  • 周强;褚玲香;万婧;汪正良;唐怀军 - 云南民族大学
  • 2022-11-16 - 2023-03-14 - C09K11/85
  • 本发明属于发光材料技术领域,公开了一种Cr3+掺杂的六氟钪酸盐近红外荧光粉,化学组成为Rb2NaSc1‑xF6:xCr3+,其中,x为掺杂的Cr3+相对于基质中Sc3+所占的摩尔百分比系数,且0x≤0.07。本发明以正三价过渡金属铬离子为发光中心,通过正三价铬离子对基质中正三价钪离子格位的取代,实现化学式组成为Rb2NaSc1‑xF6:xCr3+的发光材料,在紫外区、蓝光区的吸收和在近红外光区的发射,且Cr3+的掺杂不会改变基质材料的晶格结构。
  • 一种crbasesup
  • [发明专利]一种LEDs用可蓝光激发二维共价有机框架黄光材料的制备-CN202210737825.6在审
  • 唐怀军;李相华;高龙;李文耀;汪正良;周强 - 云南民族大学
  • 2022-06-27 - 2022-12-23 - C08G61/02
  • 本发明涉及一种新型二维共价有机框架黄光材料(英文缩写名为:COF‑ETBA‑Ph),纯粉末最大发射波长(λem,max)为610nm,将其以0.6%掺杂到环氧树脂后最大发射波长蓝移至586nm,该材料可被蓝光有效激发,可应用于制备蓝光芯片激发的白光LEDs和黄光LEDs。具体内容包括二维共价有机框架黄光材料的合成及LEDs的制备。该材料以4,4',4”,4”'‑(乙烯‑1,1,2,2‑四酰基)四苯甲醛(ETBA)和四乙基(1,4‑亚苯基双(亚甲基))双(膦酸酯)(TPMP)为原料合成,不含任何金属元素,具有热稳定性高、发光效率良好、合成工艺简单、价格低廉、可持续获得等优点。将该黄光材料以一定质量百分比掺杂到环氧树脂中,以GaN蓝光芯片(λem,max=455nm)作为激发光源,可制得性能较好的白光LEDs和黄光LEDs。该黄光材料应用于LEDs时发光性能良好,操作简便,成本低廉,有着很好的应用前景。
  • 一种leds用可蓝光激发二维共价有机框架材料制备
  • [发明专利]一种Mn4+-CN201811202804.4有效
  • 汪正良;李虹;杨兆峰;陈宇;周强;唐怀军;王凯明;郭俊明 - 云南民族大学
  • 2018-10-16 - 2022-12-06 - C09K11/72
  • 本发明涉及无机功能材料领域,公开了一种Mn4+掺杂的碱金属氟磷酸盐红色发光材料及制备方法。本发明一种Mn4+掺杂的碱金属氟磷酸盐红色发光材料的化学组成为AP1‑xF6:xMn4+;x为相应掺杂Mn4+离子相对P5+离子所占的摩尔百分比系数,0x≤0.10;A为Cs、Rb、K。本发明所涉及的红色发光材料在蓝光激发下,以633 nm左右的红光发射为主,发光效率高。本发明所涉及的Mn4+掺杂的碱金属氟磷酸盐红色发光材料的制备方法为离子交换法,合成工艺简单,适合大规模工业化生产。
  • 一种mnbasesup
  • [发明专利]一种提升工业循环水效能的控制方法-CN202211081995.X在审
  • 薛琨;袁林;王相锋;唐怀军;卢继川;于维方 - 山东钢铁集团日照有限公司
  • 2022-09-06 - 2022-11-29 - F25D17/02
  • 本发明公开了一种提升工业循环水效能的控制方法,包括以下步骤:通过统计排查各循环水用水点回水管路管径、数量、用水需求量,确定增加的流量调节阀的型号、数量;在各循环水用户点的换热器循环水回管路上、供水总管上增加温度、压力、流量传感器,在进水管路加装带开度指示要求及电动执行机构的流量调节阀门、供水高压水泵并增加变频控制系统;设置主从PLC控制系统,设置调节阀开度与进回水温差进行联锁控制,当热源发生变化,为保证用户设备冷却,冷却水量需求改变,调节阀开度会随之改变,各换热器实时用水量根据工艺生产需要实时调节功能,调节阀开度调整引发主PLC控制系统的联锁控制,水泵转速实现自动调节,从而实现管网压力的稳定时输出。
  • 一种提升工业循环效能控制方法

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