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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非易失性存储器及其电压校准方法-CN202110013230.1有效
发明人：周星;周第廷;黄雪青;陈少波;李萌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本申请公开了一种非易失性存储器的电压校准方法。非易失性存储器包括多个存储单元以及用于控制所述多个存储单元的操作的内部控制电路。该方法包括：由所述内部控制电路将接收到的用于校准所述读取电压的数据写入到所述多个存储单元中；由所述内部控制电路，通过目标电压读取所述多个存储单元中的所述数据而获得目标误码率，所述目标电压是从多个电压中依次选出的；以及由所述内部控制电路将多个误码率中最小的误码率所对应的电压确定为读取电压，其中所述目标误码率是所述多个误码率中的一个。
非易失性存储器及其电压校准方法

[发明专利]一种提升闪存芯片性能的方法-CN201611161176.0有效
发明人：陆磊;周第廷 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种提升闪存芯片性能的方法，包括：以一第二擦除参考电流为标准对每个扇区分别进行擦除操作；以一第二规格时间为标准分别判断每个扇区的擦除时间是否超时，并记录所有超时的扇区；搜寻超时的扇区中擦除最慢的存储单元，并分别记录每个超时的扇区中擦除最慢的存储单元的地址；对每个地址分别进行分析，以根据分析结果分别对每个地址对应的存储单元进行修复；上述技术方案通过将标准的第一擦除参考电流提高以将隐藏更深的擦除慢的存储单元暴露出来，同时能够消除对正常的存储单元误搜寻，从而避免因此问题引起需修复的存储单元过多导致芯片无法正常修复的问题。
一种提升闪存芯片性能方法

[发明专利]存储单元扭曲测量方法-CN201710261598.3有效
发明人：刘磊;陆磊;周第廷 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G01B21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储单元扭曲测量方法，所述存储单元扭曲测量方法包括：确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线；计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差；其中，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比。本发明中的存储单元扭曲测量方法，通过得到的一个或多个方差值来度量存储单元扭曲程度的值，只使用普通的扫描装置和计算单元即可实现，克服了现有技术中手动测量的精度低、误差大、操作繁琐的问题。
存储单元扭曲测量方法

[发明专利]一种对失效芯片进行电性失效分析的方法-CN201510071049.0有效
发明人：陆磊;周第廷 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，通过在CP测试过程中记录芯片的特性参数，在CP测试最后将收集到的芯片特性参数写入安全寄存器内，并使其变为只读状态，以便于在后续的电性失效分析中，能快速高效得到初始CP中芯片的特性参数，因此一定程度上节约人力和测试机台成本，提高后期对芯片的分析效率。
失效分析电性失效芯片特性参数半导体制造技术安全寄存器测试过程测试机台分析效率记录芯片芯片特性只读状态中芯片写入芯片测试节约

[发明专利]一种电性失效分析方法-CN201510071658.6有效
发明人： 周第廷;陆磊;张顺勇 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电性失效分析方法，利用存储单元的电流拼图进行一种直观性，准确性和高效性的电性分析测试，电流高低不同的存储单元会以深浅不一的颜色显示出来，而不是像比特拼图只能表示存储单元是处于‘0’还是‘1’状态，可以清楚地知道失效地址是硬失效还是边缘失效，因此发现一些比特拼图不能发现电性失效图案对应的物理位置，给后续物理失效分析指明确切的分析方向，从而提高分析效率和失效案例的命中率。
一种失效分析方法

[发明专利]一种失效分析系统-CN201410266804.6在审
发明人：张顺勇;周第廷;高慧敏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种失效分析系统，涉及集成电路失效分析技术领域，通过将测试流程和测试条件写入单片机，然后利用该单片机来控制并实现对芯片的动态热点分析：包括电源短路测试、各种漏电测试、功能测试等多种循环测试，从而无需对测试机进行频繁的移动，进而不会影响到测试机的性能。
一种失效分析系统

[发明专利]电性失效分析的测试方法及装置-CN201210093391.7有效
发明人： 周第廷;陆磊;张宇飞;谢振;陈宏领 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G01R31/302 文献下载
摘要：本发明提供了一种电性失效分析的测试方法，包括：提供电性失效分析中各测试项的测试项函数；根据电性失效分析的测试需求，确定电性失效分析的测试项，基于测试项形成测试项关联数据，测试项关联数据与对应的测试项函数关联；提供对应测试需求的测试文件，测试文件包括关联于测试项的测试项关联数据及对应的测试参数；运行测试文件，获取测试结果；根据测试结果和测试需求，在需修改测试文件时，调整所述测试参数。本发明还提供了一种电性失效分析的测试装置。本发明提供的技术方案无需了解测试程序即可修改测试参数并且无需反复加载和编译测试程序即可灵活改变测试流。
失效分析测试方法装置

[发明专利]一种闪存的测试方法-CN201010619789.0有效
发明人：何永;陈宏领;林岱庆;周第廷;谢振;黄雪青;张宇飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存的测试方法，所述闪存分为若干区块，所述区块中包括若干存储单元，所述测试方法包括以下步骤：设定存储单元栅电压的工作优化范围；读取所述区块中存储单元的栅电压，判断所述区块中存储单元栅电压是否均位于所述工作优化范围内，是则标记为正常区块，否则标记为薄弱区块。对所述薄弱区块进一步测试，以进一步区分正常区块和失效区块；生成测试结果。本发明所述闪存的测试方法是利用存储单元栅电压的工作优化范围初步读取闪存中存储单元的数据找出薄弱存储区块，仅对薄弱存储区块进行进一步测试，生成测试结果。相比现有技术对闪存中所有区块的存储单元进行测试，本发明大大缩短了测试时间和测试成本。
一种闪存测试方法

[发明专利]存储单元失效分析的测试方法-CN200910055387.X有效
发明人： 周第廷;张宇飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提出一种存储单元失效分析的测试方法，包括：定义内存区域，所述内存区域中的内存单元与芯片上存储单元数量及位置一一对应；对存储单元进行可调数值范围内的加压，测量得到各存储单元的阈值电压，并将与阈值电压相关的步进值信息存入内存区域对应的内存单元位置，直至所有存储单元的阈值电压都能测试得到；读出内存区域中的与阈值电压相关的步进值信息，生成数据文件；对数据文件进行分析得到阈值电压对应存储单元位置的信息，同时能计算出整个存储芯片阈值电压分布的信息。本发明能很精确地进行阈值电压失效点的定位，提高了测试效率。
存储单元失效分析测试方法

[发明专利]获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法与装置-CN200710094553.8有效
发明人：杨成兴;周第廷;黄仁德;张雅礼;陈宏领;缪威权 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法，对非挥发存储器的模块进行测试，确定失效的模块，并得到失效模块的失效类型与相应的失效地址信息；提供一个测试命令集，分别采用测试命令集内的每一个测试命令，对失效类型与该测试命令相对应的失效模块中的二进制位进行测试，确定失效二进制位的地址和失效类型。本发明还提供了一种获取非挥发存储器中失效二进制位地址分布信息的装置。本发明提供的技术方案可以节约测试时间，降低测试对器件的损伤。
获取挥发存储器失效二进制位分布信息方法装置

[发明专利]半导体存储器的写入方法-CN200710041097.0有效
发明人：缪威权;陈宏领;周第廷;闻华;俞苔云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-05-23 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器的写入方法，提供半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，包括，在存储器的栅极施加第一电压；在存储器的源极施加第二电压；在存储器的漏极施加第三电压，并逐渐递减；在存储器的半导体衬底施加第四电压。本发明半导体存储器减小了写入扰乱，防止了存储器的损坏，减少了写入时间，增加了写入操作效率。
半导体存储器写入方法

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