专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]压力传感器和电子设备-CN202310764062.9在审
  • 王栋杰;陈磊;张强;胡洪;王雨晨;周汪洋;周志健 - 歌尔微电子股份有限公司
  • 2023-06-26 - 2023-10-10 - G01L9/06
  • 本申请实施例提供了一种压力传感器和电子设备,压力传感器包括支撑层,支撑层包括支撑本体、第一空腔和第二空腔;敏感层,敏感层设置于支撑层的第一表面并且覆盖第二空腔,第二空腔的真空度大于第一空腔;压力器件,压力器件设置于敏感层中,第一类压力器件与第一空腔的边缘相对,第二类压力器件与第二空腔的边缘相对;温度器件,温度器件设置于第一类压力器件和第二类压力器件之间。通过温度器件可以同时测量第一类压力器件和第二类压力器件位置的温度,以对第一类压力器件和第二类压力器的压力输出进行温度补偿,提升了压力传感器的压力测试精度和灵敏度。
  • 压力传感器电子设备
  • [发明专利]传感器和电子设备-CN202110227060.7有效
  • 安琪;冷群文;邹泉波;周汪洋;丁凯文;赵海轮;周良 - 歌尔微电子股份有限公司
  • 2021-03-01 - 2023-06-23 - G01D5/12
  • 本发明公开一种传感器和电子设备,其中,传感器包括:固定部;振动部,所述振动部连接所述固定部,并可相对所述固定部往复振动;永磁体,所述永磁体设于所述振动部,并跟随所述振动部振动;功能传感器,所述功能传感器设于所述固定部,所述功能传感器被配置为在所述振动部振动过程中感应所述永磁体的磁场变化,而输出变化的电信号;以及校准传感器,所述校准传感器设于所述振动部,并跟随所述振动部振动,所述校准传感器被配置为感应所述永磁体的磁场,而对所述功能传感器输出的电信号进行修正。本发明技术方案能够提高传感器的精度和准确度。
  • 传感器电子设备
  • [发明专利]压力传感器的制作方法及压力传感器-CN202211695220.1在审
  • 陈磊;周志健;张强;朱恩成;王栋杰;王雨晨;周汪洋 - 歌尔微电子股份有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-04-18 - H01L21/822
  • 本发明提供一种压力传感器的制作方法及压力传感器,压力传感器的制作方法包括以下步骤:提供一顶硅片,在顶硅片上形成第一掩蔽层;提供一底硅片,在底硅片上形成一空腔;将顶硅片和底硅片键合;将顶硅片减薄抛光,形成一压力传感器的感压薄膜;在感压薄膜制作第二掩蔽层,并进行光刻图形化形成图形层;通过离子注入或者扩散方式,在对应图形层的位置形成多个P型轻掺杂区;在部分P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区;通过离子注入或者扩散方式,形成N型重掺杂区;制作电极与N型重掺杂区和P型重掺杂区连接。该压力传感器的制作方法具有高集成度、高灵敏度、小型化,高通用性、可检测传感器温度,实时温度校准的优点。
  • 压力传感器制作方法
  • [发明专利]传感器和电子设备-CN202110227552.6有效
  • 安琪;冷群文;邹泉波;周汪洋;丁凯文;赵海轮;周良 - 歌尔微电子股份有限公司
  • 2021-03-01 - 2022-12-23 - G01R33/09
  • 本发明公开一种传感器和电子设备,其中,传感器包括:衬底;第一传感单元,第一传感单元对第一传感轴方向的磁场进行检测,第一传感单元包括设置于衬底上的两个第一磁阻模块和两个第二磁阻模块,第一磁阻模块和第二磁阻模块连接形成全桥电路;定义第一磁阻模块的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角为α,定义第二磁阻模块的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角为β,α和β互为补角;以及多个磁通聚集器,多个磁通聚集器设于衬底上,相邻两磁通聚集器间形成磁间隙,每个第一磁阻模块和每个第二磁阻模块分别位于一所述磁间隙。本发明技术方案能提高传感器的检测灵敏度。
  • 传感器电子设备
  • [发明专利]传感器和电子设备-CN202110227553.0有效
  • 安琪;冷群文;邹泉波;周汪洋;丁凯文;赵海轮;周良 - 歌尔微电子股份有限公司
  • 2021-03-01 - 2022-12-23 - H04R9/02
  • 本发明公开一种传感器和电子设备,其中,传感器固定部;振动部,所述振动部连接于所述固定部,并可相对所述固定部振动;以及至少两个传感单元,每个所述传感单元均包括至少一个永磁体和至少四个功能传感元件,所述永磁体设于所述振动部,所述功能传感元件设于所述固定部,每个所述传感单元内的四个所述功能传感元件连接形成一级全桥结构;四个所述一级全桥结构连接形成二级全桥结构。本发明技术方案能够提高传感器输出信号的精度。
  • 传感器电子设备
  • [发明专利]MEMS传感器及电子设备-CN202110227554.5有效
  • 周汪洋;邹泉波;冷群文;安琪;赵海轮;丁凯文;周良 - 歌尔微电子股份有限公司
  • 2021-03-01 - 2022-11-22 - H04R19/04
  • 本发明公开一种MEMS传感器及电子设备,其中,MEMS传感器包括:振膜层,振膜层包括固定部以及可相对固定部振动的敏感部;检测件,检测件包括依次连接的第一磁阻单元和第二磁阻单元,第一磁阻单元的长轴方向和第二磁阻单元的长轴方向呈夹角设置,且夹角小于180°;导线,导线的延伸方向与第一磁阻单元和第二磁阻单元的排列方向平行;检测件和导线分别固定在固定部和敏感部上,第一磁阻单元的参考层的磁化方向垂直于第一磁阻单元的长轴方向且朝向导线,第二磁阻单元的参考层的磁化方向垂直于第二磁阻单元的长轴方向且背向导线。本发明技术方案能够降低生产成本和电路设计复杂性,易于实施制作,并可提高检测灵敏度。
  • mems传感器电子设备
  • [发明专利]压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备-CN202211013110.2在审
  • 丁凯文;朱恩成;周汪洋;张强;陈磊 - 歌尔微电子股份有限公司
  • 2022-08-23 - 2022-11-18 - H01L21/265
  • 本发明提供一种压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备,压力传感器的制作方法包括以下步骤:在第一图形层的第一区域和第二图形层的第一区域通过离子注入在衬底上形成P型重掺杂层;在第一图形层的第二区域和第二图形层的第二区域通过离子注入在衬底上形成P型轻掺杂层;在第二图形层的对应的缓冲层注入N型重掺杂离子;退火以使得N型重掺杂离子自缓冲层扩散形成第一N型重掺杂层和第二N型重掺杂层,第一N型重掺杂层由N型重掺杂离子扩散至P型轻掺杂层形成,且第一N型重掺杂层不穿透P型轻掺杂层;在缓冲层上设置电极。该压力传感器的制作方法具有制作工艺简单、制造成本低的优点。
  • 压力传感器制作方法电子设备
  • [发明专利]磁传感器的制备方法-CN202011222661.0有效
  • 赵海轮;冷群文;邹泉波;安琪;周汪洋;丁凯文;周良 - 歌尔微电子有限公司
  • 2020-11-05 - 2022-07-22 - H01L43/12
  • 本发明公开一种磁传感器的制备方法,包括以下步骤:提供半导体衬底,在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层,在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层,采用光刻技术在所述磁阻复合层表面形成沉积槽,并在所述沉积槽内形成薄膜电极;在所述磁阻复合层以及所述薄膜电极的表面形成第二绝缘层,采用光刻技术去除所述工艺磁阻复合层对应的所述第二绝缘层,以使得所述工艺磁阻复合层表面显露;以所述有效磁阻复合层对应的第二绝缘层为硬质掩膜,刻蚀所述工艺磁阻复合层;采用光刻技术去除部分所述硬质掩膜,以使得所述薄膜电极的表面至少部分显露,提高了所述有效磁阻复合层成型精度,进而提高了产品质量,具有较好的效果。
  • 传感器制备方法

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