“吴永皓”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]输入输出器件和集成电路及制造方法-CN201710552009.7有效
发明人：蒲月皎;吴永皓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种输入输出器件和集成电路及制造方法，所述输入输出器件的多层功函数层在输入输出区的栅极开口底部横向上的覆盖情况不一致，即形成了在输入输出区的金属栅电极层底部横向上不均匀分布的多层功函数层，可以减小输入输出器件的源漏区靠近其金属栅极叠层结构的界面处的电场，大大改善了输入输出器件的GIDL效应，进而有效减少输入输出器件的漏电流，提高了输入输出器件及整个集成电路的可靠性。
输入输出器件集成电路制造方法

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN201410101127.2有效
发明人：蒲月皎;吴永皓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供了一种图像传感器及其制作方法。图像传感器包括衬底，衬底包括多个有源区和用于隔离多个有源区的隔离结构，每个有源区包括光电感应区和传输控制区，每个光电感应区包括用于形成光电感应结构的第一掺杂区以及第二掺杂区，其中，第一掺杂区与第二掺杂区的掺杂类型相反，第一掺杂区和/或第二掺杂区具有梳齿状结构。本申请将第一掺杂区和/或第二掺杂区设置为梳齿状结构，因而，在有限的大小/面积内，增大了光电二极管的电容。由于光电二极管的电容增大，因而，可以接收更强的光线而不会发生饱和的现象，因而，采用上述结构的图像传感器，其所能接收的光强范围比现有技术中的图像传感器所能接收的光强范围更大。
掺杂区图像传感器源区光电二极管光电感应区梳齿状结构衬底光强光电感应结构掺杂类型电容增大隔离结构控制区电容申请制作饱和隔离传输

[实用新型]有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置-CN201020599558.3有效
发明人：曾德强;吴永皓;朱海波;严凯;蒋荣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蚀刻装置，尤其涉及一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置。这种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，包括基座、用于吸附晶圆的晶圆吸附盘和调焦环，所述晶圆吸附盘设于所述基座上方，所述调焦环环绕设置于所述晶圆的外侧，所述调焦环的下部设有供冷却剂流通的第一冷却通道。本实用新型有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，结构简单、使用方便，通过在调焦环的背部增设供冷却剂流通的第一冷却通道来控制晶圆边缘的温度，从而控制晶圆边缘部分的关键尺寸。
有效控制边缘部分关键尺寸蚀刻装置

[发明专利]半导体器件灰化制程的检测方法和电特性的检测方法-CN200910056617.4有效
发明人：曾德强;吴永皓;段晓斌;杨荣华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的灰化制程及电特性的检测方法，所述灰化制程的检测方法和电特性的检测方法，均通过灰化制程会产生一层氧化层，通过测试所述半导体的厚度来判断灰化制程是否合格和半导体期间的电特性是否符合要求。
半导体器件灰化检测方法特性

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN200710039478.5无效
发明人：霍介光;杨建平;吴永皓;蒲月皎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-13 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器，包括：位于相邻像素单元区域的光电二极管区域之间的器件隔离层；位于半导体衬底表面下光电二极管区域的具有第一导电类型的第一掺杂阱及位于第一掺杂阱下具有第二导电类型的第二掺杂阱；在半导体衬底中还形成贯穿器件隔离层的深沟槽，所述深沟槽的底部位于第二掺杂阱之下。本发明通过采用深沟槽对像素单元之间的光电二极管区域进行隔离，能够有效地阻止相邻像素单元的光电二极管区域产生漏电流；同时由于深沟槽贯穿器件隔离层，其底部位于光电二极管的第一掺杂阱之下，因此没有减小光电二极管区域面积，使得光电二极管性能得到保证。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610024869.5有效
发明人：杨建平;霍介光;辛春艳;蔡巧明;吴永皓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-03-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器包括光电二极管区和逻辑区，光电二极管区包括复位晶体管与光电二极管，光电二极管具有第一极与第二极，第一极具有环绕场氧化区下方及侧壁的掩埋区，以及至掩埋区上端向复位晶体管方向延伸的针形区。相应，CMOS图像传感器的制造方法包括：形成限定场区和有源区的沟槽；形成掺杂区；在沟槽及掺杂区的下方注入第一杂质离子形成光电二极管的第一极的掩埋区及针形区；在沟槽内填入硅氧化物质形成场氧化区；在第一极的上方注入第二杂质离子形成光电二极管的第二极。本发明的掩埋区将光电二极管的节与场氧化区底部和边缘隔离，从而消除了场氧化区底部和边缘可能存在的暗电流，针形区由于没有被场氧化区覆盖，而对光具有极高的敏感度。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]在半导体制程中改善足部效应缺陷的方法-CN200310109108.6无效
发明人：廖国彰;吴永皓;罗思齐;郭明升;王刚宁;席华萍;刘智敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明关于一种于半导体制程中，图形重制时可改善足部效应缺陷(Footing Defect)的方法，包括：首先，形成一氮氧化硅(SiON)层，并于氮氧化硅层表面上形成光阻层。在光阻显影(Develop)后，发现有些问题，需进行REWORK(重制/返工)。REWORK(重制/返工)时，先去除光阻(Photo－resistAshing)。接着，再以光刻胶去除剂(EKC Solvent)清理氮氧化硅层表面。之后，在氮氧化硅层表面上进行氧处理(OxygenTreatment)步骤。最后，返回PHOTO曝光。
半导体制程中改善足部效应缺陷方法