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[发明专利]处理管芯与存储器管芯之间的通信接口结构-CN202110605536.6在审
发明人：廖伟杰;毅格艾尔卡诺维奇;张鸿仪;叶力垦;柳锺凌 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种用于处理管芯与存储器管芯之间连接的通信接口结构，包含存储器管芯、处理管芯以及互连路由。存储器管芯包含第一接口边缘，其中第一接口边缘拆分成多个接口组。处理管芯中的每一个包含第二接口边缘。互连路由分别将处理管芯的第二接口边缘连接到存储器管芯的接口组。
处理管芯存储器之间通信接口结构

[发明专利]具有接口的半导体器件及半导体器件的接口管理方法-CN202011402870.3在审
发明人：毅格艾尔卡诺维奇;阿姆农帕纳斯;喻珮;叶力垦;方勇胜;林圣伟;黄智强;谭竞豪;陈卿芳 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种具有接口的半导体器件及半导体器件的接口管理方法，所述具有接口的半导体器件包括主器件以及多个从器件。主器件包括主接口。从器件一个接一个地在主器件上堆叠成三维堆叠。从器件中的每一者包括从接口及管理电路，主接口及从接口形成用于在主器件与从器件之间传递通信信号的接口。从器件中的当前一个从器件的管理电路驱动从器件中的下一个从器件。在从器件中的所述当前一个从器件处接收的操作命令仅通过接口被传递到从器件中的所述下一个从器件。来自从器件中的所述当前一个从器件的回应通过接口被传递回主器件。
具有接口半导体器件管理方法

[发明专利]用于三维半导体器件的数据保护系统及其方法-CN202011406828.9在审
发明人：毅格艾尔卡诺维奇;阿姆农帕纳斯;喻珮;叶力垦;方勇胜;林圣伟;黄智强;谭竞豪;陈卿芳 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：公开一种用于处置错误命令的数据保护系统及数据保护方法。数据保护系统包括主器件以及从器件。主器件被配置成发送命令。从器件耦合到主器件。从器件被配置成从主器件接收命令。主器件包括主接口。从器件包括从接口。主接口与从接口通过一个或多个结合件和/或硅穿孔进行电连接且被配置成在主器件与从器件之间进行接口功能。错误命令代表具有奇偶性错误或其他错误的命令。从器件还被配置成接收错误命令且根据读取操作或写入操作对错误命令作出响应。
用于三维半导体器件数据保护系统及其方法

[发明专利]用于三维半导体器件的接口器件及接口方法-CN202011347869.5在审
发明人：毅格艾尔卡诺维奇;阿姆农帕纳斯;喻珮;叶力垦;方勇胜;林圣伟;黄智强;谭竞豪;陈卿芳 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本发明提供一种用于三维半导体器件的在主器件与从器件之间进行接口的接口器件及接口方法。主器件产生命令且从器件根据命令产生数据。接口器件包括主接口以及从接口。主接口耦合到主器件且被配置成将命令发送到从器件和/或从从器件接收数据。从接口耦合到从器件且被配置成从主器件接收命令和/或将数据发送到主器件。主接口及从接口由时钟产生器产生的时钟驱动。主接口与从接口由一个或多个结合件和/或硅穿孔进行电连接。
用于三维半导体器件接口器件方法

[发明专利]半导体器件的接口及用于排列结合半导体器件的接口方法-CN202011344794.5在审
发明人：毅格艾尔卡诺维奇;阿姆农帕纳斯;喻珮;叶力垦;方勇胜;林圣伟;黄智强;谭竞豪;陈卿芳 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的接口及用于排列结合半导体器件的接口方法。半导体器件的接口包括主器件及多个从器件。所述接口包括主接口及从接口。主接口实施在主器件中且包括由被排列成第一阵列的主结合件形成的主结合件图案。从接口实施在每一个从器件中且包括由被排列成第二阵列的从结合件形成的从结合件图案。主结合件的第一阵列包括第一中心行及分成两部分的第一组数据行，所述两部分相对于第一中心行完全对称。从结合件的第二阵列包括第二中心行及分成两部分的第二组数据行，所述两部分相对于第二中心行完全对称。第一中心行与第二中心行在芯片结合连接中对齐，且第一组数据行连接到第二组数据行。
半导体器件接口用于排列结合方法

[发明专利]用于半导体器件的接口和其接口方法-CN202011089344.6在审
发明人：毅格艾尔卡诺维奇;阿姆农帕纳斯;喻珮;叶力垦;方勇胜;林圣伟;黄智强;谭竞豪;陈卿芳 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开一种用于半导体器件的接口和其接口方法。半导体器件具有用导电连接并堆叠在一起的单个主器件和多个从器件。接口包含主接口，主接口建造于主器件中且包含具有主连接垫矩阵的主接口电路。另外，从接口实施于每一从器件中且包含从接口电路，从接口电路具有从连接垫矩阵以对应地连接到主连接垫矩阵。时钟布线将通过主接口和从接口传送时钟信号。主器件通过主接口将指令和从识别码传送到所有从接口。对应于从识别码的从器件将执行指令的结果通过从接口和主接口向主器件回应。
用于半导体器件接口方法

[发明专利]具有校正机制的电容式传感器及电容感测方法-CN201010216887.X无效
发明人： 叶力垦;陈晓翔 -专利权人：汉积科技股份有限公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G01D5/24 文献下载
摘要：本发明揭露一种具有校正机制的电容式传感器及电容感测方法，电容式传感器包含：一组感应电容、减除电路及积分电路。感应电容产生电容变化。减除电路包含：根据感应电容的初始电容误差产生误差调整电荷的第一电容阵列以及根据感应电容的感测灵敏度产生减除电荷的第二电容阵列。积分电路包含二输入端，其中之一连接于感应电容及减除电路。当位于感测周期，积分电路根据电容变化持续进行一积分，且根据误差调整电荷进行误差消除，以产生积分输出信号。当位于计算周期，积分电路根据减除电荷持续减除积分输出信号，以计算减除次数。
具有校正机制电容传感器方法

[发明专利]微结构制造方法-CN200910174511.4有效
发明人：陈晓翔;叶力垦;刘政谚 -专利权人：微智半导体股份有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于半导体制程的微结构制造方法。此微结构制造方法包括以下步骤。先形成内含有微结构、多个金属电路与金属连接层的绝缘层于硅基底上。其中微结构与金属电路平行并排于绝缘层内，金属连接层则与金属电路电性连接，且金属连接层外露于绝缘层表面。之后，沉积保护层于金属连接层与绝缘层表面，并进行蚀刻以令微结构悬浮。借此避免微结构与金属连接层遭到蚀刻液侵蚀破坏。
微结构制造方法

[发明专利]微机电的结构及制造方法-CN200910166465.3有效
发明人：邱奕翔;叶力垦;刘政谚;陈晓翔 -专利权人：微智半导体股份有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微机电结构，在基板上具有微结构与蚀刻道。微结构为金属层及导电层相连形成，且以氧化硅包覆在微结构周围，并在氧化硅顶端具有阻挡层。蚀刻道为金属层与氧化层交互堆叠而成，且氧化层两边具有通道。其中，微结构的阻挡层与蚀刻道最上层的金属层非同一平面；借此在利用蚀刻移除蚀刻道的金属层时，不会同时将微结构的金属层移除。本发明还提供一种微机电制造方法，以湿式蚀刻法移除前述蚀刻道中的金属层，再以震荡或蚀刻将蚀刻道中残余的氧化层移除，并利用深反应离子蚀刻及背蚀刻悬浮微结构，以形成蚀刻道壁面平整、无残留的悬浮微机电结构。
微机结构制造方法

[发明专利]可整合半导体制程的微结构制造方法-CN200810145283.3有效
发明人：陈晓翔;叶力垦;刘政谚 -专利权人：微智半导体股份有限公司
申请日： 2008-08-01 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可整合半导体制程的微结构制造方法，在一硅基层上表面形成一绝缘层，绝缘层设有彼此独立的至少一微结构与多个金属电路，微结构与金属电路受绝缘层包覆进行蚀刻，绝缘层成型一与金属电路及外部导体电性连结的金属连接层，金属连接层外露于该绝缘层表面上受一保护层覆盖进行蚀刻，避免微结构与金属连接层遭受蚀刻液侵蚀破坏。
整合半导体微结构制造方法

[发明专利]悬浮微机电结构制造方法-CN200710186418.6有效
发明人：李升鸿;陈晓翔;刘政谚;叶力垦 -专利权人：微智半导体股份有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种悬浮微机电结构制造方法，包括以下步骤：首先，在硅基底上表面形成至少一层内部具有金属微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含彼此独立的至少一个微结构与至少一个金属牺牲结构，且该金属牺牲结构内具有金属层及连接各金属层的金属插销层；其次，在绝缘层的上表面制作至少一层阻绝层；再次，在硅基底下表面制作至少一层蚀刻阻绝层；第四步，从硅基底下表面进行蚀刻，形成相应微机电结构内悬浮微结构的空间；最后，对金属牺牲结构进行蚀刻，形成微机电结构的悬浮。本发明能有效避免悬浮微机电结构及其周围绝缘层的不当侵蚀，降低悬浮微机电结构曝露率，能与一般集成电路封装整合减少最后封装成本。
悬浮微机结构制造方法

[发明专利]微机电系统及其制造方法-CN200710169823.7有效
发明人：邱奕翔;叶力垦 -专利权人：微智半导体股份有限公司
申请日： 2007-11-07 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微机电系统及其制造方法，该微机电系统包括一微结构，一电路，以及一沟渠位于该微结构及该电路之间以隔离该微结构及该电路，防止该微结构被释放时产生过度蚀刻造成该电路的特性劣化。该微机电系统的另一技术方案包括一结构区块至少具有一微结构，一电路区块至少具有第一及第二电路，以及一沟渠位于该第一及第二电路之间以隔离该第一及第二电路，避免该第一及第二电路之间的干扰。本发明藉由在基板上形成沟渠，以避免电路之间的干扰以及防止释放微结构时基板的过度蚀刻。
微机系统及其制造方法

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