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[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202210937829.9在审
发明人：江宾;臧雅姝;陈功;陈思河;彭康伟;张中英;曾炜竣;曾明俊;龙思怡 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：半导体层序列，包含第一台面和第二台面，所述第二台面为发光台面其中第二台面发光区域；第一接触电极，形成于所述第一台面上，与所述第一半导体层形成电连接；第二接触电极，形成于所述第二台面上，与所述第二半导体层形成电连接；所述第一台面为图案化结构，该图案化结构具有密集分布的凹凸结构，所述凹凸结构具有第一表面、高出于所述第一表面的第二表面及连接所述第一表面和第二表面的侧表面，其中所述第一表面裸露出所述第一半导体层，所述第一接触电极形成在该图案化结构上，并接触第一表面、第二表面及侧壁。本发明所述发光二极管可以有效提升发光效果。
发光二极管发光装置

[发明专利]氮化物发光二极管-CN202110376664.8有效
发明人：曾俊凯;陈秉扬;丘建生 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物发光二极管，所述氮化物发光二极管，包含衬底，以及依次位于所述衬底上的缓冲层，N型氮化物层、发光层、电子阻挡层和P型氮化物层，其特征在于：所述电子阻挡层和P型氮化物层之间设置有P型碳原子调变层，所述P型碳原子调变层中碳原子含量高于发光层和电子阻挡层中的碳原子含量。本发明通过在电子阻挡层后设置P型碳原子调变层，C浓度提高有效费米能阶会上升，减少发光层与P型氮化物层界面处的能带扭曲，降低二维电子云区域的产生，减少电子和空穴的无效复合，降低电子溢流状况，提高LED辐射复合效率。
氮化物发光二极管

[实用新型]一种发光二极管芯片及其封装结构-CN202123415805.7有效
发明人：张博扬;林凡威;林信泰;张中英 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管芯片及其封装结构，包括第一侧壁和第二侧壁,第一侧壁全部或者部分区域上设置有粗化结构，粗化结构呈现阶梯状排布，第一侧壁的粗糙度大于第二侧壁。多层阶梯状侧壁粗化结构可有效减少在出光面出现全反射造成光损，提升发光效率；同时可在封装工艺填入胶材时能有效阻止胶材轻易翻越过芯片、覆盖在芯片的发光面上，避免降低芯片的发光效率；且在对芯片表面进行光刻工艺时，侧壁粗化结构可避免光散射问题。
一种发光二极管芯片及其封装结构

[发明专利]一种发光二极管及制备方法-CN202011579718.2有效
发明人：刘士伟;徐瑾;王水杰;刘可;阙珍妮;张中英 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及制备方法，包括：若干个相互电连接的子芯片、第一焊盘、第二焊盘以及其它焊盘；其中，相邻子芯片之间通过沟槽间隔，至少一个子芯片包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，若干个子芯片包括第一子芯片、第二子芯片以及除第一子芯片与第二子芯片之外的至少一个其它子芯片；第一焊盘与第一子芯片的第二半导体层电性连接；第二焊盘与第二子芯片的第一半导体层电性连接；至少一个其它子芯片上具有一个其它焊盘，其它焊盘与第一焊盘或第二焊盘中的至多一个电性连接。本发明能够避免芯片散热不均匀现象，解决发光二极管散热差引起芯片烧伤问题，提升芯片可靠性。
一种发光二极管制备方法

[发明专利]一种微发光元件、微发光阵列、转移方法及其显示器-CN202180001708.7在审
发明人：吴政;李佳恩 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种微发光元件、微发光阵列、转移方法及其显示器，微发光元件具有侧面、相对设置的底面和顶面，顶面为出光面；微发光元件包括设置在底面下的基板和覆盖在顶面上的转移胶薄膜，转移胶薄膜不超过顶面边缘，在激光去除转移胶薄膜或者转移过程中胶体粘附在顶面上，避免掉落到基板上，避免产生基板脏污。
一种发光元件阵列转移方法及其显示器

[发明专利]半导体发光二极管及其制备方法-CN202210824605.7在审
发明人：刘小亮;朱秀山;黄敏;郑高林;何安和;彭康伟;林素慧 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：半导体发光二极管及其制备方法。所述半导体发光二极管包括位于衬底上的半导体发光叠层，所述半导体发光叠层上具有透明导电层，所述透明导电层上具有反射层；还包括绝缘结构，所述绝缘结构至少部分位于所述透明导电层上，所述绝缘结构具有斜侧面，所述绝缘结构的所述斜侧面围在所述透明导电层上表面边缘，所述反射层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上。所述半导体发光二极管内部的反射层不易发生剥离问题。
半导体发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管芯片、发光装置及显示装置-CN202210791158.X在审
发明人：洪灵愿;刘小亮;王庆;何敏游;张中英 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括外延结构、绝缘层和金属电极，其中外延结构上具有第一电极，第一电极上具有绝缘层；绝缘层上具有第二电极；绝缘层上具有导电通孔结构；导电通孔具有相对的上开口和下开口，导电通孔的下开口位于第一电极的上表面上，在导电通孔另一侧的上开口处具有第二电极；第二电极填充导电通孔电连接第一电极。本发明通过限定导电通孔上开口至少一个边缘端点在水平面的垂直投影点分布在第一电极的上表面在水平面的垂直投影线段外，避免传统结构的芯片中导电通孔纵向剖面的侧壁与电极接触处存在较多的凸点，解决因这些凸点容易导致电极镀膜时，在局部凸点上方覆盖性较差容易形成膜层局部断裂或者不连续的问题。
一种发光二极管芯片发光装置显示装置

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202210897979.1在审
发明人：朱秀山;李燕 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括：发光结构、透明导电层、第一绝缘层、第一电极层；第一电极层包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一开口内，且经由所述第一开口与所述第一半导体层电性连接，所述第一电极层包括第一金属反射层和应力调整层，在所述第一开口内所述第一金属反射层和所述第一半导体层接触，所述第一金属反射层位于所述第一半导体层和所述应力调整层之间；其中，所述第一金属反射层和所述应力调整层含有同一种金属元素，所述同一种金属元素在所述第一金属反射层的含量大于所述应力调整层的含量。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]激光二极管及其制备方法-CN202011550306.6有效
发明人：李水清;钟志白;邓和清;赖昭序;臧雅姝;黄少华 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光二极管及其制备方法。该激光二极管包括金属基板、由半导体外延层构成的脊波导结构和光场包覆层，脊波导结构形成在金属基板上表面且沿金属基板长度方向延伸预定长度，其宽度小于金属基板的宽度；光场包覆层形成在金属基板上表面，且自脊波导结构的侧面向远离脊波导结构的一侧延伸；光场包覆层环绕于脊波导结构的外围，用于对脊波导结构进行光场限制；脊波导结构与金属基板之间形成有第一电极，脊波导结构的顶面形成有第二电极。本申请将激光二极管制作成垂直结构，缩短激光二极管电路，降低激光二极管电压，以改善其散热效果。在脊波导结构(半导体外延层)的整个侧面均能够形成光场包覆层，提高对脊波导结构光场限制效果。
激光二极管及其制备方法

[发明专利]LED芯片及其制作方法以及半导体发光器件及其制作方法-CN202110136144.X有效
发明人：冯岩 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制作方法以及一种半导体发光器件及其制作方法。本发明的LED芯片以DBR作为反射层，所述DBR反射层形成在LED芯片外延层表面，具有台阶结构，覆盖LED芯片第一导电结构、第二导电结构的部分表面，且与第一导电结构、第二导电结构的夹角小于50°。这使得在电极表面形成的电极焊盘避免了断裂或偏薄等问题，进而解决了由此导致的LED芯片漏电、死灯等问题。另外，DBR作为LED芯片的反射层，具有热稳定性能好、工艺流程简单等优点，不仅提高了LED芯片的出光率，还节约了制作成本。
led 芯片及其制作方法以及半导体发光器件

[发明专利]LED外延片衬底结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法-CN202110443455.0有效
发明人：刘建明;沈台英;廖树涛;林振超;陈秉杨;张中英 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片衬底结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法，LED外延片衬底结构包括：图形化衬底，包括衬底以及形成在衬底表面的若干个凸起的图形结构；缓冲层，形成于图形化衬底的表面，且缓冲层包括形成于图形结构之间的衬底表面的第一部分及形成于图形结构表面的第二部分，其中，第二部分的厚度自图形结构的底部向顶部逐渐递减。由此，本发明能够降低外延层与图形化衬底侧面上缓冲层之间的应力，改善芯片内波长的均匀性。
led 外延衬底结构及其制备方法芯片

[发明专利]一种LED芯片及一种半导体发光器件-CN202110458044.9有效
发明人：陈婉君;林罗全;李上招;蔡吉明;萧振宇;黄慧君 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及一种半导体发光器件。本发明的LED芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层、透明导电层，以及第一导电结构和第二导电结构，该透明导电层具有均匀分布的多个通孔，在透明导电层表面形成第二导电结构，使第二导电结构能够通过所述通孔与外延层连接。通孔的形成一方面增加了第二导电结构与外延层的接触面积，缓解了透明导电层的膜层应力，降低掉电极的异常；另一方面，相对于透明导电层与外延层，第二导电结构与外延层的粘附性更好，且所述通孔在所述透明导电层上均匀分布，在各个方向上都加强了第二导电结构与外延层的粘附力，使LED灯丝在各个方向上旋转和揉搓过程中膜层不易撕裂或断裂，提高了产品的可靠性。
一种 led 芯片半导体发光器件

[发明专利]一种发光二极管芯片、发光装置及显示装置-CN202210818983.4在审
发明人：洪灵愿;刘小亮;王庆;何敏游;张中英 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括外延结构、绝缘层和金属电极，其中外延结构上具有第一电极，第一电极上具有绝缘层；绝缘层上具有第二电极；绝缘层上具有导电通孔结构；导电通孔具有相对的上开口和下开口，导电通孔的下开口位于第一电极的上表面上，在导电通孔另一侧的上开口处具有第二电极；第二电极填充导电通孔电连接第一电极。本发明通过限定导电通孔上开口至少一个边缘端点在水平面的垂直投影点分布在第一电极的上表面在水平面的垂直投影线段外，避免传统结构的芯片中导电通孔纵向剖面的侧壁与电极接触处存在较多的凸点，解决因这些凸点容易导致电极镀膜时，在局部凸点上方覆盖性较差容易形成膜层局部断裂或者不连续的问题。
一种发光二极管芯片发光装置显示装置

[发明专利]半导体发光二极管及其制备方法-CN202110611314.5有效
发明人：朱秀山;李燕 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体发光二极管，其包括半导体发光叠层，具有第一表面；透明导电层、第一绝缘层和金属反射层在第一表面上方依次层叠；还包括第一绝缘层，第一绝缘层在透明导电层上具有相对的上表面和下表面，所述第一绝缘层的上表面分为上表面一、上表面二以及连接上表面一和上表面二的斜上表面；所述的斜上表面相对于所述上表面一倾斜角大于等于120°；所述上表面一相对于上表面二具有高低差，使上表面一与下表面之间的第一绝缘层的厚度小于上表面二与下表面之间的第一绝缘层的厚度。
半导体发光二极管及其制备方法

[实用新型]正装发光二极管和显示装置-CN202220931439.6有效
发明人：夏宏伟;王庆;王绘凝;刘鹏;卢超;洪灵愿;张中英 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：正装发光二极管，包括衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的相对低折射率的第一材料层和相对高折射率的第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度为500~1000 nm，可作为背光显示装置的光源，保证背光显示的光源较高的光均匀性。可替代传统的小尺寸的倒装的发光二极管，可以降低整个背光显示装置的成本。
发光二极管显示装置