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[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法-CN201710739074.0有效
发明人：宁洪龙;卢宽宽;姚日晖;胡诗犇;刘贤哲;郑泽科;章红科;徐苗;王磊;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于电子器件制备技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法。所述制备方法为：在有源层上依次沉积刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu薄膜；旋涂光刻胶，曝光显影，保留有源沟道顶部一半的光刻胶；依次刻蚀非有源沟道区的纯Cu薄膜、黏附阻挡层、刻蚀缓冲层和有源层；除去有源沟道顶部保留的光刻胶，使纯Cu薄膜暴露出来；刻蚀纯Cu薄膜层和黏附阻挡层，使其图形化形成TFT的源漏电极；除去有源沟道表面的刻蚀缓冲层；除去源漏电极表面的光刻胶。通过引入C膜作为刻蚀缓冲层，可避免刻蚀纯铜源漏电极时对氧化物有源层的破坏，同时可以避免铜刻蚀时双氧水基刻蚀液使用，降低生产成本和安全风险。
一种氧化物薄膜晶体管复合结构漏电及其制备方法

[发明专利]一种制备电致变色器件的方法及电致变色器件-CN202211181812.1在审
发明人： 卢宽宽;文宏福;李天柱;汪永熙;吴旭明 -专利权人：广东欧莱高新材料股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02F1/1514 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备电致变色器件的方法及电致变色器件、电子设备，该方法包括：在柔性基底上制备原始电致变色器件；将所述原始电致变色器件从所述柔性基底上取下，得到待处理电致变色器件；在光学玻璃的表面上制备ITO薄膜；将所述待处理电致变色器件压附在所述光学玻璃的ITO薄膜上，得到制备好的电致变色器件。该方法制备得到的电致变色器件上的电压均匀性大幅提高，可以降低柔性大面积电致变色器件的响应时间，改善电致变色的应用效果。本申请可广泛应用于电致变色器件技术领域内。
一种制备变色器件方法

[发明专利]一种提高柔性电致变色器件耐候性的方法-CN202211179261.5在审
发明人：文宏福;卢宽宽;李天柱;汪永熙;吴旭明 -专利权人：广东欧莱高新材料股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G02F1/1514 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高柔性电致变色器件耐候性的方法。具体步骤为获取高分子溶液，所述高分子溶液与柔性电致变色器件衬底化学成分相同；获取第一玻璃和第二玻璃；在所述第一玻璃和所述第二玻璃相对一面涂覆所述高分子溶液；对所述第一玻璃和第二玻璃表面进行浸润性改性处理；将柔性电致变色器件，在加热条件下，压附在所述第一玻璃和第二玻璃之间，直至所述柔性电致变色器件一面与所述第一玻璃贴附，另一面与所述第二玻璃贴附。施加玻璃后能够有效地阻止水氧的渗透，保护器件内部的电致变色层和离子存储层，使得器件能长时间稳定工作。另一方面，使用弯曲玻璃制备的的电致变色器件曲面屏具有更广大的视角，提高了显示屏的美观度。
一种提高柔性变色器件耐候性方法

[发明专利]一种高性能透明导电薄膜及其制备方法和应用-CN202010165375.9有效
发明人：姚日晖;李晓庆;宁洪龙;符晓;陈俊龙;张旭;梁宏富;梁志豪;卢宽宽;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明导电薄膜材料领域，公开了一种高性能透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法为：将透明基板经清洗、烘干后，在室温下通过脉冲激光沉积GZO导电薄膜，得到高性能透明导电薄膜。本发明采用了GZO作为导电薄膜材料，绿色环保；且采用单层GZO薄膜，工艺简单；并通过脉冲激光沉积制备，无需退火处理，有效降低成本。所得GZO导电薄膜具有高透过率，低粗糙度，低电阻的优点，可用于电磁器件和设备屏蔽，例如：战斗机座舱盖和海军舰艇舷窗等。
一种性能透明导电薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201810527382.1有效
发明人：宁洪龙;张啸尘;姚日晖;卢宽宽;刘贤哲;邓宇熹;李晓庆;章红科;徐苗;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于显示器件技术领域，公开了一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Pr‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明通过在IZO半导体中引入Pr元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Pr‑IZO有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，在室温下实现高迁移率、高电流开关比的氧化物薄膜晶体管。
一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法-CN201810527383.6有效
发明人：宁洪龙;邓培淼;谢伟广;姚日晖;周尚雄;何锐辉;章红科;邓宇熹;卢宽宽;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
一种尺寸氧化及其制备方法

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法-CN201711057219.5有效
发明人：宁洪龙;卢宽宽;姚日晖;张啸尘;李晓庆;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法。所述栅电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜的栅极主体层和ITO薄膜的栅极界面层构成。其制备方法为：在衬底上沉积20～250nm厚度的铜合金薄膜作为栅极主体层；然后在铜合金薄膜上沉积10～50nm厚的ITO薄膜作为栅极界面层。本发明制备的氧化物TFT栅电极具有高结合强度，高电学稳定性，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
一种氧化物薄膜晶体管电极及其制备方法

[发明专利]一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法-CN202010303112.X在审
发明人：宁洪龙;张旭;姚日晖;卢宽宽;朱镇南;陈俊龙;符晓;周尚雄;袁炜键;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明属于印刷电子技术领域，公开了一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法。将金属前驱体溶于醇类溶剂形成前驱体溶液，然后加入H2O2溶液，搅拌混合均匀后静置老化，过滤去除不溶物，超声除泡后旋涂至预处理后的基板上，退火处理，得到有源层；在有源层上制备源漏电极，得到金属氧化物TFT器件。本发明通过加入H2O2，可以解决当前溶液法制备金属氧化物TFT普遍存在的关态电流过大的问题，降低器件功耗。并可以提高薄膜的致密性，提高有源层和其它功能层的接触特性，提高TFT器件性能。
一种改善溶液法制金属氧化物 tft 器件性能方法

[发明专利]一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法-CN201811147467.3有效
发明人：宁洪龙;李志航;姚日晖;李晓庆;袁炜健;史沐杨;周尚雄;卢宽宽;刘贤哲;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法，具体制备步骤为：将PVP和乙二醇加入反应器中，加热搅拌溶解；向反应器中加入NaCl乙二醇溶液；在搅拌条件下并加入AgNO3乙二醇溶液，然后在140℃及搅拌条件下继续反应80min，结束反应后离心分离产物，制得银纳米线，将银纳米线分散于乙醇中；将上述银纳米线乙醇悬浊液离心处理，离心后取适量上层悬浊液旋涂于玻璃基板表面，随后进行退火处理，得到基于银纳米线的透明电极。本发明通过控制银纳米线的制备工艺与涂布工艺，制得的银纳米线产率达到80％，制得的透明电极平均透过率为91.9％、方阻为45.7Ω/sq。
一种基于纳米透明电极及其制备方法

[发明专利]一种电子材料墨水可印刷性的评估方法-CN201910187208.1在审
发明人：宁洪龙;蔡炜;姚日晖;陶瑞强;陈建秋;朱镇南;魏靖林;章红科;卢宽宽;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G01N33/32 文献下载
摘要：本发明属于电子材料墨水分析领域，公开了一种电子材料墨水可印刷性的评估方法。所述方法的具体步骤为：使用旋转流变仪测试电子材料墨水的粘温曲线、蠕变和恢复；使用液滴分析仪测试电子材料墨水的表面张力，将所得测试结果与标准条件进行对比，评估电子材料墨水的可印刷性。本发明以简便的墨水测试方法，解决了印刷电子材料墨水缺乏系统评价方法的问题，对墨水可印刷性的筛选和优化有十分显著的意义，可推动印刷电子产业的发展。
电子材料墨水可印刷性材料墨水测试电子评估印刷旋转流变仪标准条件电子产业墨水分析系统评价分析仪使用液蠕变筛选测试优化恢复

[发明专利]一种可低温印刷氧化物绝缘薄膜的制备方法-CN201910187207.7在审
发明人：宁洪龙;蔡炜;姚日晖;陶瑞强;陈建秋;朱镇南;魏靖林;章红科;卢宽宽;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C09D11/03 文献下载
摘要：本发明属于薄膜器件制备技术领域，公开了一种可低温印刷氧化物绝缘薄膜的制备方法。将氧化物前驱体材料溶解于良溶剂中，取样进行TG/DSC测试，选取挥发温度、致密化温度＜200℃的墨水，然后进行粘度和张力测试，加入辅助溶剂，调节墨水粘度和张力，再通过TG/DSC测试确定退火温度；通过紫外吸收曲线测试确定最大吸收波段；将所得墨水体系印刷成膜，在确定的退火温度下进行热退火处理，然后采用最大吸收波段的紫外光进行处理，得到氧化物绝缘薄膜。本发明通过一系列有效的测试分析，从物理化学的角度对前驱体、溶剂选择以及后处理参数进行了筛选和优化，获得可低温印刷氧化物绝缘薄膜，对大面积柔性电子设备的发展具有推动作用。
绝缘薄膜氧化物印刷退火最大吸收波段测试制备物理化学氧化物前驱体制备技术领域紫外吸收曲线后处理紫外光薄膜器件材料溶解测试分析辅助溶剂墨水体系墨水粘度溶剂选择柔性电子张力测试良溶剂前驱体热退火致密化成膜挥发取样墨水筛选优化

[发明专利]一种显示用电子器件铜互连布线电极及其制备方法-CN201811019125.3在审
发明人：宁洪龙;卢宽宽;彭俊彪;姚日晖;魏靖林;刘贤哲;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明属于薄膜电极材料领域，公开了一种显示用电子器件铜互连布线电极及其制备方法。所述铜互连布线电极包括衬底及衬底上的铜合金薄膜层，所述铜合金薄膜的材料成分由Cu、Cr、Zr和Pr组成。以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜层，得到显示用电子器件铜互连布线电极。本发明的制备方法简单，所制备的导电电极具有结合强度高，电阻率低的特点。
布线电极铜互连制备电子器件铜合金衬底薄膜层薄膜电极材料化学气相沉积电化学磁控溅射导电电极离子溅射电阻率溅射沉积薄膜蒸发

[发明专利]一种溶液法低温制备WO₃电致变色薄膜的方法-CN201810980744.2在审
发明人：姚日晖;史沐杨;宁洪龙;张啸尘;周尚雄;袁炜健;李志航;陶瑞强;卢宽宽;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于电致变色器件技术领域，具体涉及一种溶液法低温制备WO₃电致变色薄膜的方法。所述方法包括如下制备步骤：将氯化钨溶于无水乙醇中，离心搅拌后，得到前驱体溶液；在衬底上旋涂前驱体溶液，在空气中静置30～60min，然后在100～300℃的温度下退火处理1～2h，得到WO₃薄膜。本发明通过将氯化钨溶于无水乙醇中离心后得到前驱体，可以在较低退火温度下去除湿膜中的有机杂质，能够在低温下得到氧化钨电致变色薄膜，使得低温制备电致变色器件成为可能，同时本方法的工艺流程和所需的设备条件相对简单，有利于大规模的工业生产。
电致变色薄膜低温制备电致变色器件前驱体溶液无水乙醇氯化钨溶液法退火离心搅拌设备条件退火处理有机杂质工艺流程前驱体氧化钨衬底除湿上旋制备薄膜

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管-CN201810077682.4在审
发明人：宁洪龙;卢宽宽;彭俊彪;姚日晖;胡诗犇;魏靖林;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于电子器件的技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管。所述栅极，由依次叠设的铜合金层和三氧化二铝层组成，且三氧化二铝层靠近薄膜晶体管中栅极绝缘层；所述铜合金层包含铬和锆。方法：(1)在衬底上沉积铜合金薄膜，作为栅极主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积三氧化二铝薄膜。氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、铜合金层、三氧化二铝层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极。本发明的氧化物薄膜晶体管栅极具有成本低廉，结合强度高，电阻率低，电学稳定性好，工艺简单的优点。
氧化物薄膜晶体管三氧化二铝层铜合金层栅极绝缘层铜合金衬底沉积制备薄膜三氧化二铝薄膜薄膜晶体管电学稳定性栅极主体层电子器件源漏电极电阻率叠设源层

[实用新型]一种高性能薄膜晶体管-CN201720913631.1有效
发明人：宁洪龙;胡诗犇;姚日晖;卢宽宽;刘贤哲;郑泽科;章红科;徐苗;王磊;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高性能薄膜晶体管，其底部是衬底，衬底上设置一栅极，栅极的四周有一绝缘层包覆隔绝，绝缘层之上是有源层，有源层之上是富铟层；该薄膜晶体管的最外层是钝化层，钝化层与富铟层、有源层、绝缘层、衬底围成的区域分别是含铜的源电极和漏电极；在本实用新型的薄膜晶体管中，富铟层提高了载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率；所述的源电极和漏电极含有铜，含铜电极具有低的电阻率，能够有效降低阻抗延迟。本实用新型的薄膜晶体管使用真空法制备，制备方法简单，有利于大规模生产。所制得的薄膜晶体管同时具有高迁移率、高稳定性和低电阻率源/漏电极的优点。
薄膜晶体管绝缘层本实用新型衬底源层铟层高性能薄膜钝化层漏电极源电极晶体管载流子加速载流子源/漏电极低电阻率高迁移率高稳定性电阻率迁移率铜电极最外层包覆阻抗制备延迟传输

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