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[发明专利]一种高阈值电压SiC MOSFET器件及其制造方法-CN202210132244.X有效
发明人：许海东;谌容;王曦 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阈值电压SiC MOSFET器件及其制造方法，应用于半导体器件技术领域，所述器件包括n型衬底、n型缓冲层、n型漂移区、i型插入层、p+源区、p阱区、p结区、n+源区、栅氧化层、多晶硅栅、隔离介质层、p+源区欧姆接触层、n+源区欧姆接触层、栅电极、p+源电极、n+源电极、漏极欧姆接触层和漏电极。本发明实现在不牺牲电阻与电容的情况下提高SiC MOSFET器件的阈值电压：通过设置i型插入层，提高了SiC MOSFET器件的阈值电压和降低了沟道电阻；通过设置p+源区，降低了SiC MOSFET器件的正向与反向导通电阻，减小了SiC MOSFET器件的栅漏电容。
一种阈值电压 sic mosfet 器件及其制造方法

[实用新型]一种铜连接功率模块结构-CN202223379471.7有效
发明人：於正新;许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜连接功率模块结构，包括底板上焊接的、通过第二端子、第一铜连桥三、第二铜连桥三和铜连桥五连接的第一DBC基板和第二DBC基板，第一DBC基板上还焊接有第一IGBT芯片、第一二极管芯片、第一端子、第一铜连桥一、第二铜连桥一、第一铜连桥二和第一铜连桥四，第二DBC基板上还焊接有第二IGBT芯片、第二二极管芯片、第三端子、第一信号端子、第二信号端子、第三信号端子、第四信号端子、第三铜连桥一、第四铜连桥一、第二铜连桥二和第二铜连桥四。本实用新型中的IGBT芯片和二极管芯片电气连接是通过铜连桥，具有更高的抗浪涌能力，增加了功率密度和抗冲击能力，芯片上下表面同时散热。
一种连接功率模块结构

[发明专利]一种新型功率模块高密度封装结构及其制造方法-CN202211443116.3在审
发明人：许海东;於正新 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型功率模块高密度封装结构及其制造方法，结构包括封装壳体和封装在封装壳体内的功率模块，功率模块中，芯片包括两种及以上电极的一面通过金属柱垫块连接到PCB驱动板上，芯片的另一面连接到基板上，芯片与基板之间、芯片与金属柱垫块之间和金属柱垫块与PCB驱动板上的铜焊盘之间采用烧结银焊膏连接，封装壳体用于保护和密封功率模块，封装壳体与功率模块之间的间隙采用耐高温填充材料填充。本发明采用具有各向异性导电性的金属柱垫块全覆盖在芯片表面，实现电极与PCB驱动板的电连接，避免使用引线、减少或者不使用金属柱端子，从而减小模块整体的杂散电感。
一种新型功率模块高密度封装结构及其制造方法

[发明专利]一种抑制振荡的IGBT器件-CN202211052759.5有效
发明人：许海东;於正新 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种抑制振荡的IGBT器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底分为低电容部分和高电容部分，所述高电容部分相比于低电容部分配置的开启电压低；低电容部分和高电容部分的半导体衬底同一侧，设有内部填充导电多晶硅的沟槽结构，沟槽结构分为导电多晶硅与栅极电性相连的栅极沟槽和导电多晶硅与发射极电性相连的发射极沟槽；高电容部分中，栅极沟槽数量占所在区域沟槽结构总数比重大于发射极沟槽；低电容部分中，栅极沟槽数量占所在区域沟槽结构总数比重小于发射极沟槽。本发明使IGBT器件能同时得到更快的开关速度和更低的EMI（电磁干扰），能很好的抑制了开通时的小电流振荡现象，同时没有在动态损耗上做出过多牺牲。
一种抑制振荡 igbt 器件

[发明专利]一种逆导型IGBT器件-CN202211063214.4在审
发明人：许海东;於正新 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种逆导型IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域。所述逆导型IGBT器件包括半导体衬底和正面金属层，半导体衬底一侧设有若干沟槽结构，沟槽结构内填充有多晶硅栅，半导体衬底分为IGBT部分和FRD部分；逆导型IGBT器件设有IGBT栅极平台和FRD栅极平台，IGBT部分内一部分多晶硅栅通过IGBT栅极平台电性相连，另一部分多晶硅栅与正面金属层电性相连；FRD部分内多晶硅栅全部通过FRD栅极平台电性相连或者FRD部分内一部分多晶硅栅通过FRD栅极平台电性相连，另一部分多晶硅栅与正面金属层电性相连。本发明实现了同时优化逆导型IGBT器件IGBT和FRD两种不同工作模式下的性能表现。
一种逆导型 igbt 器件

[实用新型]一种SiC MOSFET功率模块的结构-CN202220712885.8有效
发明人：於正新;许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiC MOSFET功率模块的结构，包括底板、DBC基板、SiC MOSFET芯片、第一二极管、源极端子、漏极端子、源极信号端子和栅极信号端子；底板上焊接DBC基板，所述DBC基板上焊接SiC MOSFET芯片、第一二极管、源极端子、漏极端子、源极信号端子和栅极信号端子，SiC MOSFET芯片与源极端子、源极信号端子和栅极信号端子连接，第一二极管与漏极端子连接，源极端子和源极信号端子连接；SiC MOSFET芯片与第一二极管串联，构成逆阻型电路结构。本实用新型模块集成度较高，极大地简化了后端电路设计，同时优化制作工艺，具有高热循环能力、高功率密度、高可靠性和低寄生电感。
一种 sic mosfet 功率模块结构

[发明专利]一种屏蔽栅型功率器件及其制造方法-CN202210256220.5在审
发明人：许海东;谌容 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅型功率器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域，器件包括半导体衬底、第一介质层、第一导电层、第二介质层、第二导电层、第三介质层、第三导电层、体区、源区、层间膜、接触孔、正面金属层和漏极，源区上表面设置有第一沟槽，第一沟槽内设置第一介质层和第一导电层，第一导电层上表面设置有第二沟槽，第二沟槽内设置第二介质层和第二导电层，第二导电层上表面设置有第三沟槽，第三沟槽内设置第三介质层和第三导电层。本发明的功率器件器件在具有屏蔽栅的典型优点，即低的米勒电容和比导通电阻，同时也克服了常见的屏蔽栅结构的大输入电容的缺陷，使得器件整体开通时间变得更短，动态损耗变得更小。
一种屏蔽功率器件及其制造方法

[发明专利]一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制造方法-CN202210245628.2在审
发明人：许海东;谌容;王曦 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制造方法，应用于半导体器件技术领域，所述器件包括n型衬底、n型缓冲层、n型漂移区、第一p阱区、第二p阱区、n+源区、p+屏蔽区、p+结区、栅氧化层、多晶硅栅、隔离介质层、源极欧姆接触金属、源极、栅极、漏极欧姆接触金属以及漏极。本发明通过设置第一p阱区和第二p阱区，且第一p阱区的掺杂浓度高于第二p阱区掺杂浓度，以及凸台状的n型缓冲层与p+屏蔽区，且设置p+结区与n型缓冲层的凸台相对，提高了沟槽型SiC MOSFET器件的阈值电压与雪崩耐量，使沟槽型SiC MOSFET器件的综合性能得到改善。
一种沟槽 sic mosfet 器件及其制造方法

[实用新型]一种抗干扰的功率开关驱动电路-CN202122886891.3有效
发明人：赵忠民;许海东;谌容 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗干扰的功率开关驱动电路，包括脉冲输入单元、控制单元和负压单元，脉冲输入单元的输出端连接控制单元的输入端，控制单元的第一输出端和第二输出端分别连接负压单元的输入端和被驱动的MOSFET器件的源极，负压单元的输出端连接被驱动的MOSFET器件的栅极。本实用新型电路简单，在被驱动的MOSFET器件导通期间，负压单元建立了负压；在被驱动的MOSFET器件关断期间，负压加在被驱动的MOSFET器件的栅极上，不需要单独供电，且在关断期间维持负压，防止串扰引起的误导通，同时MOSFET器件的栅源之间维持低阻，增加了驱动电路的抗干扰性能。
一种抗干扰功率开关驱动电路

[实用新型]一种碳化硅MOSFET驱动电路-CN202122470279.8有效
发明人：李承武;许海东;谌容 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅MOSFET驱动电路，包括放大单元、驱动变压器T1、稳压管D1、二极管D2、二极管D3、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和三极管U7，其中：PWM驱动信号通过放大单元和驱动变压器T1输入串联的稳压管D1、电阻R2和电阻R3，再连接碳化硅MOSFET管的栅极，碳化硅MOSFET管的源极连接驱动变压器T1；稳压管D1与电容C1并联。本实用新型省略了正负电压源和驱动芯片，可以较好的应用在碳化硅MOSFET的驱动电路中，极大节省电路成本和简化驱动电路的设计；二极管以及三极管构成的泄放通路，加速碳化硅MOSFET的截止和降低关断时的交叉损耗。
一种碳化硅 mosfet 驱动电路

[实用新型]一种双面散热功率模块结构-CN202121684860.3有效
发明人：於正新;许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面散热功率模块结构，属于新型半导体技术领域，包括下层DBC和上层DBC，下层DBC的上方安装有IGBT芯片，IGBT芯片通过铝线键合到下层DBC上，IGBT芯片通过铜柱连桥与上层DBC连接。本实用新型中，IGBT芯片通过铜柱连桥连接上层DBC，使得IGBT芯片有2条散热途径：一条是IGBT芯片底面通过下层DBC散热，另一条是IGBT芯片表面到铜柱连桥，通过上层DBC散热，达到上层DBC和下层DBC同时散热，降低了热阻；同时铜柱连桥可提升功率模块产品的功率密度和抗冲击能力。
一种双面散热功率模块结构

[发明专利]一种凸台栅SiC MOSFET器件及其制造方法-CN202111336875.5有效
发明人：许海东;谌容;王曦 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种凸台栅SiC MOSFET器件及其制造方法，应用于半导体器件技术领域；所述器件包括SiC MOSFET器件中心设置的n型漂移区、n型电阻调制区以及n型电阻调制区上方设有的p阱区、n+源区、p+接触区、p+屏蔽区、栅氧化层、栅下介质层、多晶硅栅、隔离介质层、钝化层、源极；n型漂移区的下方设有n型缓冲层和n型衬底，n型衬底的下表面和p+结区的下表面设置有漏极；本发明通过设置凸台状栅介质与复合型结势垒屏蔽源极，提高了栅极可靠性的同时，使SiC MOSFET器件在逆向偏置状态能够更容易导通，提高了SiC MOSFET器件的性能。
一种凸台栅 sic mosfet 器件及其制造方法

[实用新型]一种提高分立器件可靠性的连桥结构-CN202121331763.6有效
发明人：谌容;许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种提高分立器件可靠性的连桥结构，包括第一焊接区、第二焊接区、第一弯折区、第二弯折区和连接区，连接区是矩形平面结构，第一焊接区和第二焊接区均是方形平面结构，第一焊接区通过第一弯折区与连接区固定连接，第二焊接区通过第二弯折区与连接区固定连接，第一弯折区与芯片接触的一面设置有助焊结构，第二焊接区远离第一焊接区的一侧边缘上开设有圆弧状焊接缺口，第一焊接区、第二焊接区、第一弯折区、第二弯折区和连接区的材质均为铜。通过提供一种连桥结构，解决芯片封装工序中焊接时容易出现的连桥偏移问题和锡膏溢流的问题、提高塑封料注入的流畅度，提高了分立器件的可靠性。
一种提高分立器件可靠性结构

[发明专利]一种逆导SiC MOSFET器件及其制造方法-CN202110972190.3有效
发明人：许海东;谌容;王曦 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导SiC MOSFET器件及其制造方法，该器件包括n型衬底上依次设置的n型缓冲层、n型漂移区和n型电流扩展层，n型电流扩展层上表面内包裹设置若干p阱区，每个p阱区上表面嵌有n+源区，每个n+源区内侧设置有p+源极接触区，n+源区内侧的p+源极接触区向内侧延伸至n型电流扩展层中，相邻的p阱区之间的n型电流扩展层的上表面设置有p+源极接触区，源电极与n+源区上表面和p+源极接触区上表面呈欧姆接触性质，源电极与每个p阱区内侧未封闭的n型电流扩展层上表面呈肖特基性质。本发明使得SiC MOSFET器件在反向状态下获得良好的逆向导通性能，以及良好的逆向抗浪涌性能。
一种 sic mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种具有抑制振荡效果的IGBT器件及其制造方法-CN202110645399.9有效
发明人：许海东;谌容 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抑制振荡效果的IGBT器件及其制造方法，所述IGBT器件包括N型漂移区，在N型漂移区上侧内设有若干沟槽，在沟槽内填充沟槽多晶硅，IGBT器件包括至少两个阈值电压不同的区域，阈值电压不同的区域的沟槽之间的间距不同，阈值电压不同的区域的栅极电阻不同：低阈值电压区域的沟槽之间的间距小于高阈值电压区域的沟槽之间的间距，低阈值电压区域的栅极电阻阻值大于高阈值电压区域的栅极电阻阻值。本发明提出的IGBT器件对开启时的产生的电压、电流振荡现象有着明显的改善作用，且不会明显降低正常使用时的开关速度；本发明提出的一种IGBT器件的制造方法，制造工艺简单，和现有工艺兼容，无需增加额外成本。
一种具有抑制振荡效果 igbt 器件及其制造方法

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