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[发明专利]一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构及方法-CN202010653924.7有效
发明人：许海东;谌娟 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构，包括热熔材料，设置于芯片本体的周围；DBC模块，所述DBC模块设置于所述热熔材料的下方，与所述芯片本体焊接；底板，所述底板通过焊接设置于所述DBC模块下方。本发明的有益效果：芯片源极通过键合方式实现连接，不需要更换芯片或者增加芯片工艺；对芯片栅极位置无要求，可不改变DBC及芯片布局设计；芯片周围热容材料在芯片短路时吸收热量可迅速通过DBC的陶瓷向下传导，保证芯片具有较低的温度；方式灵活，可在芯片焊接以外的面积增加热容材料，提升芯片短路能力；结构原有键合设备可满足工艺要求。
一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力结构方法

[发明专利]一种低导通压降的绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201810570229.7有效
发明人：许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种低导通压降的绝缘栅双极晶体管及其制备方法，沿着终端区域(101)、过渡区域(102)和原胞区域(103)的纵向剖面，从下到上依次为：P+集电极层(204)、N+场截止层(203)、N漂移层(202)和表面PN+交替层(201)。所述绝缘栅双极晶体管的制备方法，是在N型衬底材料上通过增加一次N型离子注入，在原胞中充当载流子存储层，同时利用保护环P型注入，在原胞处形成PN电荷补偿结构，避免因N型离子注入引起的击穿电压降低，同时N型离子注入提高了终端表面的杂质浓度，可以降低可动电荷对终端表面电场的影响，并提高器件的耐压可靠性。
一种低导通压降绝缘双极晶体管及其制备方法

[发明专利]一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管芯片-CN202010507601.7有效
发明人：许海东;谌容;王曦 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管芯片，包括漂移区，所述漂移区设置于所述晶体管内；电流扩展区，所述电流扩展区设置于所述漂移区上方，杂质浓度自所述电流扩展区与所述漂移区的界面至所述电流扩展区的上表面呈梯度递减规律分布；p阱区，各所述p阱区被包裹设置于所述电流扩展区的上表面，且依次间距递增规律嵌于所述电流扩展区中使电流密度分布由芯片中央至边缘呈非均匀分布规律。本发明的有益效果：一是通过设置相邻p阱区之间的间距递增规律使电流密度分布由芯片中央至边缘呈非均匀分布规律，优化芯片不同区域的热分布，实现了芯片的温度性能的提升。
一种 sic 金属氧化物半导体场效应晶体管芯片

[实用新型]一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构-CN202021151093.5有效
发明人：谌容 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，包括底板、上桥臂、下桥臂、连桥、铝线，底板中部垂直交叉均匀设有多个焊接区域，上桥臂包括同侧设立的第一覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中上部的第六覆铜陶瓷基板且信号端外露，下桥臂包括设于另一侧的第二覆铜陶瓷基板、第四覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中下部的第五覆铜陶瓷基板且信号端外露，第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板与第四覆铜陶瓷基板呈田字形均匀设于焊接区域上；每个覆铜陶瓷基板上均设有芯片焊接区和多个栅极电阻。本实用新型设计实现大功率模块，结构对称，触发路径一致，减少震荡和客户端故障率，实现均流且散热好。
一种 sic mosfet 模块陶瓷铜板结构

[发明专利]一种用于防止ARM SHORT现象的逆变电路及方法-CN202010519479.5有效
发明人：许海东;金暎柱;谌容 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于防止ARM SHORT现象的逆变电路，包括半桥模块，所述半桥模块包括上桥臂、下桥臂以及设置在两者之间的钳位电路；所述上桥臂包括第一电压驱动型器件以及与其进行反并联的第一二极管；所述下桥臂包括第二电压驱动型器件以及第二二极管；所述钳位电路包括第三二极管；所述第二二极管的正极与所述第二电压驱动型器件的第二极连接，负极与所述半桥模块的二次侧连接；所述第三二极管的正极同时与半桥模块的二次侧以及第一电压驱动型器件的第二极进行连接；所述第三二极管的负极与第二电压驱动型器件的第三极连接，并与第一电压驱动型器件的第一极相短接以构成短路。本发明的逆变电路使得在各种应用电路中避免直通现象的发生。
一种用于防止 arm short 现象电路方法

[发明专利]一种沟槽型IGBT器件及其制造方法-CN202010702279.3有效
发明人：许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型IGBT器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域，本发明的沟槽型IGBT器件设有两种不同深度的沟槽结构，两种沟槽结构按一定的优化规则排列，典型的排列规则为每两个相邻深沟槽结构之间有1~3个短沟槽结构。短沟槽内形成栅氧和多晶硅，短沟槽内多晶硅与栅极金属相连成为栅极多晶，深沟槽内同样形成栅氧和多晶硅。本发明通过短沟槽结构底部通过注入形成N型CS层，CS层分布稳定，能够获得具有很好的存储电荷效果，使得器件具有优良的正向导通特性；在深沟槽结构下进行了P型注入，有效增强了器件的耐压特性和EAS能力；制造时将高温制程移到深沟槽结构形成之前，能够有效改善晶圆翘曲，提高器件可靠性。
一种沟槽 igbt 器件及其制造方法

[实用新型]一种高可靠性的TO系列封装结构-CN202020427853.4有效
发明人：张梦彤;许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高可靠性的TO系列封装结构，包括壳体，所述壳体内设置有引线框架，所述引线框架表面沿所述壳体内边缘开设有至少一条沟槽，所述引线框架从上至下分为散热部、芯片部和管脚，所述散热部配置有散热片，所述芯片部安装有两个芯片，每个所述芯片的上表面固定连接有连桥，两个所述连桥另一端分别连接至两侧所述管脚，实现所述芯片与所述管脚之间的电气连接，这一设计使得塑封料与引线框架之间密封性更好，连桥的焊接更加快速、精确和稳定；提高了生产效率，进一步增强了TO系列封装的可靠性。
一种可靠性 to 系列封装结构

[实用新型]一种高散热、高可靠性IGBT功率模块结构-CN202020467464.4有效
发明人：於正新;许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高散热、高可靠性IGBT功率模块结构，包括底板，所述底板上设有外壳，所述外壳内的所述底板上设有两个DBC，所述DBC之间采用铜连桥连接，所述DBC上相对连接一端开始依次排布设有贴片电阻、IGBT芯片、FWD芯片和端子，所述贴片电阻通过铝线与所述IGBT芯片的栅极键合，所述IGBT芯片的发射极与所述FWD芯片的正极通过铝线键合，所述端子在所述DBC上依次等距排布并伸出所述外壳。本实用新型具有较高的热循环能力、高功率密度和低杂散电感。
一种散热可靠性 igbt 功率模块结构

[发明专利]一种全桥电路及快恢复二极管-CN201710956912.X有效
发明人：姜季均;陈飞;谌容;许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种全桥电路及快恢复二极管，解决的是承受驱动电流小的技术问题，通过采用所述全桥电路包括陶瓷基板，陶瓷基板上设有覆铜微带与芯片，覆铜微带与芯片之间设有用于连接的铜质连桥，铜质连桥一端与芯片连接，另一端与覆铜微带连接，铜质连桥两端与芯片或覆铜微带接触处为引脚机构；所述铜质连桥未与对应芯片接触机构分为悬空机构，悬空机构与陶瓷基板间中空的技术方案，较好的解决了该问题，可用于半导体模块封装中。
一种电路恢复二极管

[实用新型]一种新型TO系列分立器件-CN201921233076.3有效
发明人：陈赵盼;许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型的一种新型TO系列分立器件，包括：散热框架、半导体芯片、塑封体和若干管脚，散热框架与塑封体形成容芯腔，半导体芯片位于容芯腔内，管脚一端与半导体芯片电性连接，另一端伸出容芯腔，其中塑封体上开设一盲孔，盲孔的底面为散热框架；本实用新型的一种新型TO系列分立器件有效的增大了散热框架的金属面积，能够更好的导出分立器件使用过程中半导体芯片产生的热量，从而能够减小半导体芯片的温升，降低损耗，进一步提高了分立器件的导热能力、承载芯片规格上限、可靠性及使用寿命。
一种新型 to 系列分立器件

[实用新型]高可靠性电力半导体封装结构-CN201920692007.2有效
发明人：许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠性电力半导体封装结构，所述高可靠性电力半导体封装结构包括：壳体，所述壳体内限定有容纳腔；半导体器件，所述半导体器件位于所述容纳腔内；至少两个管脚，相邻两个所述管脚间隔开分布，每个所述管脚的一端与所述半导体器件电气连接，每个所述管脚的另一端伸出所述容纳腔且朝着背向所述壳体所在方向的一侧延伸，至少一所述管脚的另一端的尺寸小于其余所述管脚的另一端的尺寸。该高可靠性电力半导体封装结构能够增大散热面积，快速导出芯片所产生的热量，降低芯片温度，提高了分立器件的散热能力和使用寿命。
管脚电力半导体封装结构高可靠性半导体器件容纳腔壳体芯片本实用新型电气连接分立器件散热能力使用寿命散热导出伸出体内延伸

[实用新型]一种功率模块焊接工装-CN201822129598.0有效
发明人：於正新;许海东;谌容 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率模块焊接工装，包括底座、把手、导柱和上盖；底座的上平面上固定有四个两两对称分布的导柱，四个导柱的另一端均固定在上盖的下平面四个转角处，底座的上平面上还固定有两个对称分布的把手，两个把手分别位于上盖的两侧；本实用新型定位牢固，避免功率模块在拿移和焊接过程中发生移位，降低了焊接不良率，且结构简单，操作方便，制造成本低。
功率模块导柱上盖底座本实用新型对称分布焊接工装把手上平面焊接不良焊接过程制造成本下平面转角处移位

[实用新型]一种IGBT功率模块封装结构-CN201822202592.1有效
发明人：谌容;许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT功率模块封装结构，包括底板和安装在底板上的壳体，所述底板上设有陶瓷覆铜板，所述陶瓷覆铜板设在所述壳体内，所述陶瓷覆铜板上焊接有主电极、功率器件、线栅和触发电极，所述主电极穿出所述壳体，所述底板上还设有底座，所述触发电极通过所述底座焊接在所述陶瓷覆铜板上。本实用新型提高产品良率和封装效率，进而提高产品产量。
底板陶瓷覆铜板本实用新型触发电极封装结构壳体底座焊接产品良率封装效率功率器件主电极电极穿出线栅体内

[实用新型]一种分立器框架结构-CN201822212875.4有效
发明人：陈赵盼;谌容 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种分立器框架结构，通过冲压或刻蚀方法将铜合金处理成并列的若干框架单元，所述框架单元包括散热片，所述散热片上表面两侧分别设有定位孔和焊盘，所述焊盘上用于设置芯片，所述散热片底部对应所述焊盘的位置设有梯形沟槽，所述梯形沟槽内穿设有滑动座，所述滑动座表面设有散热器；所述散热片靠近所述焊盘一侧中部斜设有连筋，所述连筋上连接有第一引脚，所述第一引脚两侧对称设有第二引脚和第三引脚；所述第二引脚和所述第三引脚分别通过导线与所述芯片电性连接，具有结构简单、散热性好、导电能力强和寿命长的优点。
引脚焊盘散热片框架单元框架结构梯形沟槽分立器滑动座连筋散热器散热片上表面本实用新型导电能力散热性好芯片电性定位孔铜合金冲压刻蚀对称并列芯片

[实用新型]一种应用于IGBT功率模块封装的陶瓷覆铜板装置-CN201821488564.4有效
发明人：谌容;许海东 -专利权人： 南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于IGBT功率模块封装的陶瓷覆铜板装置，包含散热底板、DBC板、连桥、IGBT芯片和FWD芯片、铝线，所述散热底板的上方设置有DBC板，且DBC板的内侧安置有DBC板第一区域，所述DBC板第二区域固定于DBC板的内部，且DBC板的内侧设置有DBC板第三区域，所述连桥固定于DBC板第三区域的内部，所述DBC板的内部设置有阻焊框，且DBC板的内侧设置有DBC板第四区域。该应用于IGBT功率模块封装的DBC板装置有IGBT芯片，且DBC板第三区域与IGBT芯片、FWD芯片的连接方式为焊接，通过DBC板内侧的阻焊框的作用，能够对IGBT芯片、FWD芯片进行放置操作，并且通过锡膏对IGBT芯片、FWD芯片与DBC板进行焊接处理，增强两者之间的稳固性。
芯片封装陶瓷覆铜板散热底板连桥阻焊焊接铝线本实用新型第二区域第一区域连接方式内部设置稳固性锡膏应用安置