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- [发明专利]支承板的去除方法和板状部件的加工方法-CN202211514938.6在审
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北原信康
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株式会社迪思科
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2022-11-30
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2023-06-06
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H01L21/683
- 本发明提供支承板的去除方法和板状部件的加工方法,不增加粘接层的成本而能够以小力去除支承板。支承板的去除方法包含如下的步骤:硬化步骤,对包含当照射紫外线时发生硬化的处于未硬化状态的硬化材料并且将透过紫外线的支承板粘接于板状部件的粘接层从支承板侧照射紫外线,使粘接层的硬化材料硬化;空孔形成步骤,在硬化步骤之后,从支承板侧对粘接层照射透过支承板且被硬化材料吸收的波长的激光束,在粘接层的与支承板接触的面上形成多个空孔;以及支承板去除步骤,在空孔形成步骤之后,以形成有多个空孔的面为界而从粘接层剥离支承板,从粘接于板状部件的粘接层去除支承板。
- 支承去除方法部件加工
- [发明专利]加工装置和振动检测方法-CN202210877936.7在审
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吉田博斗;北原信康;高乘佑
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株式会社迪思科
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2022-07-25
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2023-02-17
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H01L21/67
- 本发明提供加工装置和振动检测方法,能够对作为加工对象的被加工物的高度方向上的装置的振动进行检测。加工装置中,振动检测单元包含:光源;干涉单元,其将来自光源的光照射至被测量部件,生成被测量部件的包含干涉图案的干涉图案图像;以及拍摄单元,其拍摄通过干涉单元而生成的被测量部件的干涉图案图像。控制单元具有:存储部,其将通过拍摄单元在规定的时机拍摄的第一干涉图案图像以及在与第一干涉图案图像不同的时机拍摄的第二干涉图案图像进行存储;比较部,其对存储于存储部的第一干涉图案图像与第二干涉图案图像进行比较;以及振动检测部,其根据通过比较部进行了比较的第一干涉图案图像与第二干涉图案图像而检测振动。
- 加工装置振动检测方法
- [发明专利]晶片加工方法-CN201410026087.X有效
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小川雄辉;北原信康;小田中健太郎;大浦幸伸
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株式会社迪思科
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2014-01-21
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2019-04-19
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H01L21/78
- 本发明提供一种晶片加工方法,其能够对在基板表面通过层叠的功能层而形成有器件的晶片沿着划分器件的多条间隔道在器件侧不发生功能层的剥离的情况下进行分割。一种晶片加工方法,其对在基板表面通过层叠的功能层而形成有器件的晶片沿着划分器件的多条间隔道进行分割,所述晶片加工方法包括:功能层切断工序,在所述功能层切断工序中,沿着间隔道的两侧照射激光光线,形成到达基板的2条激光加工槽从而切断功能层;以及分割槽形成工序,在所述分割槽形成工序中,在沿着间隔道形成的2条激光加工槽的中央部处,在功能层以及基板上形成分割槽,在所述功能层切断工序中照射的激光光线的波长被设定为相对于钝化膜具有吸收性的300nm以下。
- 晶片加工方法
- [发明专利]卡盘工作台-CN201410039747.8有效
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佐藤淳;大庭龙吾;小川雄辉;北原信康;森数洋司;堀口义则
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株式会社迪思科
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2014-01-27
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2017-05-03
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H01L21/687
- 本发明提供一种卡盘工作台,装备于加工装置且能可靠确认被加工物的分割槽。该卡盘工作台具备保持工作台和工作台基座,保持工作台包括复合玻璃板,具有多孔质板和收纳板,多孔质板由允许空气从正面流动至背面的多孔质玻璃形成,收纳板具有收纳多孔质板的收纳凹部并具备向多孔质板传递抽吸力的抽吸孔;和环状支承座,具备复合玻璃板支承部和围绕复合玻璃板形成的环状支承部,复合玻璃板支承部支承复合玻璃板外周部并具备与抽吸孔连通的连通孔,工作台基座包括环状固定部,用于固定环状支承座;发光体收纳部,形成于环状固定部内侧;以及发光体,配设于发光体收纳部,在工作台基座设置有向形成于环状支承座的连通孔传递抽吸力的抽吸力传递孔。
- 卡盘工作台
- [发明专利]层积有钝化膜的基板的烧蚀加工方法-CN201210365826.9有效
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北原信康
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株式会社迪思科
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2012-09-27
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2017-03-01
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B23K26/18
- 本发明涉及层积有钝化膜的基板的烧蚀加工方法,其目的在于提供可抑制能量的扩散和激光光束的反射的层积有钝化膜的基板的烧蚀加工方法。本发明的层积有钝化膜的基板的烧蚀加工方法为对层积有由氮化物形成的钝化膜的基板照射激光光束来施以烧蚀加工的层积有钝化膜的基板的烧蚀加工方法,该方法的特征在于,其具备保护膜形成工序与激光加工工序,在保护膜形成工序中,将混入了对于激光光束的波长具有吸收性的氧化物微粉末的液态树脂涂布至基板的至少要进行烧蚀加工的区域,来形成掺入有该微粉末的保护膜;在激光加工工序中,在实施了该保护膜形成工序之后,对基板的形成了该保护膜的区域照射激光光束来施以烧蚀加工。
- 层积钝化加工方法
- [发明专利]芯片接合薄膜的烧蚀加工方法-CN201210365676.1在审
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北原信康
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株式会社迪思科
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2012-09-27
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2013-05-01
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H01L21/60
- 本发明涉及芯片接合薄膜的烧蚀加工方法,其目的在于提供可确实地进行与单个器件相对应的DAF分割的DAF烧蚀加工方法。本发明的芯片接合薄膜的烧蚀加工方法为对芯片接合薄膜照射激光光束来施以烧蚀加工的芯片接合薄膜的烧蚀加工方法,该加工方法的特征在于,其具备保护膜形成工序与激光加工工序,在保护膜形成工序中,将混入了对于激光光束的波长具有吸收性的氧化物微粉末的液态树脂涂布至芯片接合薄膜的至少要进行烧蚀加工的区域,来形成掺入有该微粉末的保护膜;在激光加工工序中,在实施了该保护膜形成工序之后,对芯片接合薄膜的形成了该保护膜的区域照射激光光束来施以烧蚀加工。
- 芯片接合薄膜加工方法
- [发明专利]保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置-CN201010274831.X有效
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北原信康
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株式会社迪思科
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2010-09-06
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2011-04-13
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H01L21/56
- 本发明提供保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置,在利用旋转涂覆在晶片表面形成保护膜的方法中,即使减少液态树脂的供给量也能够形成均匀的保护膜。保护膜覆盖方法包括:晶片保持工序,将晶片表面朝上地保持于旋转工作台;水层形成工序,形成覆盖晶片表面的水层;第一液态树脂滴下工序,向水层中的晶片中心部滴下液态树脂;第一树脂膜覆盖工序,使旋转工作台旋转,利用作用于水层的离心力使水层飞散并使滴下的液态树脂扩张,从而在晶片表面覆盖第一树脂膜;第二液态树脂滴下工序,向覆盖有第一树脂膜的晶片的中心部滴下液态树脂;和第二树脂膜覆盖工序,使旋转工作台旋转,利用离心力使液态树脂沿第一树脂膜向外周流动以形成第二树脂膜。
- 保护膜覆盖方法装置
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