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[实用新型]一种机械加工用固定机械夹具-CN202121372193.5有效
发明人：徐敏;赵莹;王金杰;徐世博;刘若男 -专利权人：徐敏
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B21D43/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种机械加工用固定机械夹具，包括工作面、敲击面和纵向滑槽，工作面的表面一侧固定连接有敲击面，敲击面的表面后面固定连接有纵向滑槽，纵向滑槽的内部活动连接有滑块，滑块的一侧嵌入连接有限位栓，滑块的另一侧固定连接有连接杆，敲击面的表面一侧固定连接有横向滑槽，横向滑槽的内部搭接相连有纵向水平校准板，纵向水平校准板可完成辅助校准工作，螺纹杆在转动时其表面的固定限位板发生位移，工作人员可通过转动螺纹杆使固定限位板逐渐靠近紧贴至加工件的表面，进而对加工件进行固定限位，同时在需要时工作人员可将定位栓从定位孔中抽出转动活动盘，适用于机械加工的使用，在未来具有广泛的发展前景。
一种机械工用固定夹具

[发明专利]一种便于更换模板的布艺箱包图案印花装置-CN201911149424.3有效
发明人： 刘若男 -专利权人：浙江同盟工艺品有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： B41F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种便于更换模板的布艺箱包图案印花装置，包括支撑台架、印花模板、干燥箱和压力罐，所述支撑台架的顶端固定安装有支撑板，所述支撑柱的顶端安装有支撑架板，所述液压伸缩系统的底端连接有固定架，所述支撑板的内部开设有升降槽，所述固定块的外侧连接有固定栓，所述固定块的内侧连接有支杆，所述干燥箱设置在支撑台架的左侧内部，所述加热丝的上方设置有风扇箱，所述支撑台架的右侧内部安装有冷却箱，所述冷却管的顶端连接有连接管。该便于更换模板的布艺箱包图案印花装置，便于对印花模板进行更换，便于对布进行及时有效的干燥处理，便于保证布的平整性，且便于保证布的稳定性，便于保证印花质量。
一种便于更换模板箱包图案印花装置

[发明专利]一种电光调制器-CN202110796025.7在审
发明人：杨妍;唐波;孙富君;张鹏;刘若男;李彬;欧祥鹏;谢玲;李志华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种电光调制器，涉及光子器件技术领域，以通过设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部将光信号局域至石墨烯层内，并增强光信号与石墨烯层之间的相互作用，提高电光调制器在工作时的电光调制响应度，提升电光调制器的工作性能。所述电光调制器包括：基底、光波导结构、石墨烯层、第一电极和第二电极。光波导结构形成在基底上。光波导结构包括设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部。石墨烯层至少覆盖狭缝波导部。狭缝波导部用于将光信号局域至石墨烯层内。第一电极和第二电极形成在基底的上方。第一电极与光波导结构电连接。第二电极与石墨烯层电连接。
一种电光调制器

[发明专利]一种光电探测器-CN202110797165.6在审
发明人：杨妍;唐波;张鹏;孙富君;欧祥鹏;刘若男;李彬;谢玲;李志华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种光电探测器，涉及光电子技术领域，以通过设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部将光信号局域至石墨烯层内，并增强光信号与石墨烯层之间的相互作用，提高光电探测器在工作时的光电探测响应度。所述光电探测器包括：基底、光波导结构、石墨烯层、第一电极和第二电极。光波导结构形成在基底上。光波导结构包括设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部。石墨烯层至少覆盖狭缝波导部。狭缝波导部用于将光信号局域至石墨烯层内。第一电极和第二电极形成在基底的上方。第一电极与光波导结构电连接，用于在外加电场的作用下导出第一类载流子。第二电极与石墨烯层电连接，用于在外加电场的作用下导出第二类载流子。第一类载流子和第二类载流子的电性相反。
一种光电探测器

[发明专利]一种波导层间耦合结构及其制备方法-CN202110673125.0在审
发明人：李彬;李志华;谢玲;李东浩;唐波;张鹏;杨妍;刘若男 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明公开一种波导层间耦合结构及其制备方法，涉及硅光器件技术领域，以解决现有耦合结构存在层间耦合损耗较大的技术问题。所述波导层间耦合结构包括：基底。形成在基底上的第一波导；其中，第一波导位于基底的第一区域。形成在基底上的第一介质层，且第一介质层覆盖第一波导。以及形成在第一介质层上第二波导，其中，第二波导位于基底的第二区域，第一波导在基底上的投影与第二波导在基底上的投影具有重合区域，以使从第二波导出射的光耦合地进入第一波导中。第二波导靠近第一波导的一端具有台阶状结构，且沿第一波导至第二波导的方向，台阶状结构中的台阶的厚度依次增大。
一种波导耦合结构及其制备方法

[发明专利]一种用于家具生产的自动抛光加工装置-CN202010888966.9有效
发明人：刘伟;刘若男 -专利权人：中山市领航创先实业发展有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B23Q7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于家具生产的自动抛光加工装置。所述用于家具生产的自动抛光加工装置包括抛光机；输送结构；支架结构，所述支架结构包括第一竖杆、横杆、第二竖杆和第三竖杆；运输结构，所述运输结构包括支撑杆、滚筒、第一曲杆、第一滑槽和第一限位杆；支撑结构，所述支撑结构包括支撑曲杆、滑杆、第一弹簧、弹性球、第一转轴和第一扭力弹簧；码垛结构，所述码垛结构包括支撑板、第二曲杆、第二滑槽、第二限位杆和第二弹簧；转动结构。本发明提供的用于家具生产的自动抛光加工装置具有自动接收板材和自动码垛的优点。
一种用于家具生产自动抛光加工装置

[实用新型]一种北方地区起脊房屋智能清雪装置-CN202022426509.6有效
发明人：郭洪宇;李红岩;裴学良;付辰琦;韩喆;司守舵;刘若男;毕向阳;曾逸扬;孙飞虎;庚晨;冯宇 -专利权人：吉林农业大学
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： E04D13/10 文献下载
摘要：本实用新型属于屋顶积雪清除装置领域，具体涉及一种北方地区起脊房屋智能清雪装置。本实用新型包括安装在屋顶上的支架、安装在支架上的横向移动组件、安装在横向移动组件上的长度调节机构以及安装在长度调节机构上的清雪机构。本实用新型采用了高度调节机构和多个小导轨拼接而成的横向导轨，能够实现不同长度、不同高度的房屋的屋顶上的积雪清理，且使用菱形伸缩机构适用于不同屋顶高度和不同宽度的积雪清理，性价比高、实用性较强。雪铲可进行伸缩，伸长时是未伸长时长度的一倍，进而可清理烟囱等障碍物部分，能够对屋顶上的积雪多方位、无死角地进行清除，提高清扫质量、除雪效率高。
一种北方地区房屋智能装置

[发明专利]硅基光电探测器的制造方法-CN201911368532.X有效
发明人：张鹏;唐波;李志华;李彬;刘若男 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光电探测器的制造方法，包括：在SOI衬底的上表面形成第一介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；采用湿法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度与所述第一凹槽的深度之和等于所述第一介质层的厚度；在所述第二凹槽的底部形成牺牲层；去除所述牺牲层，暴露出所述SOI衬底；在所述SOI衬底上生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的硅基光电探测器的制造方法，可以达到减小硅基光电探测器暗电流的目的。
光电探测器制造方法

[发明专利]一种光学器件测试结构及其制作方法-CN202110189580.3在审
发明人：杨妍;张鹏;孙富君;唐波;李彬;刘若男;谢玲;李志华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提供一种光学器件测试结构及其制作方法，其中结构包括：基底；以及在所述基底上形成的器件层，所述器件层包括光器件、端面耦合器和光栅耦合器；其中，所述光器件与所述端面耦合器通过光波导连接；所述端面耦合器和所述光栅耦合器耦合连接，所述光栅耦合器位于所述基底上待制作划片深槽的区域。本公开提供的光学器件测试结构，结合了端面耦合器和光栅耦合器的优点，可以同时解决光芯片的晶圆级测试和芯片封装问题。
一种光学器件测试结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201911368535.3有效
发明人：张鹏;唐波;李志华;李彬;刘若男 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在SOI衬底的上表面形成第一介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；采用湿法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度与所述第一凹槽的深度之和等于所述第一介质层的厚度；采用TMAH碱性溶液对所述第二凹槽的底部进行刻蚀，形成第三凹槽；在所述第三凹槽的底部生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的半导体器件的制造方法，可以将低温生长、缺陷较多的探测层下移，达到减小硅基光电探测器暗电流的目的。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种集成电路-CN202110181478.9在审
发明人：杨妍;李志华;唐波;张鹏;孙富君;刘若男;李彬;谢玲;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路，涉及集成电路技术领域，用于在降低集成电路的功耗的同时，提升集成电路的工作性能。该集成电路包括：半导体衬底、光模块、第二电芯片和互连结构。半导体衬底的第一侧开设有开口槽。光模块包括光芯片和第一电芯片。光芯片位于开口槽内，用于对光信号进行调制，和/或将光信号转换为电信号。第一电芯片的其中一部分位于光芯片上、且与光芯片电连接。第一电芯片的另一部分位于半导体衬底的第一侧上。第二电芯片位于半导体衬底的第一侧上。互连结构至少位于半导体衬底内，用于将第一电芯片位于半导体衬底上的部分与第二电芯片电连接。
一种集成电路

[发明专利]一种环保设备用输送气体装置-CN201911361226.3有效
发明人： 刘若男 -专利权人：王美华
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B08B9/043 文献下载
摘要：本发明提供一种环保设备用输送气体装置，包括:输送管道主体，所述输送管道主体下端呈左右对称状设有两个所述夹紧机构，且每个所述夹紧机构内部均夹持有一个所述储尘机构。通过除尘机构的设置，当需要清理输送管道主体内部粉尘时，通过摇把逆时针转动右侧的缠绕机构，使除尘机构右端连接的钢丝绳另一端不断在右侧的缠绕机构上进行缠绕并拉动除尘机构向右滑动，从而使输送管道主体内部附着的粉尘经右侧的一个排尘口被刮除到右侧的一个储尘机构内，有效提高了清理输送管道主体内部粉尘时的工作效率和便捷性，且无需将管道进行拆卸，减少工作人员在清理管道内粉尘时的麻烦。
一种环保备用输送气体装置

[发明专利]一种提高西兰花营养品质的烹饪方法-CN202110114856.1在审
发明人：周鹏;樊田利;刘若男;刘冬梅;王凤丽 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： A23L5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高西兰花营养品质的烹饪方法，属于食品加工技术领域。本发明所述的方法包括如下步骤：(1)将西兰花修剪成规格统一的小花；(2)将步骤(1)处理后的西兰花摆放在蒸屉上；(3)在蒸锅内加水煮沸，之后将步骤(2)的蒸屉放置在蒸锅上，蒸制西兰花，其中蒸制的功率为100‑2100W；待西兰花成熟，停止烹饪。本发明的方法中随着蒸制功率的增大，a*值呈现下降的趋势，即绿色强度增加；叶绿素、类胡萝卜素的含量整体呈现上升趋势；抗坏血酸和总酚含量越高，抗氧化活性越高；即本发明的方法不仅可以明显增加西兰花营养物质的保存率，也有效保存了西兰花的绿色。
一种提高兰花营养品质烹饪方法

[发明专利]半导体结构与其制作方法-CN201910105271.6有效
发明人：熊文娟;张鹏;刘若男;李志华;李俊峰;赵超;王文武;亨利·H·阿达姆松 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该方法包括应力大于或者等于1GPa的结构层的制作过程，结构层的制作过程包括：多个沉积步骤，沉积步骤为在基底的表面上或者已经沉积的预结构子层的表面上沉积一个预结构子层，预结构子层的厚度在100～400nm之间；刻蚀步骤，在沉积步骤之后，刻蚀步骤为在一个预结构子层的厚度或者多个预结构子层的总厚度大于400nm的情况下，对厚度大于400nm的一个预结构子层进行退火或者对总厚度大于400nm的多个预结构子层进行刻蚀，至少一个刻蚀步骤使得刻蚀后的各预结构子层在基底表面的投影重合；退火步骤，刻蚀步骤后有一个退火步骤。该制作方法得到的半导体结构中的结构层的裂纹较少。
半导体结构与其制作方法

[发明专利]一种耦合光栅的制备方法-CN201910440604.0有效
发明人：张鹏;唐波;李志华;李彬;杨妍;刘若男 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种耦合光栅的制备方法，属于硅基光电子制造技术领域，解决了现有技术中耦合光栅制备过程复杂、使用光刻版数量较多、成本较高的问题。本申请的制备方法包括如下步骤：提供一SOI衬底，SOI衬底沿水平方向分为Poly‑Si光栅区和Si光栅区，在SOI衬底的表面依次形成Poly‑Si层和硬掩膜层；对硬掩膜层和Poly‑Si层进行光刻和刻蚀，刻蚀至SOI衬底的顶硅层表面，在Poly‑Si光栅区形成第一光栅结构；在对Si光栅区的顶硅层进行刻蚀的同时利用硬掩模层作为阻挡层对第一光栅结构对应的顶硅层进行刻蚀，最终形成Poly‑Si光栅和Si光栅，制得耦合光栅。本申请的制备方法可用于耦合光栅的制备。
一种耦合光栅制备方法

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