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[发明专利]一种去除晶圆盒湿度的方法-CN202310723527.6在审
发明人：柏友荣;黄燕秋;陈猛;刘浦锋 -专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： F26B5/04 文献下载
摘要：本申请涉及半导体晶片制造领域，公开了一种去除晶圆盒湿度的方法，主要利用真空干燥原理，在用真空系统抽真空的同时，对被干燥晶圆盒适当不断加热，使晶圆盒内部的水分通过压力差或浓度差扩散到表面，水分子在晶圆盒表面获得足够的动能，在克服分子间的吸引力后，逃逸到真空室的低压空气中，从而被真空泵抽走除去。这样在不消耗大量气体的基础上就可以快速干净的去除晶圆盒表面的水汽。
一种去除晶圆盒湿度方法

[发明专利]一种降低表面颗粒的单片晶片清洗方法-CN202211504380.3在审
发明人：向齐涛;柏友荣;陈杰;刘浦锋;聂环;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法，所述方法包括如下步骤：S1，向旋转的晶片表面喷射氧化剂，在晶片表面形成均匀的氧化层；S2，向旋转的晶片表面喷射清洗剂，通过去除氧化层达到去除颗粒、有机物、金属杂质等各类污染物的目的；S3，向旋转的晶片表面再次喷射氧化剂，在晶片表面形成均匀的氧化层以保护晶片表面；S4，向旋转的晶片表面喷射去离子水，以对晶片表面进行漂洗；S5，向旋转的晶片表面喷射高纯氮气，以对晶片表面进行干燥。本发明是通过在不同转速下调节ULPA的输出功率来控制内部风压在不同阶段不同转速下保持0±2帕的稳定范围内的目的，减少了颗粒污染物在晶片表面的吸附，从而提高产品的良品率和可靠性。
一种降低表面颗粒单片晶片清洗方法

[发明专利]一种消除YAG激光晶体尾部开裂的方法-CN201811487162.7有效
发明人：沈思情;刘浦锋;张俊宝;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种消除YAG激光晶体尾部开裂的方法，所述方法为：在YAG激光晶体的制备过程中，将收尾提拉分为三个阶段进行，第一阶段，提拉速度为0.5‑2mm/min，第一阶段提拉距离占晶体尾部总长的15‑30％；第二阶段，提拉速度为2.5‑5mm/min，第二阶段提拉距离占晶体尾部总长的30‑40％；第三阶段，提拉速度为5‑7mm/min，第三阶段提拉距离占晶体尾部总长的40‑55％。本发明通过对收尾阶段提拉过程中速度分阶段进行控制，解决了YAG激光晶体收尾阶段晶棒内部应力不均匀而导致的晶棒末端开裂的问题，晶棒尾部的合格率可达100％，具有良好的经济效益和应用前景。
一种消除 yag 激光晶体尾部开裂方法

[发明专利]多晶硅料的筛选及装填坩埚的方法-CN201610364027.8有效
发明人：沈思情;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅料的筛选及装填坩埚的方法，其特征在于利用振动筛对多晶硅料进行多层筛选，按照规格尺寸将筛选出来的多晶硅料直接加到石英坩埚中，实现原位填装石英坩埚，减少操作时间，提高工作效率，并能精确控制多晶硅料尺寸范围，提高坩埚的填充密度，减少晶体生长中因为存在气体、针孔对晶锭质量的影响，提高晶锭的质量。另外，可避免人工装料带来的污染从而影响晶锭质量。
多晶筛选装填坩埚方法

[发明专利]硅单晶提拉设备与生长方法-CN201610364029.7有效
发明人：李秦霖;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶提拉设备，在坩埚托盘支架下方设置辅助热屏，在辅助热屏内部设置底部加热器，底部加热器由水冷电极支撑和冷却，底部加热器由石墨材料制备而成，辅助热屏为倒U形结构，辅助热屏的上部水平部分只包含单层石墨，辅助热屏的两边竖直部分包含双层石墨，其是在内层单层石墨的基础上增加了一层外层石墨，且外层石墨材料的热导率不小于0.1W/m/k且不大于20W/m/K，而内层石墨材料的热导率不小于75W/m/K且不大于200W/m/K。本发明还提供一种采用该硅单晶提拉设备进行硅单晶生长的方法。通过本发明，可大幅度缩短多晶硅原料的熔化时间、提高硅单晶提拉生长速率，缩短硅单晶生长周期，节约成本，提高生产效率。
硅单晶提拉设备生长方法

[发明专利]多晶硅装料方法-CN201510573026.X有效
发明人：张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明技术是一种多晶硅装料方法，将石英坩埚的内部以坩埚上口中心点为基点分成中心区域，中间区域和外部区域三个体积区域。将多晶硅原料分成三个粒径范围，在不同的区域分别填充不同粒径的多晶硅原料。装料时从坩埚底部开始分层向上装料，采用超声振动的方式将细颗粒的多晶硅填充进大块体的间隙中，提高填充的体积分数。有效防止熔化过程中漏硅、喷硅和粘接挂边的问题。坩埚中填充的多晶硅原料的实际填充密度达到坩埚体积的70％以上。
多晶装料方法

[发明专利]含辅助加料结构的单晶炉及其应用-CN201510573384.0有效
发明人：李秦霖;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种含有辅助加料结构的单晶炉及其应用，其特征在于该单晶硅生长炉内部装有辅助加料结构，该辅助加料结构带有独立的称重装置，可在辅助加料的同时，实时监控辅助原料的加入量，从而能实现单晶硅掺杂浓度的精确控制，有利于稳定单晶硅轴向电阻率，以及满足特殊掺杂需求单晶硅晶锭生长。
辅助加料结构单晶炉及其应用

[发明专利]硅片及退火处理方法-CN201510573095.0有效
发明人：李秦霖;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路用单晶硅硅片及其退火处理方法。所述的硅片其特征在于空位型缺陷的无瑕疵层深度为5~13μm；硅片厚度中心处的BMD密度不低于5×10⁸/cm³，硅片的线性滑移位错总长小于4cm，滑移累积总面积小于8cm²。且该硅片是于非氧化气氛和施加电场的环境中，在不低于1200℃的情况下热处理至少2小时而制得。
硅片退火处理方法

[发明专利]超大规模集成电路用硅片及其制造方法、应用-CN201510307181.7有效
发明人：沈思情;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种由切克劳斯基法（Czochralski法，CZ法）所生长的单晶硅棒切割成的超大规模集成电路（Very Large Scale Integrated circuits，VLSI）用硅片及其制造方法、应用，在通过掺杂氮确保表层无缺陷的同时，实现氧析出物的无害化。硅片制备方法包括：在拉晶炉内使单晶硅棒冷却到1100℃~1150℃，控制冷却速度为0.1℃/分钟~1℃/分钟，使单晶硅棒的氧浓度为5x10¹⁷atoms/cm³~7x10¹⁷atoms/cm³、氮浓度为5x10¹³atoms/cm³~1x10¹⁵atoms/cm³、碳浓度为1x10¹⁵atoms/cm³~5x10¹⁶atoms/cm³；将单晶硅棒制作成硅片，在非活性气体中于1150℃~1250℃的温度下加热45分钟~180分钟。所得硅片厚度中心氧析出物密度为1x10⁷/cm³~5x10⁸/cm³，硅片表面的氧析出物的无缺陷区域在15μｍ以上。
超大规模集成电路硅片及其制造方法应用

[发明专利]一种P型单晶硅片及其制造方法-CN201610364921.5有效
发明人：沈思情;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种由切克劳斯基法（CZ法）所生长的P型单晶硅片及其制造方法，获得的硅片电阻率高、电阻率轴向均匀性好且电阻率变化较小。硅片制造方法包括：主掺杂物硼与多晶硅原料同时加入到石英坩埚中进行升温，主掺杂物硼浓度介于1.7E14 atoms/cm³与2.5E14 atoms/cm³之间，副掺杂物磷通过硅‑磷合金形式在晶体等径生长过程中单次或多次加入，且需控制磷与硼的在晶体中的浓度比在1/8到1/3范围内。所获得的硅片电阻率值高，不低于58Ω.cm；电阻率变化较小，可精确控制在15%以内。
一种单晶硅及其制造方法

[发明专利]硅返抛片多晶膜层的剥离方法-CN201610267921.3有效
发明人：孙强;李秦霖;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种硅返抛片多层多晶膜层的剥离方法，其特征在于：首先将沉积有多层多晶膜层的晶圆放入温度大于50℃且小于70℃、质量分数大于35%且小于45%的KOH溶液中浸泡15‑30min，缓慢腐蚀剥离晶圆表面沉积的多晶膜层；随后将晶圆片放入温度大于90℃且质量分数大于45%的KOH的溶液中浸泡8‑12min，将多晶膜层彻底腐蚀剥离，从而得到待抛光的硅返抛片。本发明可以减小多晶膜层剥离后所产生的表面应力，使腐蚀所得的待抛片的硅返抛片表面深度与宽度大于70μm的滑移线的数量小于50条；因而本发明对于提高晶圆反抛成品率具有显著效果。
硅返抛片多晶剥离方法

[发明专利]一种大尺寸YAG激光晶体的制备方法-CN201811518849.2在审
发明人：沈思情;刘浦锋;张俊宝;徐伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供一种大尺寸YAG激光晶体的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将制备钇铝石榴石的原料以及掺杂元素的原料混合，并将混合后的原料压成饼料，烧结得到YAG多晶饼料；将得到的YAG多晶饼料加热至熔融，并置于氧气与惰性气体的混合气氛中进行氧扩散，之后进行液体纯化；向液体纯化后的熔融原料中加入籽晶，提拉法进行晶体生长；晶体生长结束后，将晶体提拉至液面，降温得到YAG激光晶体。所述制备方法可制备得到高质量的YAG激光晶体，直径可达Ф100mm，有效长度能达到200mm，且晶体激活离子掺杂浓度均匀，晶体缺陷少，核心小，晶体有效利用率大大提高，便于切割加工大尺寸激光板条和盘片。同时所述制备方法简化了工艺步骤，而且降低了成本。
制备饼料晶体生长液体纯化多晶有效利用率钇铝石榴石掺杂元素惰性气体工艺步骤混合气氛激光板条激活离子晶体缺陷切割加工熔融原料有效长度原料混合烧结提拉法氧扩散盘片熔融提拉液面籽晶加热氧气掺杂

[实用新型]一种蓝宝石衬底片双面抛光装置-CN201720959000.3有效
发明人：向齐涛;沈思情;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种蓝宝石衬底片双面抛光装置，所述装置由上至下依次包括上抛光组件、抛光定位模板和下抛光组件；其中上抛光组件包括抛头，抛头顶部设有抛头固定器件以及与抛头固定器件相连的气缸转动轴承，抛头两端设有贯通第一抛头的磨料进入口；所述下抛光组件包括磨盘和抛光承载台，磨盘置于抛光承载台上，所述抛光承载台下方中部设有转动轴承，所述抛光承载台一侧设有贯通抛光承载台的磨料回收管道。本实用新型所述装置可以对贴合的两片蓝宝石衬底片进行单面抛光，增加了一次性抛光的蓝宝石衬底片数量，提高生产效率。
一种蓝宝石衬底双面抛光装置

[实用新型]一种分选装置-CN201721298241.4有效
发明人：姜兵兵;沈蓓颖;沈思情;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： B07B13/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分选装置，属于晶片尺寸检测技术领域，为解决现有技术效率低等问题而设计。本实用新型分选装置包括从上至下依次设置的至少两个分选单元，每个分选单元均具有分选空隙；沿从上至下的方向各个分选单元的分选空隙的一侧对齐或中心对齐，且沿从上至下的方向各个分选空隙的横向尺寸依次递减；被分选的产品从上至下跌落时，分选空隙用于供被分选的产品穿过或用于阻拦被分选的产品以对被分选的产品进行尺寸分级。本实用新型分选装置结构简单，分选效率高，且能降低人工误判及手误的概率。
一种分选装置

[发明专利]一种用于蓝宝石衬底的接触式厚度测量装置及方法-CN201310084847.8有效
发明人：何静生;李显元;徐浩;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于蓝宝石衬底的接触式厚度测量装置及方法，其特征在于所述的装置包括①晶片保持件（104）与测量千分表（108）的探针（107）分别由两个固定支架（102）固定；②两个固定支架（102）利用滑轨（110）滑入底座（101），并利用螺丝（103）固定对准；③定位激光源（112）安置在固定支架（102）的滑动槽（115）内，上、下移动并通过托架（114）保持定位激光源（112）之间的相对位置。所述定位激光源至少为2个，当定位激光源为4个时以口字方式连接。本发明所述的方法包括（A）激光源和千分表校准，（B）测量方法。本发明提供的测量装置具有测量精度高、误差小、重复性高的特点，不仅适用于蓝宝石晶片的测量，也适合于其他晶片的厚度测量。
一种用于蓝宝石衬底接触厚度测量装置方法

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