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[发明专利]一种高灵敏度电场传感结构-CN202310901905.5在审
发明人：党军朋;常鹏;蒋波;王勇;方明;刘斯扬;廖耀华;顾志明;杨传旭;万洪强;蒋婷婷;魏玲;蒋光华;赵悦荣 -专利权人：云南电网有限责任公司玉溪供电局
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明涉及电场传感器技术领域，具体地说，涉及一种高灵敏度电场传感结构。包括内切于圆形内的正多边形的金属微带贴片，其中，正多边形的边数至少为八且为偶数，采用Koch曲线对金属微带贴片进行大于或等于二阶的分形处理，在分形处理后的金属微带贴片内部进行0.4～0.8倍的互补开槽处理，且互补开槽与正面馈线为渐变网络结构，金属微带贴片外边缘还设有非对称枝节。本发明设计运用分形技术、互补开槽技术、渐近技术与非对称加载技术较好地拓展了带宽，以较小尺寸可基本实现电场频段的大部分甚至全覆盖，其结构简单，使用互补开槽技术降低铜片用料与使用成本，可实现高压电场信号的真实采集，为后续信号处理与识别提供坚实基础。
一种灵敏度电场传感结构

[发明专利]一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件-CN201911058197.3有效
发明人： 刘斯扬;杨玲;叶然;卢丽;王琪朝;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有N型区，在N型区的上方有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在N型漂移区内设有N型漏区，在N型漏区、N型源区和P型区上设有金属接触，在N型区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅场板，在栅氧化层和N型漏区之间设有场氧层，在场氧层上方设有源级场板，其特征在于，所述源级场板由一排相互间隔排列且相抵的低位源级场板和高位源级场板组成，高位源级场板与N型漂移区之间的距离大于低位源级场板与N型漂移区之间的距离。本发明可在击穿电压基本不变的基础上，获得较优的品质因数。
一种品质因数横向扩散金属氧化物半导体器件

[发明专利]一种低导通电阻高耐压能力的宽禁带半导体整流器件-CN201910937475.6有效
发明人：魏家行;陶心怡;李宁波;李胜;张弛;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低导通电阻高耐压能力的宽禁带半导体整流器件，包括：第一金属电极,位于第一金属电极上依次设有重掺杂第一导电类型导电层和轻掺杂第一导电类型导电层，所述轻掺杂第一导电类型导电层内设有深沟槽结构，在所述深沟槽结构槽底设有第二导电类型区，在所述轻掺杂第一导电类型导电层上表面设有上设有第二金属电极，在深沟槽结构之间及其外侧设有电子导电沟道结构，所述深沟槽结构及电子导电沟道结构相互平行且间隔相等，本发明通过在深沟槽结构之间增设电子导电沟道结构，有效的增加了正向导通电流密度，降低了导通电阻，减小了器件的功率损耗，同时由于深沟槽结构外壁设有的氮化铝镓，可以有效的提升临界击穿电压。
一种通电耐压能力宽禁带半导体整流器件

[发明专利]一种具有低续流损耗的功率半导体器件及其制造方法-CN202310914496.2在审
发明人： 刘斯扬;孙佳萌;隗兆祥;魏家行;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有低续流损耗的功率半导体器件及其制造方法。器件包括金属、重掺杂第一导电类型衬底及外延层、第二导电类型体区、第一导电类型增强源区和重掺杂第二导电类型体接触区，第一导电类型半导体区，增强源区之下且贯穿体区的第一导电类型半导体层、介质层一、栅电极、介质层二、金属。方法：在重掺杂衬底上制得第一导电类型外延层；在外延层上形成第二导电类型体区；在体区上形成增强源区；在增强源区下方形成第一导电类型半导体层且贯穿体区；在体区上形成体接触区；在体区中形成第一导电类型半导体区；退火激活杂质；器件上表面生长介质层一、多晶硅、介质层二、栅电极；在增强源区和接触区生成金属，背面淀积金属。
一种具有低续流损耗功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于电网路径和手机信令数据融合的故障推送方法-CN202310490125.6在审
发明人： 刘斯扬;毛玉星;李婷;聂永杰;曹敏;罗延金;徐华;徐源;王那胤;郭良琰;江天炎 -专利权人：重庆大学;云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04L67/55 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电网路径和手机信令数据融合的故障推送方法，具体包括以下步骤：S1建立时空融合矩阵：时空融合矩阵中的每个单元是时空单元点；S2输电网故障监测上报和标识：使用物联网监测设备，对输电网设备和线路的运行状况进行监测，当出现或者即将出现故障时，上报位于所述时空融合矩阵内受影响的时空单元点；S3绘制手机用户活动轨迹；S4预警/报警信息推送：通过通信基站向手机用户发送配网故障预警/报警信息。故障信息推送对象从传统的电网一线运维人员和电网用户扩展到与故障区域有/将要有时空交集的普通市民群众，提高了预警和报警信息推送的广泛性和精准性，为更多人群提供精准服务。
基于电网路径手机数据融合故障推送方法

[发明专利]一种Java虚拟机类加载器的高效运行方法-CN202310743474.4在审
发明人：王宏宇;仲伟;严洪峰;金慧;王仲;张鹏伟;刘升鹏;曹敏;刘斯扬;聂永杰 -专利权人：江苏金智科技股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明公开一种Java虚拟机类加载器的高效运行方法，包括：在设备第一次上电运行程序时将类文件加载至RAM，并创建类的RAM符号表；在某一类文件使用次数达到预设阈值时，类加载器从RAM中读取该类文件并写入非易失性存储器，创建类的非易失性存储器符号表；在设备再次上电运行程序时，对于已经在非易失性存储器中的类文件，利用非易失性存储器直接返回JVM类加载器的符号引用；否则采用与第一次上电运行程序时相同的方式加载类文件。本发明适用于经常产生断电行为的物联网终端，通过该JVM高效类加载器，能够支持设备通电后Java类文件的快速读取，保证物联网设备能够在掉电重启后快速读取类文件，实现JVM的高效运行。
一种 java 虚拟机加载高效运行方法

[发明专利]物联网终端轻量级操作系统的能量管理方法和系统-CN202011557882.3有效
发明人：王宏宇;曹敏;沈峻;仲伟;严洪峰;詹利群;刘斯扬;聂永杰;赵娜;盛黎明;汤啸雷 -专利权人：江苏金智科技股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F1/3206 文献下载
摘要：本发明涉及物联网终端轻量级操作系统的能量管理方法和系统，在系统执行空闲任务时使能Tickless机制，通过BMS模块检测异质取能模块状态，当异质取能模块存储能量满足终端休眠模式的工作需求时，将终端切换为异质取能模块供电，终端进入休眠工作模式；BMS模块持续检测异质取能模块电压，当达到设置的睡眠时间或异质取能模块供电异常时，切回内置电池供电。本发明的方法和系统结合物联网终端轻量级操作系统的任务调度管理机制，在同时配置有内置电池和异质取能供电部分的物联网终端上实现供电方式的智能切换，能有效避免各类终端应用任务各自独立调控电源管理模块可能带来的相互冲突和效率低下，尽可能延长内置电池供能时长，减少电池更换维护成本。
联网终端轻量级操作系统能量管理方法系统

[发明专利]一种JavaScript引擎的性能优化方法-CN202310778162.7在审
发明人：王宏宇;仲伟;严洪峰;金慧;陶保震;詹利群;张秋桥;曹敏;刘斯扬;聂永杰 -专利权人：江苏金智科技股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F9/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种JavaScript引擎的性能优化方法，在嵌入式物联网终端设备中接入PCRAM，在外部存储器中存储完整JavaScript脚本文件；在终端应用程序运行时，统计JavaScript脚本的调用频率信息，确定常用脚本，并将所述常用脚本存入PCRAM；脚本执行时，处理器判断加载的脚本文件是否为常用文件，如果为常用文件，则从PCRAM中读取脚本文件，否则从外部存储器中读取脚本文件。本发明的方法优化了JavaScript引擎的存储管理提高了JavaScript脚本执行的效率和系统性能，适用于嵌入式物联网终端设备的应用场景。
一种 javascript 引擎性能优化方法

[发明专利]基于改进EMD电力系统谐波分析方法、装置及存储介质-CN202010224045.2有效
发明人：李博;刘盎泱;曹敏;廖耀华;王恩;唐标;朱梦梦;韩彤;李毅;刘斯扬;陈叶;蒋婷婷 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请涉及电力谐波计量检测技术领域，具体而言，涉及一种基于改进EMD电力系统谐波分析方法、装置及存储介质。所述方法包括以下步骤：采集电力系统谐波的采样信号；使用端点截取方法得到采样信号的局部极大值点与局部极小值点；通过拟合工具对局部极大值点与局部极小值点进行拟合得到局部极大值包络曲线和局部极小值包络曲线；根据在上方的局部极大值包络与在下方的局部极小值包络截取中间原始信号的外露端点截取舍去，得到不包含包络外信号的包络信号的平均包络；根据EMD分解循环迭代的方法得到分解为所有IMF和剩余余波分量的本征模函数；对本征模函数进行希尔伯特变换得到信号的瞬时特征，从而实现采集信号的分析计算。
基于改进 emd 电力系统谐波分析方法装置存储介质

[发明专利]P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN202210181654.3在审
发明人：张龙;何乃龙;崔永久;张森;王肖娜;林峰;马杰;刘斯扬;孙伟锋 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]低压台区户相关系识别方法、介质及计算机设备-CN202310601338.1在审
发明人：顾志明;廖耀华;李波;李正兴;王恩;魏龄;李博;程富勇;朱萌瑶;蒋婷婷;刘斯扬 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F18/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种低压台区户相关系识别方法，方法包括：获取低压台区台变A、B、C三相分相用电量数据和低压台区的用户数据，用户数据包括单相用户的用电量数据或者三相四线用户的用电量数据；将用电量不满足第一预设条件的用户数据删除得到正常用电用户数据；从正常用电用户数据中删除三相四线用户的用电量数据，得到正常单相用电量数据；根据正常单相用电量数据计算预设时间段内的最大变异系数，并根据最大变异系数从正常单相用电量数据中得到初始判别数据；根据初始判别数据、低压台区台变A、B、C三相分相用电量数据和回溯模型得到低压台区户相关系。本发明实施例公开了一种计算机可读存储介质及计算机设备。
压台相关识别方法介质计算机设备

[发明专利]一种低导通电阻的沟槽碳化硅功率器件及其制造工艺-CN202010541971.2有效
发明人：魏家行;周华;付浩;隗兆祥;严晓雯;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种低导通电阻沟槽碳化硅功率器件及制造工艺，其元胞含N型衬底，N型外延层，沟槽，沟槽内设栅氧层和多晶硅栅，沟槽两侧设有P型体区、N型源区和P+体接触区，沟槽下方设P屏蔽层，P屏蔽层侧设N型埋层。N型埋层制造工艺：N型衬底上外延生长N型漂移区第一部分，之上采用离子注入工艺形成P屏蔽层和N型埋层，继续外延形成N型漂移区第二部分，进行后续工艺流程。本发明于P屏蔽层两侧设有N型埋层，将电场尖峰下移，降低了沟槽拐角电场，降低了界面态密度和缺陷，提高了栅氧层可靠性；消除了下方N型埋层，降低了器件栅电荷，改善了开关特性，进一步提高了器件耐压。
一种通电沟槽碳化硅功率器件及其制造工艺

[发明专利]一种静电泄放自保护的异质结半导体器件-CN202110598471.7有效
发明人： 刘斯扬;黄静雯;张弛;李胜;马岩锋;陆伟豪;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电泄放自保护的异质结半导体器件，包括：缓冲层、沟道层、异质结沟道、势垒层；势垒层上表面设有金属漏电极、金属源电极；金属漏电极与金属源电极之间且接近金属源电极间隔设有由第一p型半导体层、第一n型半导体层、第二p型半导体层交替组成的栅保护区以及由第三p型半导体层与金属栅电极层叠构成的栅控制区；栅保护区a与栅控制区b之间通过高阻介质层隔离；栅保护区提供ESD电流泄放通道保护栅极免受瞬时大电流的冲击。本发明相比传统的外部ESD保护电路具有集成度高、占用面积小、寄生电容小等优点。
一种静电保护异质结半导体器件

[发明专利]一种单片集成式GaN基半桥电路及半桥电路-CN202310553782.0在审
发明人：张龙;盘成务;郑贵强;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种单片集成式GaN基半桥电路及半桥电路。单片集成式GaN基半桥电路，在导电衬底上依次设有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层和沟道层由隔离层分割，设置二极管和集成电容、低侧管、高侧管、第一集成电阻器及第二集成电阻器。半桥电路包括：低侧管及高侧管，低侧管的漏极与高侧管的源极连接有输出端子Vout，低侧管衬底与高侧管衬底连接，在高侧管漏极与低侧管源极上并接一串联电阻，串联电阻由第一集成电阻器和第二集成电阻器串联构成且串联节点连接于导电衬底；在串联节点与低侧管源极上并接有集成电容；在输出端子Vout与串联节点之间连接有二极管且二极管的阳极连接于输出端子Vout、阴极连接于所述串联节点。
一种单片集成 gan 基半桥电路

[发明专利]一种嵌入式SOC系统实现多核启动与业务的相互解耦方法-CN202111395811.2有效
发明人： 刘斯扬;赵现平;聂永杰;曹敏;薛旺喜;李文云;廖耀华;陈叶;李波;李博 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种嵌入式SOC系统实现多核启动与业务的相互解耦方法，本申请通过在智能感知终端上采用多核处理器，并采用AMP架构实现了多个核心之间的独立启动，以及业务配置的相互独立，使得多核系统之间的相互解耦，提高了智能感知终端的稳定性与可靠性；多核之间启动相对独立，实时核运行在主核上，管理核异常运行时，不影响实时核的业务逻辑，提高了智能感知终端的可靠性。
一种嵌入式 soc 系统实现多核启动业务相互方法

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