专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]浒苔智能清理回收装置-CN202310589482.8在审
  • 李越;刘冰冰;王蒙;曹阳;刘佳骥 - 山东交通学院
  • 2023-05-22 - 2023-10-17 - E02B15/10
  • 本公开提供一种浒苔智能清理回收装置。所述浒苔智能清理回收装置包括船体以及设置于所述船体上的收集模块、第一传送模块、切割模块、第二传送模块以及储存模块;所述收集模块,设置于所述船体的前端,用于收集浒苔;所述第一传送模块,用于将所述收集模块收集的浒苔传送至所述切割模块;所述切割模块,用于对浒苔进行切割;所述第二传送模块,用于将切割后的浒苔传送至所述储存模块;所述储存模块,用于存储切割后的浒苔。
  • 智能清理回收装置
  • [发明专利]一种食品颗粒乳化混合设备-CN202310924344.0有效
  • 刘冰冰;祖晓冬;张颖;石炜 - 天津市职业大学
  • 2023-07-26 - 2023-10-17 - B01F35/83
  • 本发明提供一种食品颗粒乳化混合设备,包括翻转安装底座、乳化混合罐、导流罩体、负压组件等组件,其中通过导流罩体能够对固态颗粒以及液体进行分别处理,在乳化的过程中,控制固态颗粒在限位室内,此时不同的液体在导流罩体内循环流动,经过负压组件高速混合,将常态下不能混合的液体进行高速混合乳化,以形成乳状液流体,提高食品的风味;在液体乳化结束后,将限位室内的固态颗粒与乳状液体混合,以让酱料整体密度趋向于一致,无需在外部进行单独搅拌混合,提高了混合加工效率,满足了生产需求。该发明解决了如何对含有固态颗粒的物料进行乳化混合的问题,精简了乳化的步骤,提高了乳化混合加工的效率。
  • 一种食品颗粒乳化混合设备
  • [外观设计]防撞角(气囊 L 形)-CN202330229150.X有效
  • 刘冰冰 - 刘冰冰
  • 2023-04-23 - 2023-10-13 - 08-99
  • 1.本外观设计产品的名称:防撞角(气囊 L 形)。2.本外观设计产品的用途:本外观产品用于套在家具边角上起防护作用的防撞角。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
  • 防撞角气囊
  • [发明专利]一种具有包覆基材的二尖瓣成形环-CN202111145377.2有效
  • 陈韵岱;陆树洋;陈晓;黄韬;张铭宇;刘冰冰;李阳 - 上海翰凌医疗器械有限公司
  • 2021-09-28 - 2023-10-03 - A61F2/24
  • 本发明公开了一种具有包覆基材的二尖瓣成形环,包括成形环本体以及包覆基材,其中成形环本体包括为软体结构的多节收缩节,多节所述收缩节可首尾相接成环形结构;包覆基材包括包覆在每一节所述收缩节的表面的镍钛合金网,所述镍钛合金网包括包覆在所述收缩节的表面的包覆段和连接于所述包覆段并向背离所述环形结构中心的方向向外延伸的延伸段。通过在每一节的收缩节上设置镍钛合金网、且镍钛合金网包括包覆在收缩节表面的包覆段和连接于包覆段并背向成形环环形结构中心的方向向外延伸的延伸段,保证成形环释放时的定型以及与自体瓣叶贴合的紧密性,且便于回收。
  • 一种具有基材二尖瓣成形
  • [发明专利]一种分子束外延生长渐变层的方法-CN202310744522.1有效
  • 刘冰冰 - 合肥芯胜半导体有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-09-26 - C30B25/16
  • 本发明公开了一种分子束外延生长渐变层的方法,适用于组分渐变和掺杂渐变外延层生长,先选择固定源炉的参数值、变温源炉的变温速率或掺杂源炉的变温速率,外延层拆分成的子层数量。再根据上述已选择的三项参数计算每个子层的各项参数以及每个子层的开关挡板时间。通过每个子层的各项参数以及开关挡板时间来检查之前选择的三项参数值是否合理,不合理的进行修改直至合理。以修改后合理的参数值为准,进行外延生长,当生长到渐变层时,按照合理的参数值进行渐变生长,控制每个子层的开关挡板时间,最终实现组分或掺杂浓度与厚度之间基本呈现所需的渐变关系,同时源炉仅需要按照固定的变温速率变温,使得生长具有良好的重复性和稳定性。
  • 一种分子外延生长渐变方法
  • [发明专利]一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的结构及方法-CN202310744353.1有效
  • 刘冰冰 - 合肥芯胜半导体有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-09-26 - C30B25/18
  • 本发明涉及太阳能电池材料技术领域,提供一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的结构及方法,一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的结构,包括GaAs衬底和CdTe外延层,其特征在于:所述GaAs衬底上生长有缓冲层,在所述缓冲层上生长CdTe外延层,所述缓冲层由至少两层组成,该至少两层缓冲层的晶格常数位于GaAs衬底和CdTe外延层晶格常数之间,且通过该至少两层缓冲层实现晶格常数自GaAs衬底到CdTe外延层的逐层过渡。本发明采用台阶式晶格常数渐变的方式生长至少两层缓冲层,晶格常数自GaAs衬底到CdTe外延层逐层过渡,使得相邻层的晶格失配的概率大大降低,本发明利用界面的特有性质促使缺陷以更快的速度消除。缓冲层厚度基本可控制在2μm以内,保证在GaAs衬底上获得高质量的CdTe外延层。
  • 一种gaas衬底生长cdte外延结构方法
  • [发明专利]层状材料滑移模型的批量构建方法、系统、设备及介质-CN202310748151.4在审
  • 姚震;刘媛媛;胡阔;刘兆东;刘冰冰;付静 - 吉林大学
  • 2023-06-25 - 2023-09-19 - G06F30/20
  • 本发明公开一种层状材料滑移模型的批量构建方法、系统、设备及介质,涉及层状材料领域,该方法包括构建层状材料的初始晶体模型;从所述初始晶体模型中提取基本晶格信息;基于所述基本晶格信息,编写所述层状材料进行层间滑移的滑移程序;所述批量滑移程序用于将所述初始晶体模型的底面固定,然后将层状材料向x轴方向进行第一次滑移,滑移量为dsinθ,所述初始晶体模型的底面为x轴和y轴所在平面,然后将经历了第一次滑移的晶体模型以z轴为中心,沿逆时针方向做第二次滑移,滑移量为dsinθsinω;为角度θ和ω赋予不同的值,运行所述滑移程序,获得批量滑移结构模型。本发明提高了批量构建滑移模型的效率,同时降低了成本。
  • 层状材料滑移模型批量构建方法系统设备介质

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