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[发明专利]显示装置-CN202010523879.3有效
发明人： 冈田训明;吉田圭介 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：根据本发明实施方式的显示装置的有源矩阵基板在各像素中具有：TFT、实质上覆盖TFT的绝缘层、由透明导电材料形成并电连接于TFT的像素电极、位于TFT与像素电极之间的彩色滤光片以及中间层电极，该中间层电极由透明导电材料形成，且至少一部分位于绝缘层与彩色滤光片之间，并将TFT的漏极电极与像素电极电连接。在彩色滤光片中所形成的接触孔中，像素电极与中间层电极连接。从显示面法线方向观察时，接触孔与TFT的栅极电极至少部分重叠。
显示装置

[发明专利]头戴式显示器用显示装置和头戴式显示器-CN202010237982.1有效
发明人： 冈田训明;加藤浩巳;吉田圭介 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本发明提供一种在使设置在间隔物的配置位置的遮光部难以从视觉上被辨认的同时提高亮度，并抑制耗电量的增加的头戴式显示器用显示装置和头戴式显示器。头戴式显示器(HMD)用显示装置(10)包括并列配置的第一显示面板(20A)与第二显示面板(20B)，第一显示面板(20A)和第二显示面板(20B)分别具有表面内被划分成显示区域(A1)和非显示区域(A2)的一对基板(21、22)和介于基板(21、22)之间的柱状间隔物(25)，并且在基板(21)中设有与间隔物(25)重叠的间隔物遮光部(55)，间隔物遮光部(55)在显示区域(A1)中的配置位置在第一显示面板(20A)与第二显示面板(20B)中不一致。
头戴式显示器用显示装置显示器

[发明专利]液晶显示装置-CN201811134318.3有效
发明人： 冈田训明;内田诚一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本发明的课题在于使具有氧化物半导体TFT的液晶显示装置的开口率提高，且抑制纱窗效应。液晶显示装置具有第一基板、第二基板、液晶层、及多个柱状间隔物。像素排列是包含红色、绿色及蓝色像素列的条纹排列。第一基板具有设于各像素中、具有氧化物半导体层的TFT。第二基板具有彩色滤光片层及遮光层。遮光层具有沿列方向延伸的多个第一遮光部和沿行方向延伸的多个第二遮光部。各柱状间隔物以与多个第二遮光部的任一个重叠的方式配置。红色、绿色及蓝色像素列中的至少一个沿列方向交替具有存在多个第二遮光部的任一个的第一像素边界和不存在多个第二遮光部的任一个的第二像素边界，多个第二遮光部配置成锯齿状。
液晶显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板和显示面板-CN201780012574.2有效
发明人：内田诚一;冈田训明;上田直树;佐佐木贵启 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：阵列基板(11b)具备：栅极配线(19)；TFT(17)，其具有栅极电极(17a)、沟道部(17d)、源极部(17b)及漏极部(17c)，栅极电极(17a)包括栅极配线(19)的一部分，沟道部(17d)包括氧化物半导体膜(24)，源极部(17b)连接到沟道部(17d)的一端侧，漏极部(17c)连接到沟道部(17d)的另一端侧，且包括与沟道部(17d)相比电阻较低的氧化物半导体膜(24)；像素电极(18)，其连接到漏极部(17c)；像素PX，其具有TFT(17)和像素电极(18)；以及第2层间绝缘膜(27)，其与像素电极(18)和漏极部(17c)重叠并且在不与栅极电极(17a)重叠的位置形成有第2开口部(27a)。
薄膜晶体管显示面板

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201680068499.7有效
发明人：内田诚一;冈田训明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置(1001)具备：薄膜晶体管(101)，其具有氧化物半导体层(16)，氧化物半导体层(16)包含沟道区域和分别配置在沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；绝缘层，其配置为覆盖氧化物半导体层(16)，具有将漏极接触区域露出的接触孔(CH)；以及透明电极(24)，其在接触孔(CH)内与漏极接触区域接触，当从基板的法线方向观看时，漏极接触区域的至少一部分(R)与栅极电极(12)重叠，在沿沟道宽度方向横切漏极接触区域的至少一部分(R)的任意的截面中，氧化物半导体层(16)的宽度比栅极电极(12)的宽度大，并且栅极电极(12)隔着栅极绝缘层由氧化物半导体层(16)覆盖。
半导体装置制造方法

[发明专利]显示装置-CN201580069666.5有效
发明人：内田诚一;冈田训明;上田直树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明的显示装置(100A)的第一基板(10)具有TFT(2)，该TFT(2)设于各像素中，且具有氧化物半导体层。第二基板(20)具有彩色滤光片层(22)及遮光层(21)。彩色滤光片层(22)中所含的第一彩色滤光片、第二彩色滤光片及第三彩色滤光片中的至少一个为，对波长450nm以下的可见光的平均透射率为0.2％以下。遮光层在彩色滤光片的像素中，(a)具有薄膜晶体管遮光部(21t)，其沿着沟道长度方向(DL)延伸，且具有氧化物半导体层的沿着沟道宽度方向(DW)的长度以下的宽度；或者(b)具有薄膜晶体管遮光部，其沿着沟道宽度方向延伸，且具有氧化物半导体层的沿着沟道长度方向的长度以下的宽度；或者(c)不具有薄膜晶体管遮光部。
显示装置

[发明专利]头戴式显示器用的液晶显示装置和头戴式显示器-CN201880011976.5在审
发明人：内田诚一;冈田训明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种头戴式显示器用的液晶显示装置，具备第1基板、第2基板、液晶层以及多个柱状间隔物。第1基板具有设置于各像素的TFT、多个栅极总线以及多个源极总线。TFT包含氧化物半导体层。各柱状间隔物是与第1基板和第2基板这两方接触的。第2基板具有遮光层，上述遮光层包含与栅极总线或源极总线重叠的第1遮光部、以及与各柱状间隔物重叠的第2遮光部。各柱状间隔物配置于多个蓝色像素中的任意一个蓝色像素。遮光层的第2遮光部配置为使得存在第2遮光部的蓝色像素中的、由第2遮光部导致的开口率的下降为30％以下。
遮光部柱状间隔物蓝色像素第1基板第2基板遮光层液晶显示装置头戴式显示源极总线栅极总线氧化物半导体层头戴式显示器开口率液晶层配置像素

[发明专利]液晶显示装置-CN201811480127.2在审
发明人：内田诚一;冈田训明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种液晶显示装置，提高具备氧化物半导体TFT的液晶显示装置的开口率。液晶显示装置的第1基板具有：多个栅极配线；多个源极配线；TFT和像素电极，其设置于各像素；第1绝缘层，其覆盖源极配线；以及第1取向膜。第2基板具有遮光层、多个柱状间隔物、以及第2取向膜。TFT的漏极电极是与像素电极由同一透明导电膜形成的透明漏极电极。各柱状间隔物配置于多个栅极配线中的任意一个栅极配线与多个源极配线中的任意一个源极配线交叉的交叉区域。第1绝缘层具有形成于与至少一部分柱状间隔物各自对应的交叉区域的第1开口部。第1基板的液晶层侧的表面具有由第1开口部规定的凹部。至少一部分柱状间隔物各自的前端部位于凹部内。
液晶显示装置柱状间隔物源极配线栅极配线绝缘层交叉区域漏极电极像素电极第1基板开口部取向膜凹部氧化物半导体透明导电膜前端部位第2基板开口率液晶层遮光层像素透明覆盖配置

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN201780053920.1在审
发明人： 冈田训明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：有源矩阵基板(100)具有：基板(12)；第1薄膜晶体管(10A)，其支撑于基板(12)，具有包含结晶质硅的第1半导体层(13A)；第2薄膜晶体管(10B)，其支撑于基板(12)，具有包含氧化物半导体的第2半导体层(17)；以及第3半导体层(13B)，其隔着第1绝缘层(14)配置在第2薄膜晶体管(10B)的第2半导体层(17)的基板(12)侧，包含硅。
半导体层基板薄膜晶体管源矩阵基板绝缘层氧化物半导体结晶质支撑配置制造

[发明专利]薄膜晶体管基板和显示面板-CN201780014801.5在审
发明人： 冈田训明;内田诚一;上田直树;佐佐木贵启 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：阵列基板(薄膜晶体管基板)(11b)具备：源极配线(配线)(20)；TFT(薄膜晶体管)(17)，其具有多个电极(17a、17b、17c)；配线连接部(31)，其至少一部分构成多个电极(17a、17b、17c)中的任一电极，且其连接到源极配线(20)，包括透光性导电材料。
电极薄膜晶体管基板源极配线透光性导电材料薄膜晶体管配线连接部显示面板阵列基板配线

[发明专利]输入系统-CN201280058289.1无效
发明人： 冈田训明;藤原恒夫;三上谦一郎;芝直树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明提供具备全平面的坐标输入装置和发光笔的、即使手等接近或者接触装置表面也不被误识别的输入系统。本发明的一方式的输入系统(50)具备笔输入装置(40)和发光的笔(3)，笔输入装置(40)具有：透明导光板(1)，其能使笔(3)接触表面，且能使笔(3)的光耦合并在内部传播；以及摄像单元(10、20)，其在相互不同的部位捕捉在透明导光板(1)内传播的光束的一部分光束。笔(3)的接触坐标位置基于各摄像单元拍摄的像而求得。
输入系统

[发明专利]具有发光部的操作部件和具备该操作部件的输入系统-CN201280055517.X无效
发明人：三上谦一郎;冈田训明;藤原恒夫;芝直树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明提供一种操作部件，其具有发光部，不被输入装置误识别。本发明的一方式的操作部件是发出光的笔，该笔具有发光部，且在光出射位置具有使从发光部发出的光扩散的扩散部件。
具有发光操作部件具备输入系统

[发明专利]带微透镜阵列的显示面板的制造方法和显示装置以及曝光装置-CN200910146682.6无效
发明人：中西浩;冈田训明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是一种带微透镜阵列的显示面板的制造方法和显示装置以及曝光装置。其中，用于将感光性树脂层进行曝光的曝光装置，其特征在于：包括射出平行光的光学系统；具有承载形成有所述感光性树脂层的被曝光物的承载面的承载台；和连续地或阶段性地改变从所述光学系统射出的所述平行光对所述承载台的所述承载面的入射角的入射角控制机构。
透镜阵列显示面板制造方法显示装置以及曝光装置

[发明专利]多重记录方式的全息记录再现装置及其方法-CN200810088318.4无效
发明人： 冈田训明;长坂由起子 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G03H1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种多重记录方式的全息记录再现装置及其方法，该全息记录再现装置(100A)包含角度旋转镜(16)、矩形开口(12)和介质驱动部(38A)，将参考光(RL)和信号光(SL)的干涉条纹记录到全息记录介质(30)，并再现全息记录介质(30)记录的全息图。角度旋转镜(16)使参考光(RL)对全息记录介质(30)的入射角变化，以便在全息记录介质(30)的同一区域多重记录数据。矩形开口(12)遮蔽来自与再现的全息图相邻的全息图的再现光。介质驱动部(38A)驱动全息记录介质(30)，使得入射到全息记录介质(30)的信号光(SL)和参考光(RL)的入射角度。
多重记录方式全息再现装置及其方法

[发明专利]利用光的信息记录装置以及信息再生装置-CN200810005827.6无效
发明人：田中优纪;冈田训明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-02-05 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： G11B7/0065 文献下载
摘要：是一种信息记录装置(100，101，200，201，300，301)，该信息记录装置通过使信号光以及参照光在记录介质(11)内发生干涉，从而将信息记录在记录介质(11)中，具有：使参照光向着与信号光不同的方向偏向、而且能够移动的光偏向元件(9，16，19)；以及将信号光和偏向后的参照光聚焦在记录介质(11)中以形成干涉条纹的透镜(10)。
利用信息记录装置以及再生

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