专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种硅棒开方的方法-CN201610944570.5有效
  • 梁志慧 - 内蒙古中环光伏材料有限公司
  • 2016-11-02 - 2018-10-19 - B28D5/04
  • 本发明提供了一种硅棒开方的方法,包括以下步骤:1).缠绕金刚线;2).上料;3).确定金刚线切入点:保证切入点时金刚线与水平面间成一设定倾斜角度;4).进刀工艺:金刚线以第一设定线速度走线;5).主切工艺:金刚线以第二设定线速度走线,对硅棒继续切割;6).恢复初始加工位置;7).将硅棒绕其轴线旋转90°后夹紧,重复步骤3)‑5),对该硅棒另两个侧面进行去边皮切割。本发明所述的一种硅棒开方的方法中,通过进刀工艺和主切工艺两个切割步骤实现对硅棒进行切割,切割过程中,金刚线和水平面成一夹角,将常见切割生产中的端面入刀方式该为圆弧角入刀,该切割方式省时省力,且切割质量较好。
  • 一种金刚开方装置应用切割方法
  • [发明专利]一种单晶硅生产方法-CN201710527688.2有效
  • 武志军;刘伟;刘学;张全顺;张文霞;尚伟泽;王岩;李建弘;张雪囡 - 内蒙古中环光伏材料有限公司
  • 2017-06-30 - 2018-10-19 - C30B15/14
  • 本发明提供了单晶硅生产方法,包括以下步骤:1)、准备:该阶段坩埚埚底处于加热器本体低温区;2)、抽空:利用真空系统将热场内氧气抽干,同时充入氩气作为保护气体;3)、化料:坩埚内硅料开始出现熔体硅后,将坩埚上移至埚底处于高温区下部区域;4)、塌料:当未熔硅全部漂浮在硅液中时,升高坩埚直至坩埚顶部高出加热器本体的短加热片长度的1/5;5)、温度稳定化节段:6)、引晶。本发明所述单晶硅生产方法中,通过调整坩埚和加热器相对位置,避免硅料熔化前期出现再次结晶风险,同时,保证拉晶时,埚内液面处于高温区,这样拉晶时功耗会降低,功耗降低会较弱石英坩埚和熔体硅的反应,进而可以降低氧含量。
  • 一种加热器应用单晶硅生产方法

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