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[发明专利]一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法-CN201210079838.5无效
发明人：尚伟泽;高润飞;申霖;谷守伟;梁山;刘宇;王军磊;高树良;沈浩平 -专利权人： 内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法。本装置是专门用于大投料量生长高寿命大直径N型硅单晶的热场装置。本装置为导流筒，包括导流内筒、隔热层及石墨导流外筒，隔热层置于导流内筒和石墨导流外筒之间，导流内筒的材质为高纯石英。针对热场的变化，工艺参数相应的进行调整，调整坩埚位置，使固液界面距离石墨导流外筒下沿的距离在25-35mm之间；将氩气流量调整在70-90slpm范围内。将炉内压力调整在10-15Torr范围内。采取本发明生长的N型硅单晶整体（含表面）少子寿命≥1000us，从而避免了金属杂质对硅单晶棒少子寿命的影响，使得拉制出的硅单晶边缘寿命低的问题得到彻底解决，为生产高效率N型硅太阳能电池提供高品质的单晶硅材料。
一种提高型硅单晶边缘少数载流子寿命装置方法

[发明专利]用于直拉硅单晶炉的热屏装置-CN201110351048.3有效
发明人：尚伟泽;谷守伟;梁山;王军磊;高润飞;高树良;沈浩平 -专利权人： 内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于直拉硅单晶炉的热屏装置，包括外筒、隔热层和内筒，还包括热反射层、隔热垫I、隔热垫II，热反射层置于外筒与隔热层之间；隔热层置于热反射层与内筒之间；隔热垫I设置在热屏装置上端的外筒和内筒之间，隔热垫I的一端与隔热层相接紧配合，隔热垫II设置在热屏装置底端的外筒和内筒之间，隔热垫II的一端与隔热层相接紧配合。本发明的特点是：有效防止钼片热反射层反射的热辐射对晶体的作用，更大程度加大了晶体的散热，提高了晶体生长速度。实现了对熔硅更强的保温，进一步降低了开炉功耗，节省了生产成本。成本低廉、容易实现。
用于直拉硅单晶炉装置

[发明专利]一种太阳能级直拉单晶硅的连续复投的生产方法-CN201110302631.5无效
发明人：尚伟泽;高润飞;谷守伟;贾海洋;高树良;沈浩平;申霖 -专利权人： 内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能级直拉单晶硅的连续复投的生产方法，本方法包括以下生产流程：首次装料→首次化料→二次加料→二次化料→提拉单晶→取棒→复投→化料→提拉单晶→取棒→停炉、清炉；其中，复投→化料→提拉单晶→取棒过程可根据坩埚寿命及炉台运行情况重复多次进行，以实现单炉次多颗单晶的连续生产，本发明可有效降低生产成本，并显著提高生产效率，解决现有太阳能级直拉单晶硅生产中首次投料量不足、坩埚利用率低以及埚底料剩出多的问题。
一种太阳能级单晶硅连续生产方法