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[发明专利]衬底处理装置-CN201780057738.3有效
发明人：铃木达大;德利宪太郎;西村高志;结城嘉晓;玉置康人;宫路信行;平下友美;内田博章;奥谷洋介 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供抑制衬底的污染的技术。衬底处理装置具备：衬底保持部，其水平地保持衬底；处理液供给部，其向被保持于衬底保持部的衬底供给处理液；和受液部，其围绕衬底保持部的周围，并接收从衬底飞散的处理液。另外，受液部的内周面具有在被保持于衬底保持部的衬底侧露出的多个槽，多个槽各自的延伸方向包含铅垂方向的分量。因此，处理液的液滴易于在槽内合流并因自重而落下。
衬底处理装置

[发明专利]衬底处理装置-CN202211150585.6在审
发明人：高桥朋宏;内田博章;岸田拓也;杉冈真治 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底处理装置。在作为第1循环配管(35)的一部分的浓缩用配管(39)，设有具有石英管(47)的石英加热器(41)。第1迂回配管(36)的两端(36A)、(36B)连接在浓缩用配管(39)的上游端及下游端。在第1迂回配管(36)，设有具有非石英管(51)的非石英加热器(45)。控制部(93)在将第1槽(T1)内的磷酸溶液浓缩时，一边将磷酸溶液输送到浓缩用配管(39)，一边使用石英加热器(41)将通过浓缩用配管(39)的磷酸溶液加热。控制部(93)在第1槽(T1)内的磷酸溶液的浓缩完成时，一边将磷酸溶液输送到第1迂回配管(36)，一边使用非石英加热器(45)将通过第1迂回配管(36)的磷酸溶液加热。
衬底处理装置

[发明专利]氮化硅膜的成膜方法和成膜装置-CN202111318553.8在审
发明人：渡边幸夫;高藤哲也;内田博章;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为200℃以下。
氮化方法装置

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201810161422.5有效
发明人：仓崎浩二;枝光建治;佐藤昌治;武知圭;松村刚至;内田博章;山本滋;高桥朋宏;岩谷浩伸;杉冈真治 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。目的在于即使在伴随基板处理的处理液中的成分浓度的变化较大的情况下，也能够对处理基板的期间的处理液的浓度进行控制。基板处理装置具备：用于利用处理液(30)对基板(12)进行处理的处理槽(14)；预先取得基板的处理信息(200)的取得部(50)；以及存储对处理信息所能取的多个状况、和与上述多个状况分别对应地预先准备的多个浓度变化模式进行记述的对应信息的存储部(52)。并设有：通过参照对应信息，对与所取得的基板的处理信息对应的预测浓度变化模式进行确定的确定部(54)；以及在处理槽中处理基板的期间，基于预测浓度变化模式进行处理液的浓度控制的控制部(56)。
处理装置以及方法

[发明专利]处理液调温方法、衬底处理方法、处理液调温装置及衬底处理系统-CN202110300578.9在审
发明人：高桥朋宏;武知圭;内田博章;杉冈真治 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能使用来处理衬底的处理液的浓度快速达到目标值的处理液调温方法、衬底处理方法、处理液调温装置及衬底处理系统。处理液调温方法包括：步骤(S1)，将用来处理衬底(W)的处理液(LQ)加热到处理液(LQ)的标准沸点以上；步骤(S2)，对贮存在第1贮存槽(210)的处理液(LQ)供给促进水分从加热后的处理液(LQ)中蒸发的气体(GA)；及步骤(S3)，从第1贮存槽(210)中排出水蒸气及气体(GA)。处理液(LQ)是含有磷酸的液体。
处理调温方法衬底装置系统

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201810447691.8有效
发明人：高藤哲也;内田博章;渡边幸夫;里吉务;佐佐木和男;吉田守 -专利权人：东京毅力科创株式会社;高知县公立大学法人
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子。
方法装置

[发明专利]成膜装置和气体排出部件-CN201080006085.4无效
发明人：岩田辉夫;桑嶋亮;网仓学;桥本毅;内田博章 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：成膜装置(100)具备：收容晶片(W)的腔室(1)；在腔室(1)内载置晶片(W)的载置台(2)；在载置台(2)上加热晶片(W)的加热器(5a、5b)和；设置为与载置台(2)对向，向晶片(W)排出成膜用的处理气体的主体由铝或铝合金构成的喷淋板(12)，其是在晶片(W)的表面，形成在成膜温度下热膨胀率比喷淋板(12)的主体(13)的热膨胀率低5×10-6/℃以上的膜的装置，喷淋板(12)在与主体(13)的载置台(2)相对的表面形成有厚度为10μm以上的阳极氧化被膜(14)。
装置气体排出部件

[发明专利]高电介质膜的形成方法和半导体装置的制造方法-CN200780040077.X无效
发明人： 内田博章;高桥毅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供高电介质膜的形成方法和半导体装置的制造方法。该高电介质膜的形成方法包括：在基板上使用有机金属原料以350℃以下的温度通过ALD或CVD形成高电介质膜的工序；和在低压的含氧气氛中向高电介质膜照射紫外线，使膜中的氢脱离的工序。另外，半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上使用有机金属原料以350℃以下的温度通过ALD或CVD形成高电介质膜作为栅极绝缘膜的工序；在低压的含氧气氛中向高电介质膜照射紫外线，使膜中的氢脱离的工序；和在高电介质膜之上形成栅极电极的工序。
电介质形成方法半导体装置制造

[发明专利]基板处理装置及其板处理方法-CN200780033165.7有效
发明人：永井达夫;森田博志;高桥弘明;内田博章;林豊秀 -专利权人：栗田工业株式会社;大日本网屏制造株式会社
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种能够从基板很好地去除抗蚀剂，并且能够再利用在该抗蚀剂的去除中使用过的处理液的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置具有：基板保持装置，其用于保持基板；过硫酸生成装置，其使用硫酸生成过硫酸；混合装置，其对通过所述过硫酸生成装置生成的过硫酸以及与由所述过硫酸生成装置使用的硫酸相比更高温并且更高浓度的硫酸加以混合；以及喷出装置，其将通过所述混合装置混合的过硫酸和硫酸的混合液作为从基板去除抗蚀剂用的处理液，并向保持在所述基板保持装置的基板喷出。
处理装置及其方法

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN200810173844.0有效
发明人： 内田博章;前川直嗣;阿野诚士 -专利权人：大日本网屏制造株式会社
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种基板处理方法及装置，该方法在具有板且用处理液对基板实施处理的基板处理装置中执行，板具有与基板一个面隔开间隔而相对的相对面，该方法包括：前供给液液封工序，使前供给液通过与基板中心相对而形成在相对面上的喷出口供给至基板一个面与板之间，且通过前供给液使基板一个面与板之间的空间成为液封状态，前供给液相对基板及板的接触角小于处理液相对基板及板的接触角；处理液置换工序，在通过前供给液使空间成为液封状态后，通过向基板一个面与板之间供给处理液，一边将空间内维持为液封状态，一边将空间内的前供给液置换为处理液；处理液接触工序，在将前供给液置换后，通过处理液使空间成为液封状态，使处理液与基板一个面接触。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN200710148564.X无效
发明人： 内田博章 -专利权人：大日本网目版制造株式会社
申请日： 2007-08-29 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置包括：基板保持单元，其用于保持基板；推拉板，其以隔开间隔的方式与所述基板保持单元所保持的基板的一个面相对向配置，在与所述一个面相对向的面上形成有喷出处理液的多个喷出口和吸引从所述喷出口喷出的处理液的多个吸引口；相对旋转单元，其使所述基板保持单元所保持的基板与推拉板相对旋转。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置-CN200710006225.8有效
发明人：广江敏朗;内田博章 -专利权人：大日本网目版制造株式会社
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置，用于使用处理液对基板实施处理，其具有：一侧的板，其与所述基板的一侧的面以隔开间隔的方式对置设置，并且在与所述一侧的面对置的面上形成有多个喷出口以及吸引口；一侧的处理液供给机构，其用于向所述一侧的板的所述喷出口供给处理液；一侧的吸引机构，其用于对所述一侧的板的所述吸引口内进行吸引。
处理装置

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