“兰姆研究有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果164个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]增强的晶片清洗方法-CN201410279936.2在审
发明人：允锡民;J·M·柏依;M·威尔克逊;J·德赖瑞厄斯 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2006-02-08 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种在如图2D所示的单晶片清洗系统(100-2)中去除后处理残余物的方法。所述方法开始于向设置于衬底(108)之上的近程头(106a-3,106b-3)提供第一被加热流体。之后，在所述衬底的表面和所述近程头的相对表面之间形成所述第一流体的弯月面。使所述衬底在所述近程头下面线性移动。
增强晶片清洗方法

[发明专利]用于清洗衬底的方法-CN201210164517.5有效
发明人： J·M·德拉里奥斯;M·拉夫金;J·法伯;M·科罗利克;F·C·雷德克尔 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：提供了一种用于清洗衬底的方法。在该方法中，提供了非牛顿流体流，其中至少部分流呈现栓塞流。为了从衬底表面去除颗粒，放置衬底表面与呈现栓塞流的流部分接触以使呈现栓塞流的流部分在衬底表面上移动。也描述了用于清洗衬底的另外的方法和装置。
用于清洗衬底方法

[发明专利]用于清洁衬底的装置和系统-CN201210089399.6无效
发明人： E·M·弗里尔;J·M·德拉里奥斯;K·米克海利岑科;M·拉夫金;M·科罗利克;F·C·雷德克;C·托马斯;J·帕克斯 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于清洁衬底的装置和系统。本发明公开了用于清洁衬底的装置。该装置具有第一头单元和第二头单元。第一头单元被设置成紧邻衬底表面，并具有限定在其中的、经构造以向衬底表面供给泡沫的第一行通道。第二头单元被设置成基本上靠近第一头单元并紧邻衬底表面。第二行和第三行通道限定在第二头单元中。第二行通道经构造以向衬底表面供给流体。第三行通道经构造以向衬底表面施加真空。
用于清洁衬底装置系统

[发明专利]用于产生均匀的处理速率的方法和设备-CN201110437893.2有效
发明人： A·M·霍瓦尔德;A·库蒂;M·H·维尔科克森;A·D·拜利三世 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2003-07-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：描述了一种用于在等离子体处理设备的处理腔室的腔室壁内的等离子体产生区域产生射频场分布的天线装置。该天线装置包括射频电感天线，射频电源可以连接到其上以供应射频电流，以产生延伸进入等离子体产生区域的第一射频场。还设置了无源天线，其电感性地耦合到射频电感天线并且配置为产生修改第一射频场的第二射频场。与没有无源天线时相比，在等离子体产生区域的射频场分布增加了处理设备的处理均匀性。
用于产生均匀处理速率方法设备

[发明专利]用于使用涡流的薄膜基板信号分离的系统、方法及设备-CN201110111352.0有效
发明人： Y·戈特基斯 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2003-12-22 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：一种用于确定由基板引起的涡流传感器(ECS)信号分量的系统及方法，包括将基板放在相对于ECS的第一位置中，该第一位置与ECS相距第一距离。基板可包括位于基板的第一表面上的导电膜。可检测基板位于第一位置时的第一ECS信号。接着可相对于ECS翻转基板，使得基板位于相对于ECS的第二位置中，该第二位置与ECS相距第二距离。第二距离等于第一距离减去约基板厚度。检测基板位于第二个位置时的第二ECS信号。确定差信号。差信号等于在ECS的校正图上第一信号电平与第二信号电平之间的差。第二信号电平偏移大约等于基板厚度的距离。计算第一ECS信号的第一基板分量。第一ECS信号的第一基板分量等于第一距离与差信号的乘积，除以基板厚度。
用于使用涡流薄膜信号分离系统方法设备

[发明专利]用于沉积半导体晶片薄膜和使其平面化的装置和方法-CN201010202719.5无效
发明人： M·瑞夫肯;J·柏依;Y·N·多迪;F·C·瑞德克;J·M·德赖瑞厄斯 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2004-05-24 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明涉及用于沉积半导体晶片薄膜和使其平面化的装置和方法。具体而言提供了一种用于在晶片表面上沉积金属层的电镀装置。在一个例子中，能被充电作为阳极的邻近头紧靠着晶片表面放置。在晶片和邻近头之间提充电镀流体以产生局部金属电镀。
用于沉积半导体晶片薄膜平面化装置方法

[发明专利]利用相容化学品的基板刷子擦洗和接近清洗干燥程序、接近基板制备程序和实施前述程序的方法、设备和系统-CN201010166996.5无效
发明人： M·拉金;J·M·德拉里奥斯;M·科罗里克;M·G·R·史密斯;C·伍德斯 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于清洗和干燥基板的正面和背面的方法。该方法包括使用擦洗流体化学品擦洗基板的背面。该方法还包括一旦完成背面的擦洗之后，就在基板的正面上施加正面弯液面。该正面弯液面含有正面清洗化学品，而正面清洗化学品与该擦洗液体化学品呈化学性相容。还提供了一种基板的表面的制备方法，该方法包括使用弯液面扫掠基板的表面，使用弯液面制备基板的表面和在未进行冲洗操作的情况下，在已制备的基板的表面上进行下一个制备操作。
利用相容化学品板刷擦洗接近清洗干燥程序制备实施前述方法设备系统

[发明专利]使用薄的、高速液体层处理晶片表面的方法-CN201010119755.5有效
发明人： M·拉金;M·G·R·史密斯;J·M·德拉里奥斯;F·雷德克;M·科罗里克;C·迪皮伊特罗 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2005-04-01 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种处理衬底的方法，包括：在所述衬底的表面产生液体层，所述液体层限定出液体弯月面，所述产生包括移动所述头部以接近所述衬底表面，所述移动在所述衬底和所述头部的表面之间限定间隙；当所述头部接近所述衬底的所述表面时从所述头部给所述表面提供液体以限定所述液体层；和用真空通过所述接近头部从所述表面去除所述液体，所述真空根据所述衬底的所述表面和所述头部的所述表面之间的间隙的液体流动速度来调节，所述真空的所述调节确保所述液体弯月面可控制地被保持在所述头部的所述表面和所述衬底的所述表面之间；其中，所述液体沿着在所述头部的所述表面和所述衬底的所述表面之间的所述液体层以当头部更接近所述表面时增加的速度流动，其中，当所述速度增加时所述真空增加，当所述速度减小时所述真空减小。
使用高速液体处理晶片表面方法

[发明专利]具有倾斜真空导管的近头系统、设备和方法-CN200880011132.7有效
发明人： M·拉夫金;J·德拉里奥斯;F·C·雷德克;M·科罗利克;E·M·弗里尔 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种近头包括头部表面。该头部表面包括第一平坦区和多个第一导管。多个第一导管中的各个由多个第一离散孔中的对应的一个来限定。多个第一离散孔位于头部表面中并延伸通过第一平坦区。头部表面还包括第二平坦区和多个第二导管。多个第二导管由对应的多个第二离散孔限定，该多个第二离散孔位于头部表面中并延伸通过第二平坦区。头部表面还包括布置在第一平坦区和第二平坦区之间并与之相邻的第三平坦区和多个第三导管。多个第三导管由对应的多个第三离散孔限定，该多个第三离散孔位于头部表面中并延伸通过第三平坦区。第三导管以相对于第三平坦区的第一角度形成。第一角度在30度和60度之间。也描述了一种用近头处理衬底的系统和方法。
具有倾斜真空导管系统设备方法

[发明专利]衬底邻近处理结构以及使用和制造方法-CN200910152121.7无效
发明人： C·伍德斯;M·G·R·史密斯;J·帕克斯 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2005-04-01 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于生成处理衬底的液体弯液面的装置和方法。该装置包括：具有多个导管的歧管表面的歧管头，当该歧管头定位在衬底附近时，配置多个导管以在衬底表面上产生液体弯液面，具有多个通道的歧管头能够与多个导管传递液体；以及连接到歧管头的一部分的界面膜，配置该界面膜以阻塞多个导管的一部分。该的方法，包括：通过从第一入口将第一液体施加到衬底和从第二入口将第二液体施加到衬底和经出口从衬底除去第一液体和第二液体来提供能够产生液体弯液面的邻近头；阻塞第一入口、第一入口的第一液体通道、第二入口、第二入口的第二液体通道、出口、和从出口的第三液体通道的至少一个的至少一部分；其中通过改变上述的至少一个的阻塞部分来调整液体弯液面的形状和尺寸的至少其中一个。
衬底邻近处理结构以及使用制造方法

[发明专利]衬底邻近处理结构以及使用和制造方法-CN200910138830.X无效
发明人： C·伍德斯;M·G·R·史密斯;J·帕克斯 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2005-04-01 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于产生待形成在衬底上的液体弯液面的可变形结构的邻近头，其包括：外壳体，其具有在处理侧和覆盖侧之间延伸的壁，所述壁在覆盖侧形成有开口，所述处理侧具有平表面区域，并形成有接收区开口，具有平表面区域的所述处理侧包含按第一结构的第一组分离的导管；及处理结构插头，其构造成安装在外壳体内并延伸通过覆盖侧的开口而进入接收区开口，所述处理结构插头具有由平表面区域限定的插头表面，该插头表面包含按第二结构的第二组分离的导管；其中，处理结构插头的插头表面和外壳体的处理侧限定了邻近表面，该邻近表面具有按第一结构和第二结构的第一和第二组分离的导管。
衬底邻近处理结构以及使用制造方法

[发明专利]限制环驱动器-CN200680003234.5有效
发明人： P·西瑞格里安诺 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：提供了用于半导体处理室的限制组件。限制组件包括多个相互上下布置的限制环。多个限制环的每个分开以空间且多个限制环的每个具有多个限定在其内的孔。提供了延伸通过相应的限制环的对齐的孔的柱塞。柱塞可在大体上垂直于限制环的平面内移动。比例调整支承件固定到柱塞。比例调整支承件构造为支承限制环，使得当柱塞在平面内移动时分开了多个限制环的每个的空间被按比例调整。在一个实施例中，比例调整支承件是波纹套管。提供了半导体处理室和用于将等离子体限制在具有多个限制环的蚀刻室内的方法。
限制驱动器

[发明专利]利用牺牲材料的半导体构造的制造方法-CN200910006730.1有效
发明人：耶海尔·哥特基斯;戴维·魏;罗德尼·基斯特勒 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2002-03-26 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：形成复数个晶体管结构于基板上；形成复数个交互连接金属化结构于复数个阶层中，复数个交互连接金属化结构的形成包括沉积牺牲层、进行双重镶嵌工艺以蚀刻复数个渠沟与复数个通孔，及填满且平坦化复数个渠沟与复数个通孔；对复数个交互连接金属化结构的复数个阶层从头到尾地蚀刻掉牺牲层，该蚀刻留下空隙的交互连接金属化结构；以及藉着低K介电材料填满空隙的交互连接金属化结构，该填满用以界定低K介电质的交互连接金属化结构。
利用牺牲材料半导体构造制造方法

[发明专利]用于产生均匀的处理速率的方法和设备-CN200810178065.X有效
发明人： A·M·霍瓦尔德;A·库蒂;M·H·维尔科克森;A·D·拜利三世 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2003-07-17 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及用于产生均匀的处理速率的方法和设备，其中一种用于在等离子体处理设备的处理腔室的腔室壁内的等离子体产生区域中产生射频场分布的天线装置，其包括：射频电感天线，射频电源连接到其上，以供应射频电流来产生延伸进入等离子体产生区域内的第一射频场；及无源天线，无源天线电感性耦合到射频电感天线并且配置为产生第二射频场来修改第一射频场，使得在等离子体产生区域的射频场分布与没有无源天线时相比增加了处理设备的处理均匀性，其中，无源天线提供电传导路径，感应电流可以在该路径上流动，以产生至少一部分第二射频场。
用于产生均匀处理速率方法设备

[发明专利]用于晶片处理的处理室及其相关方法-CN200810175795.4无效
发明人： J·帕克斯 -专利权人： 兰姆研究有限公司
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于晶片处理的处理室及其相关方法。该方法包括：提供处理室，其包括：第一体积，覆盖在晶片上方；平板，支撑晶片，限定晶片正下方的第二体积，平板包含流体入口和出口，它们限定在平板的周边，并位于限定成支撑晶片的部分的外侧，它们定向成使流体以设定的形式流过第一体积；支撑结构，支撑平板，还限定平板正下方的第三体积。将晶片放置在平板的限定成支撑晶片的部分上。对第一、第二及第三体积加压，使第一体积具有比第二体积更高的压力，进一步使第二体积具有比第三体积更高的压力。通过流体入口向第一体积提供流体，通过流体出口将流体从第一体积排出，使流体以设定的形式流过第一体积，流体配制成可执行晶片清洗过程。本发明还提供清洗晶片的方法。
用于晶片处理及其相关方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
下一页»
尾页
共 164 条