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[实用新型]一种敞车车门密封锁紧机构-CN202022141125.X有效
发明人：于横;温鑫;李殿臣;李军;赵利锋;云峰;孟汉宙;张树稳;李全生;李晨宇;温辰;毛志华;张小伟;党继东;王晨;李泽霖 -专利权人：于横
申请日： 2020-09-26 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B61D3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种敞车车门密封锁紧机构，包括滑轨，所述滑轨的侧面滑动设置有滑块，所述滑块的侧面设有压板，压板与滑轨长度方向垂直的侧面设有螺纹孔，且螺纹孔的内部螺纹活动穿插有定位杆，且定位杆远离滑轨一端的侧面设有与螺纹孔配合的螺纹，滑轨与定位杆对应的侧面设有均匀分布的定位槽，压板的侧面设有助推件，助推件包括固定在压板侧面的减震器，且减震器沿滑轨的长度方向伸缩。该敞车车门密封锁紧机构，结构简单，安装方便，可以调节，能够对侧门进行快速锁紧，并且可以辅助打开侧门，具有一定的缓冲效果，能够避免初始阶段侧门打开过快导致物料对操作人员造成伤害，操作安全性高，使用方便。
一种敞车车门密封机构

[发明专利]太阳能电池片及其制备方法、光伏组件-CN201811149264.8有效
发明人：沈波涛;党继东;费正洪 -专利权人：阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池片的制备方法，包括如下步骤：S1、提供硅片，在硅片表面进行制绒形成绒面，所述绒面具有第一区域和第二区域，所述第一区域的比表面积比所述第二区域的比表面积大；S2、在所述绒面上制备PN结；S3、刻蚀硅片边缘；S4、制备减反射膜；S5、在第一区域上方制作金属电极；形成太阳能电池片。通过所述第一区域的比表面积比所述第二区域的比表面积大，因此只要在相同的扩散条件下进行一次扩散，即可使得第一区域内的方阻比第二区域的方阻低，从而形成所需要的不同方阻的选择性发射极结构，基于此制备出的太阳电池片的转化效率较常规黑硅电池提高0.2％。
太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]太阳能电池的低压扩散工艺及利用其制备得到的太阳能电池-CN201711398699.1有效
发明人：李邦勇;马晓林;潘岳林;费正洪;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的低压扩散工艺及利用其制备得到的太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，该太阳能电池的低压扩散工艺，扩散过程完成后采用氧气进行回压然后再进行氧化处理。利用该低压扩散工艺能够缓解现有技术的低压扩散工艺造成的氧化层形成速度慢、厚度薄以及由此导致的太阳能电池效率低的技术问题，达到了提高电池片转换效率的技术效果。
太阳能电池低压扩散工艺利用制备得到

[发明专利]一种PECVD镀膜的气体控制方法以及设备-CN201710665452.5有效
发明人：袁中存;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其是涉及一种PECVD镀膜的气体控制方法以及设备。该方法包括如下步骤：将硅烷供气管路、氨气供气管路和笑气供气管路分别连接于PECVD的反应腔，并在每种供气管路上配置有一气体流量控制器；根据每层待镀的膜层结构设定硅烷、氨气和笑气三种气体的流量参数；气体流量控制器分别按照所设定的流量参数控制输入对应的气体至PECVD的反应腔中。该方法通过气体流量控制器既能实现定量控制气体的流量，又能实现变量控制气体的流量，而且在镀膜时分别向PECVD的反应腔中通入氨气、硅烷和笑气三种气体，因此该方法生产的膜层结构具有较好的光学特性。
一种 pecvd 镀膜气体控制方法以及设备

[发明专利]一种制备太阳能电池的扩散工艺-CN201710779452.8有效
发明人：刘志强;费正洪;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备太阳能电池的扩散工艺，在不同压力状态下多次扩散，以制备多层PN结结构。通过控制压力的变化进行多次扩散，可以控制掺杂元素的掺杂浓度，制备多层PN结结构，该扩散工艺既可以增加PN结内建电场强度，提高开路电压，多层PN结结构的表层N++区或P++区还可以和正银栅线间形成很好的欧姆接触，从而提升电池转换效率。通过控制压力的方法制备多层PN结结构，可以避免扩散温度过高，从而避免掺杂元素的掺杂量过多、结深过深、硅片损坏等问题，提高太阳能电池的转换效率及质量。
一种制备太阳能电池扩散工艺

[发明专利]一种太阳能电池片的扩散方法及得到的太阳能电池片-CN201710300181.3有效
发明人：刘龙杰;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池片的扩散方法，所述扩散方法包括渐变扩散步骤：在元素掺杂过程中，在硅表面的掺杂元素随时间具有梯度变化的浓度。本发明通过将扩散的掺杂金属的量调整为梯度，在初期采用较小的浓度进行高温扩散，能够让近表区氧沉淀充分溶解，过多的氧沉淀不利于退火步吸除杂质，增加太阳能电池板的开压；而随着工艺过程，在后期采用较大的掺杂浓度进行高温扩散，能够迅速弥补表区的P掺杂，增加掺杂金属的有效填充。本发明提供的扩散方法，能够减少死层，溅射形成的填隙原子、位错和缺陷。
一种太阳能电池扩散方法得到

[发明专利]一种硅电池片的标记方法-CN201710812469.9有效
发明人：刘恩华;杨冰;袁中存;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅电池片的标记方法，包括如下步骤；设计出N2种不同类型的便于标记的石墨舟卡点；在每个硅电池片的所对应的电池片仓位周边加工有N1数量个安装孔；且每个安装孔内安装有一个所述便于标记的石墨舟卡点；将石墨舟在进行镀膜工艺；将识别得到的当前所述硅电池片的电池片仓位周边的且按照安装孔周向位置分布顺序排列的N1数量个安装孔所对应的卡点类型所代表的阿拉伯数字，依次再按照从数学计数单位一端至另一端的数位顺序进行排列，进而得到当前所述硅电池片的一个N2进制表示的N1位数的编号数字；将所述编号数字作为当前所述硅电池片的标记编号。该硅电池片的标记方法，为硅电池片进行问题排查和优化分析提供了帮助。
一种电池标记方法

[发明专利]一种控制掺杂曲线一致性的方法-CN201710741576.7有效
发明人：刘志强;费正洪;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制掺杂曲线一致性的方法，属于光伏技术领域。该方法包括进舟步、升温步、氧化步、分步沉积、升温推结步、降温退火步、出舟步，其中，分步沉积为，在炉尾到炉口存在温度梯度的情况下，通入氮气、氧气、掺杂源气体进行预沉积；其扩散工艺采用分步多次沉积的方法，增加硅片表面掺杂源的掺杂均匀性，并且通过设计沉积步温度，使各温区温度从炉尾到炉口依次增加，形成温度梯度，增加了炉口区域的掺杂源在硅中的固溶度，补偿了炉口区域掺杂源掺杂过少的问题，保证了表面浓度的一致性及各区域掺杂源掺杂量的一致性，进而保证硅片结深一致性；通过该方法使扩散工艺的掺杂曲线更一致，电性能参数更加一致，提升了组件的CTM。
一种控制掺杂曲线一致性方法

[发明专利]一种采用PECVD镀设减反膜的方法-CN201710330442.6有效
发明人：袁中存;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用PECVD镀设减反膜的方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片放入PECVD设备的石英管内，抽真空、升温，通入反应气体，使石英管内形成反应气体的气氛氛围；将PECVD设备的电源功率调整到P1，对待处理的硅片表面进行间接法镀膜，在硅片表面沉积底层减反膜；所述P1大于40KHZ；(2)然后将PECVD设备的电源功率调整到P2，进行直接法镀膜，在所述底层减反膜上继续沉积减反膜；所述P2小于等于40KHZ；关闭电源，同时停止通入反应气体，即可完成减反膜的镀设。实验证明，采用本发明得到的减反膜的膜厚均匀性较好，且可以降低表面少子复合速率，提高少子寿命，提高电池片的光电转换效率。
一种采用 pecvd 镀设减反膜方法

[发明专利]一种氮化硅薄膜的沉积方法-CN201610933466.6有效
发明人：袁中存;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅薄膜的沉积方法，本发明的方法采用等离子体增强化学气相沉积设备进行氮化硅薄膜的沉积，沉积过程中，硅片依次经过进料腔、预热腔、工艺腔、冷却腔和出料腔，进料腔、预热腔和工艺腔的温度均分别随时间而升高，记进料腔的最低温度、进料腔的最高温度、预热腔的最低温度、预热腔的最高温度、工艺腔的最低温度、工艺腔的最高温度分别为T₁、T₁’、T₂、T₂’、T₃和T₃’，且200℃≤T₁’≤250℃，T₂＝T₁’，硅片离开预热腔的温度与硅片进入工艺腔的温度相同，且硅片进入工艺腔后工艺腔升温至T₃’。本发明的方法降低了功率输出及硅片的隐裂几率，提升了氢钝化效果，得到的太阳能电池的EFF相对于现有技术中的产品提高了0.08％，Uoc和Isc上也均有提升。
一种氮化薄膜沉积方法

[发明专利]叠层膜、包含其的石墨舟及其制备方法、及石墨舟清洗方法-CN201610599242.6有效
发明人：张标;党继东;龙维绪 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于饱和石墨舟的叠层膜，所述叠层膜由下至上依次包括第一氮化硅层、氧化硅层和第二氮化硅层；所述第一氮化硅层沉积在所述石墨舟上。本发明提供的叠层膜能够有效节约镀膜后的石墨舟的清洗时间，节省HF用量，降低成本。
叠层膜包含石墨及其制备方法清洗

[发明专利]一种晶体硅片的刻蚀方法-CN201610910558.2有效
发明人：沈波涛;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅片的刻蚀方法，包括如下步骤：(1)将制绒、扩散后的晶体硅片的N面的杂质玻璃层去除；(2)将晶体硅片的N面进行氧化；(3)在上述二氧化硅氧化层上形成水膜；(4)刻蚀硅片边缘和P面，使P、N面绝缘；(5)水洗；(6)碱洗；(7)水洗；(8)酸洗；(9)水洗；风干。本发明在采用药液刻蚀之前采用了先去除PSG、再重新制备氧化层的工序，不仅可以将硅片表面的非有效磷氧化，而且还会将绒面尖峰区域与正常区域差异化，从而在碱洗时将尖峰区域平坦化，并在后续的酸洗中将氧化膜及连带的非活性磷去除，彻底去除硅片表面非活性磷的目的，降低表面复合，提升电池片的电性能，显然具有积极的现实意义。
一种晶体硅片刻蚀方法

[实用新型]一种适用于石墨舟的卡点及石墨舟-CN201721159300.X有效
发明人：杨冰;刘恩华;费正洪;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于石墨舟的卡点及石墨舟，包括安装部以及沿着安装部呈镜像分布且同轴固定的卡点单元；每个所述卡点单元依次包括与安装部固定连接的承载部和与承载部固定相连的表面部，沿着每个所述卡点单元的表面部的边缘处均设置有镂空。本实用新型提供的石墨舟，是包含了上述适用于石墨舟的卡点的载体装置。本实用新型提供的适用于石墨舟的卡点，在相同尺寸下，适用于石墨舟的卡点与硅电池片接触面积变小，因此硅电池片上的卡点印也变小了，实现了减少硅电池片上卡点印面积的技术目的。
石墨舟本实用新型硅电池片表面部变小卡点承载固定相连同轴固定载体装置镂空边缘处上卡

[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法-CN201610207469.1有效
发明人：杨健;党继东 -专利权人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法，包括如下步骤：(1)将扩散炉升温至760~780℃；进舟；(2)调温至780~790℃；(3)通入携磷源气体及干氧，进行低温扩散；(4)停止通入携磷源气体及干氧，将炉内温度升高至820~840℃，推进，(5)进行恒温推进；(6)将扩散炉内温度降低到700~750℃，进行降温扩散；(7)降温出舟。本发明开将退火步与二次扩散步结合，避免了现有技术中因退火而引起的表面掺杂溶度二次降低且杂质分布宽的问题；不仅使杂质分布符合浅结及窄杂质需求，而且还增加了产量，提高了光电转换效率。
一种晶体太阳能电池扩散方法

[实用新型]一种扩散炉-CN201721554131.X有效
发明人：王福强;李邦勇;李溢;倪升辉;朱纹哲;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C30B31/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扩散炉，涉及太阳能电池技术领域。扩散炉包括炉体、进气管和排气管，炉体内放置有承载硅片的石英舟；进气管位于所述炉体的上方，所述进气管的上表面设置有多个朝向所述炉体顶部的喷淋孔；排气管位于所述炉体的下方，所述排气管的末端封闭、前端与抽气装置连接，所述排气管的上表面沿所述排气管的长度方向设置有多个排气孔。进气管上的喷淋孔朝向炉体的顶部设置，扩散气体由喷淋孔向上喷出，与炉体的顶部碰撞打散后向下流动，可以使得进气管喷淋出的扩散气体更加均匀；排气管上的排气孔由前端到末端逐渐增大，可以保证由排气孔抽出的扩散气体的流量一致，从而保证炉体内的扩散气体的浓度分布均匀，提高硅片扩散的良品率。
排气管进气管炉体扩散炉排气孔喷淋孔扩散上表面体内太阳能电池技术长度方向设置抽气装置连接本实用新型顶部设置硅片扩散炉体顶部末端封闭浓度分布向下流动逐渐增大良品率石英舟打散硅片喷出喷淋承载抽出保证

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