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[发明专利]高输出第Ⅲ族氮化物发光二极管-CN200580032028.2有效
发明人：约翰·A·埃德蒙;迈克尔·J·伯格曼;大卫·T·艾默森;克文·W·哈勃瑞恩 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：公开一种发光二极管，它包含碳化硅基片和在该基片上由第III族氮化物材料系制成的发光结构。该二极管的面积大于100,000μm²以及在390nm与540nm之间主波长和20mA电流下的辐射通量至少有29mW。
输出氮化物发光二极管

[发明专利]包括包含透明硅氧烷和磷光体的可图案化的膜的半导体发光器件及其制造方法-CN200580032035.2有效
发明人： G·H·内格利 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：半导体发光器件包括具有发光表面的半导体发光元件和在发光表面的至少一部分上的包括透明硅氧烷和磷光体的可图案化的膜。该可图案化的膜可以是包括透明硅氧烷和磷光体的可光图案化的膜和/或可印刷的膜。该可图案化的膜在其中包括暴露发光表面的一部分的孔，并且在该孔中的发光表面上设置接合焊盘。可以在接合焊盘上设置线接合。还提供了制造半导体发光器件的相关方法。
包括包含透明硅氧烷磷光体图案半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]具有含铟盖层结构的Ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构-CN200580025327.3无效
发明人： M·J·伯格曼;D·T·埃默森 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了Ⅲ族氮化物基发光器件和Ⅲ族氮化物基发光器件制作方法。该发光器件包括：n型Ⅲ族氮化物层、该n型Ⅲ族氮化物层上并包括至少一个量子阱结构的Ⅲ族氮化物基有源区、该有源区上包含铟的Ⅲ族氮化物层、该包含铟的Ⅲ族氮化物层上包含铝的p型Ⅲ族氮化物层、该n型Ⅲ族氮化物层上的第一接触、以及该p型Ⅲ族氮化物层上的第二接触。该包含铟的Ⅲ族氮化物层还包括铝。
具有盖层结构氮化物量子发光器件

[发明专利]用于P型氮化物发光装置的超薄欧姆接触及其形成方法-CN200580025279.8有效
发明人： M·拉费托;J·巴拉坦;K·哈贝雷恩;M·伯格曼;D·埃默森;J·伊贝特森;T·李 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体基发光装置(LED)，可包含p型氮化物层和该p型氮化物层上的金属欧姆接触。该金属欧姆接触平均厚度约小于25，比接触电阻率约小于10^－3ohm·cm²。
用于氮化物发光装置超薄欧姆接触及其形成方法

[发明专利]制作具有再生长欧姆接触区的氮化物基晶体管的方法以及具有再生长欧姆接触区的氮化物基晶体管-CN200580024502.7有效
发明人： A·W·萨克斯勒;R·P·史密斯 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-02-09 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：晶体管制作包括在衬底上形成氮化物基沟道层、在该氮化物基沟道层上形成阻挡层、在该阻挡层中形成接触凹进以暴露该氮化物基沟道层的接触区、例如利用低温沉积工艺在该氮化物基沟道层的该暴露的接触区上形成接触层、在该接触层上形成欧姆接触并且形成设置在阻挡层上与该欧姆接触相邻的栅接触。也提供了高电子迁移率晶体管(HEMT)和制作HEMT的方法。该HEMT包括在衬底上的氮化物基沟道层、在该氮化物基沟道层上的阻挡层、在该阻挡层中延伸到该沟道层中的接触凹进、在该接触凹进中该氮化物基沟道层上的n型氮化物基半导体材料接触区、在该氮化物基接触区上的欧姆接触和设置在阻挡层上与该欧姆接触相邻的栅接触。该n型氮化物基半导体材料接触区和该氮化物基沟道层包括表面面积扩大结构。
制作具有再生欧姆接触氮化物晶体管方法以及

[发明专利]具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法-CN200610064203.2无效
发明人： A·K·阿加瓦尔;S·克里什纳斯瓦米;S·－H·刘;D·C·卡佩尔 -专利权人： 克里公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：双极结型晶体管(BJT)包括：第一导电型的碳化硅(SiC)集电极层，在碳化硅集电极层上第二导电型的外延碳化硅基极层外延碳化硅基极层上的第一导电型的外延碳化硅发射极台。在碳化硅发射极台外部在外延碳化硅基极层的至少一部分上提供第一导电型的外延碳化硅钝化层。外延碳化硅钝化层可以设置以在零器件偏压时完全耗尽。还公开了相关的制造方法。
具有碳化硅钝化双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]制造具有盖层和凹进栅极的氮化物基晶体管的方法-CN200580024615.7有效
发明人： S·谢泼德;R·P·史密斯 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：在形成栅极接触例如肖特基接触之前对栅极凹进退火可以减小半导体器件例如晶体管中的栅极泄漏和/或提供高质量的栅极接触。在退火期间使用封装层可以进一步减小对于晶体管的栅极凹进中的半导体的损伤。例如可以通过退火器件的欧姆接触来提供该退火。因此，可以提供具有降低的栅极区的退化的高质量的栅极和欧姆接触，其可能是由于提供凹进的栅极结构因形成凹进过程中的刻蚀损伤导致的。
制造具有盖层凹进栅极氮化物晶体管方法

[发明专利]碳化硅器件及其制造方法-CN200580020597.5有效
发明人： M·K·达斯;S·－H·瑞 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了MOS沟道器件以及制造具有混合沟道的这种器件的方法。示范性器件包括垂直功率MOSFET，其包括碳化硅的混合阱区，即包括外延形成区和注入区的碳化硅器件的阱区，并提供了这种器件的制造方法。混合阱区可包括在p型碳化硅外延层中的注入p型碳化硅阱部分、接触注入p型碳化硅阱部分并延伸到p型外延层和/或外延p型碳化硅部分的表面的注入p型碳化硅接触部分，至少一部分外延p型碳化硅阱部分对应于MOSFET的p型沟道区。
碳化硅器件及其制造方法

[发明专利]具有电流阻挡结构的发光器件及制造具有电流阻挡结构的发光器件的方法-CN200580022082.9无效
发明人： K·哈贝雷恩;M·J·伯格曼;V·米茨科夫斯基;D·T·埃默森 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种具有位于导线接合焊盘下的电流阻挡结构的发光器件及制造该发光器件的方法。所述电流阻挡结构可以是位于所述器件有源区域内的减小的导电区域。所述电流阻挡结构可以是其上形成了接触的层的损坏区域。所述电流阻挡结构可以是位于器件的有源区域和欧姆接触之间的肖特基接触。也可在所述欧姆接触和有源区域之间提供半导体结，诸如PN结。
具有电流阻挡结构发光器件制造方法

[发明专利]100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片-CN200580021074.2有效
发明人： J·R·杰尼 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：公开了单一多型体的单晶碳化硅晶片，其直径大于75毫米，并小于125毫米，电阻率大于10000ohm－cm，微管密度小于200cm^－2，并且浅能级掺杂剂的总浓度小于5E16cm^－3。
100 毫米高纯绝缘碳化硅晶片

[发明专利]生长非常均匀的碳化硅外延层-CN200610132089.2有效
发明人： O·C·E·科迪纳;K·G·伊尔温;M·J·派斯雷 -专利权人： 克里公司
申请日： 1998-12-14 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：公开一种改良的化学气相沉积方法，该方法能增强碳化硅外延层的均匀性并且对得到较厚外延层特别有用。该方法包括将反应器加热到碳化硅原料气体在反应器内基体上形成外延层的温度；和让原料气体和载气流过加热的反应器在基体上形成碳化硅外延层，同时载气包括氢气和第二种气体的混和气体，其中第二种气体的热导要低于氢气热导，使得原料气体在通过反应器时它的消耗比使用单一氢气作载气时的更低。
生长非常均匀碳化硅外延

[发明专利]发光器件基片的蚀刻-CN200580009426.2无效
发明人： G·H·内格利 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-01-24 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光器件的制造包括蚀刻发光器件的基片。所述蚀刻可以是足以增大通过基片提取的光量的含水蚀刻。所述蚀刻可以是对碳化硅基片的直接含水蚀刻。所述蚀刻可以从基片除去由对基片的其它处理引起的损伤，诸如由锯割基片引起的损伤。所述蚀刻可以除去基片中碳化硅的无定形区域。
发光器件蚀刻

[发明专利]包括发光变换元件的半导体发光器件和用于封装该器件的方法-CN200580010332.7无效
发明人：梁星海;T·G·科勒曼;M·贝塞拉 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：封装半导体发光器件的方法包括，将第一数量的密封剂材料配制到包括发光器件的腔中。处理腔中的第一数量的密封剂材料，以形成其具有选定形状的硬化的上表面。在处理过的第一数量的密封剂材料的上表面上，提供发光变换元件。该发光变换元件包括波长变换材料，并且其在腔的中间区域处的厚度大于在紧邻腔的侧壁的区域处的厚度。
包括发光变换元件半导体器件用于封装方法

[发明专利]包括在其中具有光学元件的柔性膜的半导体发光器件及其装配方法-CN200580010101.6有效
发明人： G·H·内格利 -专利权人： 克里公司
申请日： 2005-01-19 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：半导体发光器件包括具有面的基板、在该面上在其中包括光学元件的柔性膜、以及半导体发光元件，该半导体发光元件在基板和柔性膜之间并且被配置用以通过光学元件发射光。该面可以在其中包括腔，并且半导体发光元件可以在腔中。柔性膜在该面上延伸超出腔，且光学元件叠置在腔上面。
包括其中具有光学元件柔性半导体发光器件及其装配方法

[发明专利]发光二极管的成组封装-CN02827589.6无效
发明人： P·S·安德鲁斯;D·B·小斯拉特尔 -专利权人： 克里公司
申请日： 2002-10-18 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提供了通过在半导体衬底上划线构成发光二极管的方法，从而在多个发光二极管每一个之间提供划线，其中衬底具有在其上面形成的发光区域。于是，半导体衬底沿选定的划线切开，从而提供多个发光二极管的成组子集。成组子集包括至少两个发光二极管。向多个发光二极管成组子集中的发光二极管提供电连接。这些划线还可以定义单个发光二极管。
发光二极管成组封装