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[发明专利]一种结核痰检防传染取样装置-CN202310846192.7在审
发明人：赵兴春;蔡培源;余念念 -专利权人：湄潭县人民医院
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： A61B10/00 文献下载
摘要：本发明涉及肺结核检查设备技术领域，且公开了一种结核痰检防传染取样装置，该装置通过取样组组件使密封筒内形成负压区，从而将患者肺结核病原的痰瘀自动吸入密封筒内，进而对患者的痰瘀进行取样，通过负压使痰瘀自动吸入密封筒内，起到很好的防传染作用，若痰瘀在移动一次活塞没有进入密封筒内时，打开阀门，使活塞向密封筒的内壁左侧移动，活塞移动挤压的气体经导气管排出，从而不会导致吸入取样管内的痰瘀反向移动推出，当活塞移动至密封筒的内壁左侧时，关闭阀门，使密封筒位于活塞左侧的空腔内形成负压，从而对取样管内痰瘀进行吸取，以此循环，可反复移动活塞，直至痰瘀进入密封筒内，便于对体积较大的痰瘀进行取样，保证取样的效率。
一种结核痰检防传染取样装置

[发明专利]一种AlN/HfO2-CN202310630017.4在审
发明人： 余念念;叶锋宇;汪礼胜;王嘉赋 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlN/HfO2界面结构设计方法及装置，包括：建立AlN/HfO2的第一界面模型；对第一界面模型的界面结构进行优化，得到预设个数的第二界面模型；其中，每个第二界面模型对应的界面结构中的氧含量不同；对每个第二界面模型对应的界面结构进行优化，得到每个第二界面模型对应的能量值；计算得到每个第二界面模型对应的电子俘获能和空穴俘获能；根据电子俘获能和空穴俘获能，确定具有高电子俘获能的第三界面模型对应的界面结构。本发明通过计算氧含量不同的第二界面模型的电子俘获能和空穴俘获能，确定具有高电子俘获能的第三界面模型对应的界面结构，解决了无法快速筛选出具有高电子俘获能力的界面结构，导致实验数据难以分析，浪费大量时间的问题。
一种 aln hfo base sub

[发明专利]一种Sn-Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法-CN202110267081.1有效
发明人：王嘉赋;袁宇辉;余念念;孙志刚 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种Sn‑Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法。该Sn‑Se系列超晶格相变存储材料由单层SnSe薄膜和单层SnSe2薄膜交替堆叠成超晶格薄膜结构；单层SnSe薄膜的厚度为1～12nm，单层SnSe2薄膜的厚度为1～12nm，Sn‑Se系列超晶格相变存储材料的总厚度为40～50nm。本发明的相变存储材料在保证其他相变特性不受影响的同时具有更高的晶态电阻率、更低的热导率以及更低的晶化温度，从而能够显著降低其作为相变存储材料的功耗。
一种 sn se 系列晶格相变存储材料及其制备方法

[发明专利]一种Ti掺杂Sn2-CN201910005762.3有效
发明人：王嘉赋;朱德彬;余念念;孙志刚 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种Ti掺杂Sn2Se3相变材料的制备方法，其先采用磁控溅射法制得纯相Sn2Se3薄膜，再将高纯Ti片贴于纯相Sn2Se3薄膜上，采用磁控共溅射法制得Ti掺杂Sn2Se3相变材料。本发明的Ti掺杂Sn2Se3相变材料的制备方法通过在纯相Sn2Se3薄膜的基础上掺入一定比例的Ti杂质，从而改善了纯相Sn2Se3的相变特性，相对于纯相Sn2Se3，本发明所制Ti掺杂Sn2Se3相变材料的相变温度提高了100℃左右，晶态电阻比保持在4‑5个数量级，晶态电阻得到提高，在亚稳态下变的更为稳定。
一种 ti 掺杂 sn base sub

[发明专利]一种提升In2-CN202010583338.X在审
发明人：王嘉赋;李平安;余念念;孙志刚 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了提升In2Se3相变材料多值存储特性的方法，构建出In2Se3的α相和β相的晶体模型；将α相中的四面体位In原子、八面体位In原子分别按比例替换为Sc，形成α相的四面体位的掺杂体系模型以及八面体位的掺杂体系模型；将β相中的八面体位In原子按比例替换为Sc，形成β相的八面体位的掺杂体系模型；建立单质In和单质Sc的模型；对模型进行优化；计算α相和β相的掺杂形成能；计算优化模型的总能量、态密度、能带结构和弹性常数；计算出电导率和电子热导率；计算出晶格热导率与温度之间的关系；比对掺杂前后的热导率、电导率，得出性能更优的相变材料。将满足一定条件的金属元素掺入其中，可以实现提升其存储性能。
一种提升 in base sub

[发明专利]一种金属掺杂的Ge-Sb-Te基多值存储相变材料及相变存储器-CN201480037056.2有效
发明人：缪向水;余念念;童浩;徐荣刚;赵俊峰;张树杰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属掺杂的Ge‑Sb‑Te基多值存储相变材料，通式为：M_x(Ge_aSb_bTe_c)_1‑x,其中M为掺杂金属元素，所述M为Cu、Ag和Zn中的至少一种，x代表M的原子个数百分比，0aSb_bTe_c中。该相变材料在外加脉冲电压或脉冲电流下，可实现非晶高阻态，非晶低阻态，晶态低阻态的三态存储，各个状态之间区分明显且中间阻态可控性强，且获取中间阻态所需的电场较小，能耗较低，获得的中间阻态具有良好的稳定性，可重复性好。本发明实施例还提供了包含该金属掺杂的Ge‑Sb‑Te基多值存储相变材料的相变存储器。
一种金属掺杂 ge sb te 基多存储相变材料存储器

[发明专利]相变存储器-CN201480003525.9有效
发明人：缪向水;余念念;童浩;徐荣刚;赵俊峰;张树杰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器，包括存储节点，存储节点包括下电极(1)，用于连接衬底；第一相变层(2)，位于下电极之上；第二相变层(3)，层叠于第一相变层上；上电极(4)，位于第二相变层上；存储节点根据第一相变层和第二相变层不同的阻值来存储不同的数据。由于在第二相变层和第一相变层之间不设置隔离层，不仅降低制作存储节点的工艺复杂度，也降低了存储节点的生产成本。
相变存储器