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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电力管理-CN201910163267.5有效
发明人： 何昌万;田航;康钟 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本申请涉及电力管理。本发明涉及提供峰值电力管理的方法及经配置以执行此类方法的设备，所述方法及设备在减轻多裸片封装内的过量电流电平方面为有用的。举例来说，一种方法可包含：在多个裸片中的特定裸片中产生时钟信号；在所述多个裸片中的每一裸片中的循环式计数器中计数所述时钟信号的脉冲；及在指定点处暂停针对所述多个裸片中的所述特定裸片的存取操作直到所述循环式计数器的值匹配所述特定裸片的经指派计数器值为止。
电力管理

[发明专利]使用至少两个掩模的阶梯形成-CN201910738377.X在审
发明人： 何昌万;格雷厄姆·R·沃斯滕霍姆;迪帕克·蒂梅高达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及使用至少两个掩模的阶梯形成。一种实例性方法可包含：在导电材料上方形成第一掩模以界定第一经暴露区域；及在所述第一经暴露区域的一部分上方形成第二掩模以界定第二经暴露区域，所述第二经暴露区域小于所述第一经暴露区域。从所述第二经暴露区域移除导电材料。所述第二掩模的初始第一尺寸小于所述第一经暴露区域的第一尺寸，且所述第二掩模的初始第二尺寸为至少所述第一经暴露区域的第二尺寸加上等于所述第二掩模的所述初始第一尺寸与在形成阶梯结构之后所述第二掩模的最终第一尺寸之间的差的距离。
暴露区域掩模导电材料界定阶梯结构移除

[发明专利]三维存储器中的子块停用-CN201480010813.7有效
发明人： 何昌万 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：一些实施例涉及与存储器单元的块相关联的设备及方法。存储器单元的所述块可包含存储器单元的两个或两个以上子块。此一子块可包括存储器单元的垂直串，其包含选择晶体管。一种设备可包含子块停用电路。所述子块停用电路可包含内容可寻址存储器。所述内容可寻址存储器可接收包含块地址及子块地址的地址。如果所述所接收的地址包含与标记子块相关联的所述块地址及所述子块地址，那么所述内容可寻址存储器可输出信号以停用所述标记子块。所述子块停用电路可进一步包含多个驱动器以基于所述信号而驱动所述选择晶体管中的一或多者。本发明还描述其它设备及方法。
三维存储器中的停用

[发明专利]电力管理-CN201480011288.0有效
发明人： 何昌万;田航;康钟 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及提供峰值电力管理的方法及经配置以执行此类方法的设备，所述方法及设备在减轻多裸片封装内的过量电流电平方面为有用的。举例来说，一种方法可包含：在多个裸片中的特定裸片中产生时钟信号；在所述多个裸片中的每一裸片中的循环式计数器中计数所述时钟信号的脉冲；及在指定点处暂停针对所述多个裸片中的所述特定裸片的存取操作直到所述循环式计数器的值匹配所述特定裸片的经指派计数器值为止。
电力管理

[发明专利]3D存储器中的子块解码-CN201480010165.5有效
发明人： 何昌万 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一些实施例涉及与存储器单元的块相关联的设备及方法。存储器单元的所述块可包含存储器单元的两个或两个以上子块。子块可包括垂直存储器单元串，所述垂直串包含源极选择晶体管及漏极选择晶体管。一种设备可包含两个或两个以上漏极选择线，其中第一漏极选择线耦合到第一块的第一子块中的漏极选择晶体管及第二块的第一子块中的漏极选择晶体管。所述设备中的第二漏极选择线可耦合到所述第一块的第二子块中的漏极选择晶体管及所述第二块的第二子块中的漏极选择晶体管。描述其它设备及方法。
存储器中的解码

[发明专利]使用至少两个掩模的阶梯形成-CN201380041275.3在审
发明人： 何昌万;格雷厄姆·R·沃斯滕霍姆;迪帕克·蒂梅高达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供用于例如在存储器装置中使用至少两个掩模的阶梯形成的设备及方法。一种实例性方法可包含：在导电材料上方形成第一掩模以界定第一经暴露区域；及在所述第一经暴露区域的一部分上方形成第二掩模以界定第二经暴露区域，所述第二经暴露区域小于所述第一经暴露区域。从所述第二经暴露区域移除导电材料。所述第二掩模的初始第一尺寸小于所述第一经暴露区域的第一尺寸，且所述第二掩模的初始第二尺寸为至少所述第一经暴露区域的第二尺寸加上等于所述第二掩模的所述初始第一尺寸与在形成阶梯结构之后所述第二掩模的最终第一尺寸之间的差的距离。
使用至少两个阶梯形成

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