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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列-CN201810153706.X有效
发明人：丹沢彻;村越有;迪帕克·蒂梅高达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本申请涉及具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列。一些实施例包含设备及方法，其具有：衬底；存储器单元串，其包含主体；选择栅极，其位于所述设备的一层级中且沿所述主体的一部分而定位；及控制栅极，其位于所述设备的其它层级中且沿所述主体的其它相应部分而定位。此类设备中的至少一者包含将所述选择栅极或所述控制栅极中的一者耦合到所述衬底中的组件(例如晶体管)的导电连接件。所述连接件可包含通过所述控制栅极中的至少一者的一部分的一部分。
具有通过控制栅极连接存储器阵列

[发明专利]使用至少两个掩模的阶梯形成-CN201910738377.X在审
发明人：何昌万;格雷厄姆·R·沃斯滕霍姆;迪帕克·蒂梅高达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及使用至少两个掩模的阶梯形成。一种实例性方法可包含：在导电材料上方形成第一掩模以界定第一经暴露区域；及在所述第一经暴露区域的一部分上方形成第二掩模以界定第二经暴露区域，所述第二经暴露区域小于所述第一经暴露区域。从所述第二经暴露区域移除导电材料。所述第二掩模的初始第一尺寸小于所述第一经暴露区域的第一尺寸，且所述第二掩模的初始第二尺寸为至少所述第一经暴露区域的第二尺寸加上等于所述第二掩模的所述初始第一尺寸与在形成阶梯结构之后所述第二掩模的最终第一尺寸之间的差的距离。
暴露区域掩模导电材料界定阶梯结构移除

[发明专利]具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列-CN201380049490.8有效
发明人：丹沢彻;村越有;迪帕克·蒂梅高达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一些实施例包含设备及方法，其具有衬底；存储器单元串，其包含主体；选择栅极，其位于所述设备的一层级中且沿所述主体的一部分而定位；及控制栅极，其位于所述设备的其它层级中且沿所述主体的其它相应部分而定位。此类设备中的至少一者包含将所述选择栅极或所述控制栅极中的一者耦合到所述衬底中的组件(例如晶体管)的导电连接件。所述连接件可包含通过所述控制栅极中的至少一者的一部分的一部分。
具有通过控制栅极连接存储器阵列

[发明专利]三维存储器阵列-CN201480006164.3有效
发明人： 迪帕克·蒂梅高达;布莱恩·克里尔曼;哈立德·哈斯纳特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器阵列，其包括多个立面延伸存储器单元串。选择装置阵列立面位于个别所述串上方且与个别所述串个别耦合。所述选择装置个别包括沟道、接近所述沟道的栅极电介质及接近所述栅极电介质的栅极材料。所述个别沟道彼此间隔。所述栅极材料包括沿立面位于所述串上方的所述间隔沟道的列延伸的多个栅极线。电介质材料横向位于所述紧邻栅极线之间。所述电介质材料及所述栅极线在相对于彼此的界面处具有纵向非线性边缘。本发明还揭示额外实施例。
三维存储器阵列

[发明专利]使用至少两个掩模的阶梯形成-CN201380041275.3在审
发明人：何昌万;格雷厄姆·R·沃斯滕霍姆;迪帕克·蒂梅高达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供用于例如在存储器装置中使用至少两个掩模的阶梯形成的设备及方法。一种实例性方法可包含：在导电材料上方形成第一掩模以界定第一经暴露区域；及在所述第一经暴露区域的一部分上方形成第二掩模以界定第二经暴露区域，所述第二经暴露区域小于所述第一经暴露区域。从所述第二经暴露区域移除导电材料。所述第二掩模的初始第一尺寸小于所述第一经暴露区域的第一尺寸，且所述第二掩模的初始第二尺寸为至少所述第一经暴露区域的第二尺寸加上等于所述第二掩模的所述初始第一尺寸与在形成阶梯结构之后所述第二掩模的最终第一尺寸之间的差的距离。
使用至少两个阶梯形成

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