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[发明专利]分离栅MOSFET芯片的制造方法-CN202311131748.0在审
发明人：何昌;杨勇;朱勇华;张光亚 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了分离栅MOSFET芯片的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片的上表面生长由第一氧化硅、氮化硅、第二氧化硅构成的硬掩模层；以所述硬掩模层为掩蔽层，采用光刻、刻蚀工艺在半导体基片之中形成沟槽，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽位于分离栅MOSFET芯片的有源区，所述第二沟槽位于分离栅MOSFET芯片的场区；采用高温热氧化工艺，在所述第一沟槽和所述第二沟槽之中生长第三氧化硅。本发明具备输入电容小、工艺成本低等优点。
分离 mosfet 芯片制造方法

[发明专利]沟槽MOSFET的接触孔光刻对准精度监测结构及方法-CN202310814846.8在审
发明人：张光亚;何昌;朱勇华;杨勇 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了沟槽MOSFET的接触孔光刻对准精度监测结构，包括由环形沟槽和长条形接触孔分割形成的两个条形电阻测试结构，所述两个条形电阻的长度相等，宽度分别为W1和W2，且W2大于W1，所述两个条形电阻的长度由源区光刻层的版图决定，源区的左右边界为环形沟槽的中轴线位置，所述两个条形电阻的宽度由沟槽光刻层版图和接触孔光刻层版图决定，所述两个条形电阻的宽度为所述长条形接触孔至左、右沟槽的距离，所述环形沟槽位于体区之中。本发明还公开了沟槽MOSFET的接触孔光刻对准精度监测方法，本发明具备实现可以更灵敏、更准确的监测沟槽MOSFET的接触孔光刻的对准精度情况等优点。
沟槽 mosfet 接触光刻对准精度监测结构方法

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN202310363712.9有效
发明人：王海强;何昌;蒋礼聪;袁秉荣;陈佳旅;张光亚 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-04-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了半导体芯片的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的半导体衬底和淡掺杂的外延层，所述硬掩模介质层包括第一氧化硅、第一氮化硅；采用光刻、刻蚀工艺，去除第一设定区域的硬掩模介质层；以硬掩模介质层为阻挡层，采用刻蚀工艺，在半导体基片之中形成第一沟槽；采用热氧化工艺，在第一沟槽之中生长第二氧化硅；去除第一氮化硅，生长第二氮化硅；采用光刻、刻蚀工艺，去除第二设定区域的第二氮化硅和第一氧化硅，所述第二设定区域为预设沟槽型半导体芯片元胞的区域。本发明具备消除了台阶高度差的问题，降低了工艺难度，可大幅提高芯片的集成度的优点。
半导体芯片制造方法

[发明专利]MOSFET芯片的制造方法-CN202310717816.5有效
发明人：王海强;何昌;张光亚;蒋礼聪;袁秉荣;陈佳旅 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了MOSFET芯片的制造方法，包括在半导体基片之中形成沟槽，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，在所述沟槽之中形成栅氧化层和多晶硅栅；所述第一沟槽位于MOSFET芯片的元胞区，所述第二沟槽位于MOSFET芯片的预设静电保护电路区域；采用离子注入、退火工艺，形成体区，所述体区包括第一体区和第二体区；所述第一体区位于MOSFET芯片的元胞区；所述第二体区位于MOSFET芯片的预设静电保护电路区域，被第二沟槽分割成两个独立的第二体区；采用光刻、离子注入、退火工艺，形成源区；本发明具备提高芯片集成度等优点。
mosfet 芯片制造方法

[发明专利]一种RC-IGBT器件及其制造方法-CN202310914937.9在审
发明人：蒋礼聪;何昌;王海强;袁秉荣;陈佳旅 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种RC‑IGBT器件及其制造方法，器件包括：漂移区，其具有第二导电类型；势垒层，其位于漂移区上方，具有第二导电类型；基区，其位于势垒层的上方，具有第一导电类型，与第一电极电连接；阳极区，与第一电极电连接；第一柱区，其位于势垒层上方，具有第二导电类型；势垒层通过第一柱区与第一电极电连接，第一柱区的掺杂浓度小于发射区且与第一电极形成肖特基接触；第一底区，其具有第一导电类型，位于漂移区与势垒层之间；第一沟槽栅穿通基区、势垒层并延伸到漂移区；第二沟槽栅穿通基区、势垒层并延伸到漂移区；发射区，其具有第二导电类型，形成在基区上且与第一沟槽栅接触，与第一电极电连接。本申请可以提高RC‑IGBT器件的性能。
一种 rc igbt 器件及其制造方法

[实用新型]一种IGBT器件-CN202320345320.5有效
发明人：蒋礼聪;何昌;王海强;袁秉荣;陈佳旅 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种IGBT器件，包括：漂移区，其具有第二导电类型，用于在IGBT器件处于正向耐压过程中作为耗尽层；第一导电类型区，形成在漂移区中，第一导电类型区的底面远离漂移区的顶部，且靠近漂移区的底部或与漂移区的底部平齐；沟槽栅，包括栅极以及包裹栅极的栅介质层，沟槽栅穿通基区并延伸到漂移区；栅介质层包括分别形成在栅极两侧的厚栅介质层以及薄栅介质层，厚栅介质层的厚度大于薄栅介质层的厚度；抽取通道，其具有第一导电类型，第一电极通过抽取通道与第一导电类型区电连接；用于在IGBT器件处于关断状态时，第一电极通过抽取通道抽取沟槽栅底部的少数载流子。本申请可以减少IGBT器件的横向尺寸，提高器件的电流能力，并保证可以在关态时抽取少子。
一种 igbt 器件

[发明专利]一种半导体芯片的制造方法-CN202310383244.1在审
发明人：王海强;何昌;蒋礼聪;袁秉荣;陈佳旅;张光亚 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-04-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的半导体衬底和淡掺杂的外延层，所述硬掩模介质层包括第一氧化硅、第一氮化硅；采用光刻、刻蚀工艺，去除第一设定区域的硬掩模介质层；以硬掩模介质层为阻挡层，采用刻蚀工艺，在半导体基片之中形成第一沟槽；采用热氧化工艺，在第一沟槽之中生长第二氧化硅；去除第一氮化硅，生长第二氮化硅；采用光刻、刻蚀工艺，去除第二设定区域的第二氮化硅和第一氧化硅；第二设定区域为预设沟槽型半导体芯片元胞的区域。本发明具有消除了台阶高度差等优点。
一种半导体芯片制造方法

[发明专利]一种全瓣化广热带睡莲的杂交育种方法-CN202310492162.0在审
发明人：郭玉华;何昌;朱天龙;尹俊梅;陆锦萍;林妃;李亚梅;康勇 -专利权人：中国热带农业科学院海口实验站
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A01H1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种全瓣化广热带睡莲的杂交育种方法，以九品香莲为母本，以蓝星睡莲为父本，进行杂交，得到杂交新品种。本发明选育出了全瓣化广热带睡莲新品种，其在花色、花径、重瓣性、叶径等方面均与父母本有显著的差异，具有较高的观赏价值，非常适合做切花，可填补我国在将填补我国在全瓣化睡莲新品种方面的空白，具有良好的经济价值，值得推广应用。
一种全瓣化广热带睡莲杂交育种方法

[发明专利]一种分离栅trench MOS器件结构及其制造方法-CN202310358043.6在审
发明人：袁秉荣;王海强;陈佳旅;何昌;蒋礼聪 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种分离栅trench MOS器件结构及其制造方法，其制造的过程中在基底上形成第一沟槽，然后从第一沟槽的底部进一步进行刻蚀，形成第二沟槽，所刻蚀的第二沟槽的底部为圆弧状，并且横向尺寸大于第一沟槽的横向尺寸，再在第二沟槽的底部和侧壁部形成第二厚度的场板层，使得第二厚度大于第一厚度，这样，由于鸟嘴效应，使得在场板层和缓冲层连接处形成鸟嘴连接部，鸟嘴连接部包括靠近第一沟槽的位置处的部分场板层以及靠近场板层的部分栅氧层，部分场板层和部分栅氧层在厚度方向上具有梯度，这个梯度有利于增强电荷耦合，提高器件的击穿电压，从而达到有效缩小元胞尺寸，降低器件的导通电阻，同时又能保证器件性能，以及稳定的高良率的目的。
一种分离 trench mos 器件结构及其制造方法

[发明专利]一种基于大数据的信创载体的全生命周期保密管理系统-CN202211054949.0有效
发明人：何昌 -专利权人：广东立升科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于大数据的信创载体的全生命周期保密管理系统，所述信创设备生产数据采集模块采集信创设备中各个时间点生产产品的合格率；所述信创设备维保数据分析模块获取信创设备每次维护保养相应的开始时间及结束时间，并对相同信创设备各个相邻维护保养次数区间内对应的生产数据进行分析。本发明使用3DES加密过程中，将各个模块中的数据作为明文，通过设置的第一个8字节秘钥对明文进行加密，得到第一加密数据，然后通过第二个8字节秘钥对第一加密数据进行解密，得到第二解密数据，最后通过第三个8字节秘钥对第二解密数据进行加密，得到明文对应的最终解密结果。
一种基于数据载体生命周期保密管理系统

[发明专利]一种IGBT器件及其制造方法-CN202211314367.1有效
发明人：蒋礼聪;何昌;王海强;袁秉荣;陈佳旅 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种IGBT器件及其制造方法，制造方法，包括：提供一衬底；在衬底的正面形成多个沿第一方向阵列的第一导电类型区；在衬底上形成沟槽栅，相邻的两个沟槽栅之间的区域形成第一区域；对衬底的正面进行掺杂，形成基区，在基区下方形成势垒层；其中，位于第一区域的基区以及势垒层形成沿第一方向的抽取通道；第一导电类型区与基区不接触；在基区上形成发射区，发射区位于沟槽栅远离第一区域的一侧并与栅介质层接触；在衬底的正面形成第一电极，在衬底的背面形成集电区，或者在衬底的背面形成缓冲层以及集电区；在集电区上形成第二电极。本申请能够降低超结IGBT器件的开关损耗以及抑制开关噪声。
一种 igbt 器件及其制造方法

[实用新型]一种基于光伏供电的公路隧道LED照明设备-CN202223021323.8有效
发明人：肖俊;赵恒斌;王鑫;冯守中;何昌;李宏欣 -专利权人：武汉广益交通科技股份有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： F21S9/03 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于光伏供电的公路隧道LED照明设备，涉及LED照明设备领域，包括光伏发电板和灯壳，光伏发电板的底部电性连接有输电线，输电线的底端电性连接有换电设备，换电设备的底部电性连接有传电线，传电线的底部电性连接有储电设备，储电设备的底部电性连接有输电线，储电设备内储存有一定的电量，可以保证在维修灯芯之前为备用灯具正常供电，当修好灯芯后，也是相同原理本基于光伏供电的公路隧道LED照明设备可以在有阳光的时候节省不必要的电力消耗，同时在灯芯被烧坏后，还可以通过备用灯具来对隧道进行照明，从而避免隧道内因为没有光照而发生事故。
一种基于供电公路隧道 led 照明设备

[发明专利]一种螺栓拧紧转矩检测系统及检测方法-CN202211285534.4有效
发明人：刘乐平;蒋志勇;唐晓红;何昌;王敬 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： G01L5/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺栓拧紧转矩检测系统及检测方法，系统包括带有液压机构的螺栓拧紧试验台架，设置有旋转编码器，旋转编码器的动端与待检测的螺栓一起转动，旋转编码器静端安装有编码器芯片和编码器插头；微处理器，用于对编码器芯片反馈的转速信号和转动角度进行处理；本发明基于螺栓拧紧转矩检测系统及检测方法的电子信息检测系统，利用压力传感器采集液压油液压力信号，并通过半桥电路对压力信号进行调理、放大并通过数据采集卡对压力信号进行A/D转换和采集，送入微处理器，同时对旋转编码器输出信号进行调理和采集，微处理器将监测到转角信号和压力信号传输到显示屏进行显示，通过检测油液压力来检测转矩，检测方法简单可靠，可视化强。
一种螺栓拧紧转矩检测系统方法

[发明专利]一种沟槽栅MOSFET器件及其制造方法-CN202211314353.X有效
发明人：袁秉荣;陈佳旅;王海强;何昌;蒋礼聪 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种沟槽栅MOSFET器件及其制造方法，其中，制造方法包括：在衬底上形成体区；进行第一次光刻，对衬底的正面进行图案化处理，在衬底上同步形成第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽；在第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽上沉积第一导电类型的多晶硅层；回刻多晶硅层；进行第二次光刻，对衬底进行选择性掺杂，在体区上形成源区，同时形成截止环掺杂区；进行第三次光刻，对衬底的正面进行图案化处理，至少形成对应源区的源极接触孔，源极接触孔贯通源区以及部分体区；在源极接触孔上形成源极电极，在衬底的正面形成第一电极；第一电极与源极电极电连接；形成第二电极或漏区以及第二电极。本申请能够提供有效的截止环，保证器件的耐压以及可靠性。
一种沟槽 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种推进电机推力、转速和转矩检测系统及方法-CN202211299292.4有效
发明人：刘乐平;唐晓红;邹亚平;何昌;陈炫 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明涉及电机检测技术领域，具体公开了一种推进电机推力、转速和转矩检测系统及检测方法。检测方法是基于气浮直线轴承设计检测机构，布置力和转矩检测传感器，实现力和转矩同步检测；转矩的检测基于作用与反作用转矩平衡原理，采用双对称转矩臂拉压差动测量方式。基于推进电机推力、转速和转矩检测方法的检测系统，利用上位机发送速度指令，微处理器输出下达PWM指令至电子调速器，控制旋叶推进机的电机按调速要求旋转，采集电机的输出力及转矩、转速、电压电流等参数并最终上载至上位机进行数据处理、实时显示、存储数据于本地和云端。本发明同步检测参数多、成本低、检测精度和检测效率高。
一种推进电机推力转速转矩检测系统方法

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