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[实用新型]用于捕获波浪能的压电与电磁复合式发电装置-CN202120467694.5有效
发明人：陈祥彬;刘毅;鲁锦涛;郑伊伟;何嘉政;卢方;李凯 -专利权人：浙大宁波理工学院
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： F03B13/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于捕获波浪能的压电与电磁复合式发电装置，包括浮子、摆杆、发电箱和支座，所述摆杆由所述发电箱延伸出且其伸出的一端与所述浮子铰接，所述发电箱由所述支座支撑。发电箱包括箱体，半箱体的底部内壁上沿圆周方向设有至少两个线圈发电组件。中心轴上套设有转盘和沿转盘对称设置的两个振片盘，振片盘沿圆周方向设有至少两个压电发电组件。转盘沿周向设有至少两个贯穿所述转盘的磁铁。外部环境通过摇杆将低频振动传递至发电箱，发电箱使用振片盘上的多个压电发电组件与转盘的多组磁铁以及箱体上的多个线圈发电组件相配合，实现压电发电组件的高频振动发电和线圈发电组件的电磁感应发电，以提高发电效率。
用于捕获波浪压电电磁复合发电装置

[实用新型]一种压电发电装置-CN202120054325.3有效
发明人：王俊贤;刘毅;卢方;陈祥彬;张嘉濠;何嘉政 -专利权人：浙大宁波理工学院
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压电发电装置，包括外圈、内圈和压电发电组。所述外圈的侧壁内表面上沿周向均匀设有至少两组磁铁，所述内柱的表面上沿周向均匀设有至少两组磁铁；所述外圈的侧壁上沿周向设有通透的摇杆活动槽；所述内圈上设有摇杆，所述摇杆由所述内圈经所述摇杆活动槽延伸出所述外圈；所述内圈沿周向设有至少两组压电发电组，所述压电发电组包括压电组件，所述压电组件固定连接于所述内圈，所述压电组件的一端朝向所述外圈的侧壁内表面，另一端朝向所述内柱。外部环境通过摇杆将低频振动传递至压电发电装置，压电发电装置使用内圈上的多组压电组件与外圈的多组磁铁的配合，实现压电组件的高频振动发电，以提高发电效率。
一种压电发电装置

[实用新型]用于捕获波浪能的压电发电系统-CN202120056456.5有效
发明人：卢方;刘毅;陈祥彬;张嘉濠;何嘉政 -专利权人：浙大宁波理工学院
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于捕获波浪能的压电发电系统，包括压电发电装置、浮子、立柱和底座，所述压电发电装置包括外圈、内圈和压电发电组，所述浮子通过所述摇杆连接于所述内圈，所述外圈通过所述立柱连接于所述底座。该系统的浮子通过摇杆将低频振动(源于波浪)传递至压电发电装置，压电发电装置使用内圈上的多组压电组件与外圈的多组磁铁的配合，实现压电组件的高频振动发电，以提高发电效率。
用于捕获波浪压电发电系统

[发明专利]集成芯片及形成其的方法-CN202010800249.6在审
发明人：陈高超;何嘉政;刘铭棋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种集成芯片包括上覆在隔离结构上的场板。栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。蚀刻停止层在侧向上从栅极电极的上表面延伸到衬底的前侧。蚀刻停止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在第一层间介电(ILD)层内，第一层间介电层上覆在衬底上。场板从第一ILD层的顶表面延伸到蚀刻停止层的上表面。隔离结构设置在衬底内且从衬底的前侧延伸到位于衬底的前侧下方的点。隔离结构在侧向上设置在栅极电极与漏极区之间。
集成芯片形成方法

[发明专利]用于捕获波浪能的阵列式压电发电设备-CN202110238819.1在审
发明人：刘毅;卢方;韩冬;陈祥彬;何嘉政;金恒 -专利权人：浙大宁波理工学院
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于捕获波浪能的阵列式压电发电设备，包括悬挂臂、支撑架和并列安装于支撑架上的至少两个压电发电装置。压电发电装置包括浮子、摆杆和发电箱，摆杆由发电箱延伸出且其伸出的一端与浮子铰接。发电箱包括箱体，沿所述箱体的中轴线设有支撑于半箱体内壁的中心轴，中心轴上套设有转盘和沿转盘对称设置的两个振片盘；振片盘沿圆周方向设有至少两个压电发电组件，转盘沿周向设有至少两个贯穿所述转盘的磁铁。外部环境通过摇杆将低频振动传递至发电箱，发电箱使用振片盘上的多个压电发电组件与转盘的多组磁铁相配合，实现压电发电组件的高频振动发电，以提高发电效率。
用于捕获波浪阵列压电发电设备

[发明专利]集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法-CN202010070584.5在审
发明人： 何嘉政;雷明达;钟于彰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法。在所述集成芯片中，栅极电极在源极区与漏极区之间上覆于衬底。漂移区横向布置在栅极电极与漏极区之间。多个层间介电(ILD)层上覆于衬底。多个层间介电层包含位于第二层间介电层之下的第一层间介电层。多个导电互连层设置在多个层间介电层内。场板从第一层间介电层的顶部表面延伸到通过第一层间介电层与漂移区竖直分离的点。场板在朝向漏极区的方向上与栅极电极横向偏移达非零距离。场板包含与多个导电互连层中的至少一者相同的材料。
集成芯片用于形成高压晶体管器件方法

[发明专利]用于捕获波浪能的压电与电磁复合式发电装置-CN202110238726.9在审
发明人：刘毅;卢方;韩冬;陈祥彬;何嘉政;金恒 -专利权人：浙大宁波理工学院
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： F03B13/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于捕获波浪能的压电与电磁复合式发电装置，包括浮子、摆杆、发电箱和支座，所述摆杆由所述发电箱延伸出且其伸出的一端与所述浮子铰接，所述发电箱由所述支座支撑。发电箱包括箱体，半箱体的底部内壁上沿圆周方向设有至少两个线圈发电组件。中心轴上套设有转盘和沿转盘对称设置的两个振片盘，振片盘沿圆周方向设有至少两个压电发电组件。转盘沿周向设有至少两个贯穿所述转盘的磁铁。外部环境通过摇杆将低频振动传递至发电箱，发电箱使用振片盘上的多个压电发电组件与转盘的多组磁铁以及箱体上的多个线圈发电组件相配合，实现压电发电组件的高频振动发电和线圈发电组件的电磁感应发电，以提高发电效率。
用于捕获波浪压电电磁复合发电装置

[发明专利]用于捕获波浪能的压电发电系统-CN202110028098.1在审
发明人：刘毅;卢方;陈祥彬;张嘉濠;何嘉政;金恒;韩冬 -专利权人：浙大宁波理工学院
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于捕获波浪能的压电发电系统，包括压电发电装置、浮子、立柱和底座，所述压电发电装置包括外圈、内圈和压电发电组，所述浮子通过所述摇杆连接于所述内圈，所述外圈通过所述立柱连接于所述底座。该系统的浮子通过摇杆将低频振动(源于波浪)传递至压电发电装置，压电发电装置使用内圈上的多组压电组件与外圈的多组磁铁的配合，实现压电组件的高频振动发电，以提高发电效率。
用于捕获波浪压电发电系统

[发明专利]形成铁电半导体元件的方法-CN202010359040.0在审
发明人： 何嘉政;林铭祥;蔡劲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本文描述一种形成铁电半导体元件的方法。该方法包括执行一扩散退火制程以驱动一掺杂剂的元素穿过一非晶硅层且驱动至一鳍片上的一栅极介电层中，以形成具有一掺杂剂浓度的梯度深度分布的一掺杂栅极介电层。该掺杂栅极介电层在封盖后退火制程期间结晶，以在该结晶栅极介电层内形成一铁电性质的梯度深度分布。一金属栅极电极经形成于该结晶栅极介电层上以获得该栅极电极与该通道之间的具有多铁电性质的一铁电晶体管。该铁电晶体管可使用在深度类神经网络(deep neural network；DNN)应用中。
形成半导体元件方法

[发明专利]形成半导体装置的方法-CN201711229436.8有效
发明人：蔡宗裔;陈燕铭;陈殿豪;蔡瀚霆;李宗霖;何嘉政;林铭祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本揭示内容公开了一种形成半导体装置的方法。方法包括提供具有基板和在基板之上的硬罩幕层的装置；形成心轴于硬罩幕层之上；沉积材料层于心轴的多个侧壁上；植入掺杂剂到材料层中；使用心轴和材料层作为蚀刻罩幕来执行蚀刻制程于硬罩幕层上，从而形成图案化硬罩幕层，其中蚀刻制程同时产生沉积于图案化硬罩幕层的多个侧壁上的介电层，介电层含有掺杂剂；以及通过使用图案化硬罩幕层和介电层共同作为蚀刻罩幕蚀刻基板来形成鳍片。
形成半导体装置方法

[发明专利]半导体装置-CN201911301955.X在审
发明人： 何嘉政;吕俊颉;张智胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：一种半导体装置包括半导体衬底、栅极结构、电容器结构及导电接触件。所述半导体衬底上具有至少一个半导体鳍。所述栅极结构跨越所述半导体鳍设置。所述电容器结构设置在所述栅极结构上。所述电容器结构包括铁电层以及设置在所述铁电层上的第一金属层。所述电容器结构夹置在所述导电接触件与所述栅极结构之间。
半导体装置

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN201911046940.3在审
发明人： 何嘉政;卢卉庭;王培伦;钟于彰;周君冠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一些实施例中，本揭露涉及一种集成芯片。集成芯片包含安置于衬底上方位于源极区与漏极区之间的栅极结构。第一层间介电(ILD)层安置于衬底及栅极结构上方，且第二层间介电层安置于第一层间介电层上方。场板蚀刻终止结构在第一层间介电层与第二层间介电层之间。场板从第二层间介电层的最上表面延伸到场板蚀刻终止结构。多个导电接触件从第二层间介电层的最上表面延伸到源极区和漏极区。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]半导体测试装置、其制造及使用其测量接触电阻的方法-CN201711293943.8有效
发明人：彭成毅;何嘉政;林铭祥;张智胜;卡洛斯·H·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种用于测量接触电阻的半导体测试装置包括：第一鳍结构，第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在外延层上；第一接触层，在第一点处设置在第一导电层上；第二接触层，在与第一点分开的第二点处设置在第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到第二接触层。半导体测试装置配置为通过在第一焊盘与第二焊盘之间施加电流来测量第一接触层与第一鳍结构之间的接触电阻。本发明还提供了半导体测试装置制造及使用半导体测试装置测量接触电阻的方法。
半导体测试装置制造使用测量接触电阻方法

[发明专利]集成芯片、高电压器件及形成高电压晶体管器件的方法-CN201910982784.5在审
发明人： 何嘉政;卢卉庭;王培伦;钟于彰;周君冠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种包括设置在漂移区之上的场板的集成芯片。第一栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。刻蚀终止层在侧向上从第一栅极电极的外侧壁延伸到漏极区。刻蚀终止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在上覆在衬底上的第一层间介电(ILD)层内。场板上覆在漂移区上。场板的顶表面与第一栅极电极的顶表面对准，且场板的底表面垂直地位于第一栅极电极的底表面上方。场板及第一栅极电极分别包含金属材料。
集成芯片电压器件形成晶体管方法

[发明专利]晶体管-CN201910851852.4在审
发明人：袁锋;何嘉政;王梓仲;李东颖;蔡劲;林铭祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：多个所述的实施例提供具有负电容的晶体管、及其制造方法。晶体管包含具有铁电层的栅极结构。铁电层是通过形成厚铁电膜、退火铁电膜以具有所需相态、以及薄化铁电膜至铁电层的所需厚度而形成。此制程确保在不管铁电层厚度的情况下，铁电层将具有铁电性质。
晶体管

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