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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁畴壁移动元件和磁记录阵列-CN202310857530.7在审
发明人：芦田拓也;佐佐木智生;柴田龙雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。
磁畴壁移动元件记录阵列

[发明专利]自旋轨道转矩型磁化反转元件和磁存储器-CN201880052140.X有效
发明人：须田庆太;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本实施方式涉及的自旋轨道转矩型磁化反转元件具有：铁磁性金属层，其磁化方向发生变化；自旋轨道转矩配线，其沿与上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，并与上述铁磁性金属层接合；和两个通孔配线，其从上述自旋轨道转矩配线的与上述铁磁性金属层相反侧的表面沿交叉的方向延伸，并与半导体电路连接，上述两个通孔配线的上述第一方向的通孔间距离比上述铁磁性金属层的上述第一方向的宽度短。
自旋轨道转矩磁化反转元件磁存储器

[发明专利]磁阻效应元件-CN202310270520.3在审
发明人：中田胜之;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备：层叠体，其具备第一铁磁性层、第二铁磁性层以及非磁性层；和绝缘层，其覆盖所述层叠体的侧面的至少一部分且包含绝缘体，所述第一铁磁性层具有第一非氮化区域和比所述第一非氮化区域靠近所述绝缘层且含有氮的第一氮化区域。
磁阻效应元件

[发明专利]铁磁性层叠膜、自旋流磁化旋转元件、磁阻效应元件和磁存储器-CN201980006754.9有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明的铁磁性层叠膜包括多个第一磁性层、至少一个第二磁性层和至少一个第一非磁性层，第一磁性层与第二磁性层或第一非磁性层交替层叠，构成第一磁性层的材料与构成第二磁性层的材料不同，上述第一磁性层、上述第一非磁性层和上述第二磁性层是在上述第一磁性层与上述第一非磁性层之间产生界面磁各向异性的材料组合，并且是在上述第一磁性层与上述第二磁性层之间产生界面磁各向异性的材料组合。
铁磁性层叠自旋磁化旋转元件磁阻效应磁存储器

[发明专利]数据的写入方法及磁存储器-CN201880000891.7有效
发明人： 佐佐木智生;盐川阳平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式提供一种数据的写入方法，其中，在具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和功能部的自旋轨道转矩型磁阻效应元件中，将所述自旋轨道转矩配线的沿所述第一方向施加的电压设为环境温度下的临界写入电压以上且规定值以下的电压，其中，所述功能部层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面，并从所述自旋轨道转矩配线侧起具备第一铁磁性层、非磁性层和第二铁磁性层。
数据写入方法磁存储器

[发明专利]自旋轨道转矩型磁化反转元件、磁存储器及高频磁性器件-CN202110338414.5有效
发明人： 佐佐木智生;盐川阳平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够容易地磁化反转的自旋轨道转矩型磁化反转元件。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具备：铁磁性金属层，其磁化方向变化；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸并与上述铁磁性金属层接合，在从上述第一方向观察时，以穿过上述铁磁性金属层的第二方向上的中心的轴为基准，上述自旋轨道转矩配线在上述第二方向为非对称，其中上述第二方向正交于上述第一方向及上述层叠方向。
自旋轨道转矩磁化反转元件磁存储器高频磁性器件

[发明专利]磁阻效应元件-CN202010098485.8有效
发明人： 佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明所提供的磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于上述第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层的隧道势垒层，上述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，并且A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素。
磁阻效应元件

[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器、内置型存储器及制作隧道磁阻效应元件的方法-CN201780095962.1有效
发明人： 佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种TMR元件，该TMR元件(1)具备磁隧道接合元件部(2)和设置于磁隧道接合元件部的侧面且含有绝缘材料的侧壁部(17)，磁隧道接合元件部具有：参照层(3)、磁化自由层(7)、在层叠方向上层叠于参照层和磁化自由层之间的隧道势垒层(5)、以及层叠于磁化自由层的与隧道势垒层侧相反侧的盖层(9)，侧壁部含有绝缘材料，具有覆盖磁隧道接合元件部的参照层、隧道势垒层、磁化自由层、及盖层中的至少一个侧面的第一区域(R1)，第一区域含有构成磁隧道接合元件部的参照层，隧道势垒层，磁化自由层，及盖层中的至少一个层的元素(除氧以外)中的至少一种作为含有元素。
隧道磁阻效应元件磁存储器内置存储器制作方法

[发明专利]磁壁利用型模拟存储元件、磁壁利用型模拟存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元件-CN201780052563.7有效
发明人： 佐佐木智生;柴田龙雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的磁壁利用型模拟存储元件具备磁化沿第一方向取向的磁化固定层(1)、设置于磁化固定层(1)的一面的非磁性层(2)、相对于磁化固定层(1)夹着非磁性层(2)设置的磁壁驱动层(3)、向磁壁驱动层(3)供给沿第一方向取向的磁化的第一磁化供给单元(4)及供给沿与第一方向相反的第二方向取向的磁化的第二磁化供给单元(5)，第一磁化供给单元(4)及第二磁化供给单元(5)中至少一方是与磁壁驱动层(3)相接且沿相对于磁壁驱动层(3)交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。
利用模拟存储元件存储器非易失性逻辑电路神经

[发明专利]积和运算器、神经形态器件以及积和运算器的使用方法-CN201980005310.3有效
发明人：柴田龙雄;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06G7/60 文献下载
摘要：本发明提供一种积和运算器(1)，其包括积运算部(10)以及和运算部(11)，所述积运算部(10)包括作为电阻变化元件的多个积运算元件(10AA、10AB)和至少一个参考元件(10AMAX、10AMIN)，所述和运算部(11)至少包括检测来自所述多个积运算元件的输出的合计值的输出检测器(11A)，所述多个积运算元件各自为磁阻效应元件，包括：具有磁壁的磁化自由层；磁化方向被固定的磁化固定层；和由所述磁化自由层与所述磁化固定层夹持的非磁性层，所述参考元件为包括不具有磁壁的磁化自由层的参考磁阻效应元件。
运算器神经形态器件以及使用方法

[发明专利]磁阻效应元件-CN202110187433.2有效
发明人： 佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种在高的偏压下产生比使用了现有的隧道势垒的TMR元件更高的MR比的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件，其特征在于，具备层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、以及第二铁磁性金属层，所述基底层由NbN、TaN或它们的混晶构成，所述隧道势垒层由具有阳离子排列不规则的尖晶石结构的、下述组成式(1)表示的化合物构成，(1)：AxB2Oy，式中，A表示2种以上的非磁性元素的二价阳离子，B表示铝离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。
磁阻效应元件

[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器-CN202310765444.3在审
发明人： 佐佐木智生;田中美知 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：TMR元件具备：设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层，基底层具有应力缓和部，磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层，层间绝缘层包含绝缘材料。
隧道磁阻效应元件磁存储器内置存储器

[发明专利]储备池元件和神经形态元件-CN201910858790.X有效
发明人： 佐佐木智生;柴田龙雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明的一个方式的储备池元件包括：包含非磁性的导电体的自旋传导层；相对于自旋传导层位于第1方向，且在从上述第1方向俯视时彼此隔着间隔地配置的多个铁磁性层；和与上述自旋传导层的上述铁磁性层电连接的多个连通配线。
储备元件神经形态

[发明专利]磁畴壁移动元件和磁记录阵列-CN202010103970.X有效
发明人：芦田拓也;佐佐木智生;柴田龙雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。
磁畴壁移动元件记录阵列

[发明专利]数据的写入方法、检查方法、自旋元件的制造方法及磁阻效应元件-CN201880000800.X有效
发明人： 佐佐木智生;盐川阳平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式提供一种数据的写入方法，在具备沿第一方向延伸的通电部、和层叠于所述通电部的一面且含有非磁性层和铁磁性层的元件部的自旋元件中，在将施加脉冲的脉冲宽度设为t时，沿所述通电部的所述第一方向负载由规定的关系式(1)表示的能量E以下的能量。E＝(A+BtC)‑1+D……(1)在所述关系式(1)中，A、B、C、D是根据所述非磁性层决定的常数。
数据写入方法检查自旋元件制造磁阻效应

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