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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器-CN201780015599.8有效
发明人：唐振尧;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种TMR元件，其具备：磁隧道接合部、覆盖磁隧道接合部的侧面的侧壁部、以及设置于侧壁部内的微粒子区域，侧壁部包含绝缘材料，微粒子区域包含上述绝缘材料和分散于该绝缘材料内的多个磁性金属微粒子，微粒子区域与磁隧道接合部并联地电连接。
隧道磁阻效应元件磁存储器内置存储器

[发明专利]磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器-CN201780009225.5有效
发明人： 佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明所涉及的磁壁利用型模拟存储元件(100)具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；磁化固定层(5)，经由非磁性层(6)被设置于第3区域；下部电极层(4)，在第3区域的设置有磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于从俯视图看与磁化固定层相重叠的位置。
利用模拟存储元件以及存储器

[发明专利]铁磁性多层膜、磁阻效应元件以及制造铁磁性多层膜的方法-CN202210925985.3在审
发明人： 佐佐木智生;田中美知 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01F10/30 文献下载
摘要：本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。
铁磁性多层磁阻效应元件以及制造方法

[发明专利]磁器件-CN202210181402.0在审
发明人：唐振尭;盐川阳平;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明的该磁器件具备层叠体和绝缘体，所述层叠体具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、和被所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层夹持的非磁性层，所述绝缘体覆盖所述层叠体的侧面的至少一部分，所述绝缘体在相较于所述层叠体的侧面的更靠外侧具有空间。
器件

[发明专利]铁磁性多层膜、磁阻效应元件以及制造铁磁性多层膜的方法-CN201880001991.1有效
发明人： 佐佐木智生;田中美知 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。
铁磁性多层磁阻效应元件以及制造方法

[发明专利]磁器件-CN202210108758.1在审
发明人：唐振尧;盐川阳平;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁器件。该磁器件具备：层叠体，其包括第1铁磁性层、第2铁磁性层和被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹持的非磁性层；第1绝缘层，其覆盖所述层叠体的侧面；和散热体，其以所述层叠体为基准位于所述第1绝缘层的外侧，所述层叠体的侧面与所述散热体的距离根据所述层叠体的层叠方向的位置而不同。
器件

[发明专利]自旋流磁化反转元件及自旋轨道转矩型磁阻效应元件-CN201810993796.3有效
发明人：大田实;佐佐木智生;高桥宏和 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种有效地使纯自旋流发生并且使反转电流密度降低为可能的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器以及高频磁元件。本发明所涉及的自旋流磁化反转元件具备在第一方向上延伸的自旋轨道转矩配线、在与第一方向相交叉的第二方向上层叠的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含Ar、Kr、Xe当中至少1种稀有气体元素。
自旋磁化反转元件轨道转矩磁阻效应

[发明专利]自旋流磁化反转元件和自旋轨道转矩型磁阻效应元件-CN201880008927.6有效
发明人： 佐佐木智生;盐川阳平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：该自旋流磁化反转元件(10)具备：自旋轨道转矩配线(2)，其沿第一方向(X)延伸；和第一铁磁性层(1)，其设置在与所述自旋轨道转矩配线的所述第一方向交叉的第二方向(Z)上，其中，所述自旋轨道转矩配线具有位于设置有所述第一铁磁性层一侧的第一表面(2a)和与所述第一表面相反的一侧的第二表面(2b)，所述自旋轨道转矩配线在所述第一表面具有：设置有所述第一铁磁性层的第一区域(2A)；和比所述第一区域更向所述第二表面侧凹陷的第二区域(2B)。
自旋磁化反转元件轨道转矩磁阻效应

[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁存储器-CN201810997206.4有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的所涉及的自旋流磁化反转元件(100)具备：第1铁磁性金属层(101)，其能够改变磁化的方向；自旋轨道转矩配线层(102)，其接合于第1铁磁性金属层(101)并且在相对于第1铁磁性金属层(101)的法线方向交叉的方向上延伸，自旋轨道转矩配线层(102)包含B、C、Si、P中的至少一种轻元素L、以及Ar、Kr、Xe中的至少一种稀有气体元素。
自旋磁化反转元件磁存储器

[发明专利]磁畴壁移动元件和磁阵列-CN202111515848.4在审
发明人：米村祥吾;佐佐木智生;柴田龙雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁畴壁移动元件和磁阵列。该磁畴壁移动元件包括：层叠体，其位于基板的上方，具有从靠近所述基板的一侧起依次层叠的铁磁性层、非磁性层和磁畴壁移动层；第1导电层；和第1表面层，所述非磁性层被夹在所述铁磁性层与所述磁畴壁移动层之间，所述第1导电层连接于所述磁畴壁移动层的上表面，所述第1表面层与所述磁畴壁移动层的上表面的至少一部分接触，所述第1表面层的电阻率比所述磁畴壁移动层的电阻率高。
磁畴壁移动元件阵列

[发明专利]磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法-CN202111499478.X在审
发明人： 佐佐木智生;盐川阳平;石谷优刚;滨中幸祐;小村英嗣 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供以较少的电流进行动作的磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法。该磁化旋转元件包括自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第1铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包括多个配线层，在与所述自旋轨道转矩配线的长度方向正交的截面中，各个配线层的截面积与电阻率之积，越是接近所述第1铁磁性层的所述配线层越大。
磁化旋转元件磁阻效应磁存储器自旋轨道转矩制造方法

[发明专利]自旋流磁化反转元件及其制造方法、磁阻效应元件、磁存储器-CN201780011944.0有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生;及川亨 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成，在与上述第一铁磁性金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之间，上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。
自旋磁化反转元件及其制造方法磁阻效应磁存储器

[发明专利]自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器-CN201880003798.1有效
发明人： 佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线从所述第一铁磁性层侧起具有第一配线和第二配线，所述第一配线及所述第二配线均为金属，所述第一配线与所述第二配线相比，至少在‑40℃～100℃的温度区域中的电阻率的温度依存性大。
自旋轨道转矩磁化旋转元件磁阻效应磁存储器

[发明专利]磁畴壁移动元件及磁阵列-CN202111146579.9在审
发明人：柴田龙雄;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供MR比大且磁畴壁的控制性也高的磁畴壁移动元件及磁阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件具备：磁阻效应元件，其从接近基板的一侧起依次具有参照层、非磁性层以及磁畴壁移动层；第一磁化固定层和第二磁化固定层，其分别与所述磁畴壁移动层相接，且相互分开，所述磁畴壁移动层包括包含多个插入层的铁磁性层，所述铁磁性层包含Co及Fe，且具有垂直磁各向异性，在写入时，在所述第一磁化固定层和所述第二磁化固定层之间沿着所述磁畴壁移动层流通写入电流。
磁畴壁移动元件阵列

[发明专利]磁阻效应元件、磁存储器、磁化反转方法及自旋流磁化反转元件-CN202210022833.2在审
发明人： 佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效应元件，在该磁阻效应元件中，具备：磁阻效应元件，其具有固定了磁化方向的第一铁磁性金属层、和磁化方向可变的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层和第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于该磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向延伸，并与上述第二铁磁性金属层接合，在上述磁阻效应元件和上述自旋轨道转矩配线接合的部分，流通于上述磁阻效应元件的电流和流通于上述自旋轨道转矩配线的电流合流或被分配。
磁阻效应元件磁存储器磁化反转方法自旋

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