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[发明专利]一种便携式止血带消毒装置-CN202210187458.7有效
发明人：王亚兰;张扬;任敏;朱丹;孙满云 -专利权人：中国人民解放军陆军军医大学第二附属医院
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： A61L2/18 文献下载
摘要：本发明涉及医用消毒装置技术领域。公开了一种便携式止血带消毒装置，包括载物块，载物块上设有若干用于放置止血带的圆形槽；载物块的底部设有底槽，且底槽与所有圆形槽相通，底槽内转动连接有用于封堵所有圆形槽的圆盘；还包括随圆盘转动而用于将圆形槽内的消毒液排出的排液机构和随圆盘转动而用于将圆形槽内的止血带排出的输出机构。本方案主要解决了目前对止血带的消毒方式会导致止血带与其他止血带相贴的部分不能被很好的消毒处理，进而造成止血带消毒不充分、不全面的问题；以及不能对止血带实现消毒烘干一体化的问题。
一种便携式止血带消毒装置

[发明专利]一种基于特征关键字的大数据企业识别方法-CN202211665789.3在审
发明人：张伟;毕桂;吴俊强;任敏 -专利权人：无锡工艺职业技术学院
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G06F40/289 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于特征关键字的大数据企业识别方法，用于提取本地区的大数据相关企业。首先，本申请设置了关键字类别，以及需要计算的维度，其次，提取了各维度中各关键字类别下的特征关键字，并计算特征关键字的综合权重值，最后，本申请基于企业大数据关联度得分计算公式，计算各个企业的得分，并根据得分来判断是否为大数据企业。通过对无锡地区的企业进行实验分析，本申请方法能够有效地发现本地区的大数据企业，并且具有较高的识别率，能够实际应用于实际的工作中。
一种基于特征关键字数据企业识别方法

[发明专利]漂移区电场优化的屏蔽栅MOSFET-CN202310459151.2在审
发明人：任敏;张淑萍;陶霖;李东野;周通;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种漂移区电场优化的屏蔽栅MOSFET，包括漏极金属，重掺杂第一导电类型半导体衬底，第一导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体阱区，重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区，重掺杂第一导电类型半导体源区，屏蔽栅多晶硅电极，栅多晶硅电极，屏蔽栅介质层，隔离介质层，栅极介质层，栅源间介质层，源极金属。本发明提出一种漂移区电场优化的屏蔽栅MOSFET，在屏蔽栅中引入不同掺杂类型或不同掺杂浓度的多晶硅区域，当器件处于反向耐压状态时，其屏蔽栅多晶硅电极的电势分布从远离控制栅极到靠近控制栅的方向依次减小，从而优化了器件漂移区的纵向电场分布。
漂移电场优化屏蔽 mosfet

[发明专利]一种用于锚固式悬浮隧道水下逐节安装的接岸结构-CN202310271006.1在审
发明人：孙洪春;徐立新;程金红;聂亚楠;陈曦灵;任敏;程云;莫亚思 -专利权人：中交第三航务工程局有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： E02D29/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于锚固式悬浮隧道水下逐节安装的接岸结构，包括室内、外部分、顶升装置、一对轨道、一对轨道槽密封装置和给排水系统。室内部分设有顶升室、隔墙和舾装室；顶升室的后端为背水侧墙；舾装室的前端为迎水侧墙，该舾装室的下部设有连接段隧道；隔墙上开设舾装室进口并用进口端密封门封堵；迎水侧墙上开设舾装室出口并用出口端密封门封堵；室外部分包括依次连接在连接段隧道的前端口的起步段隧道和护坡；顶升装置安装在顶升室的底部；一对轨道安装在连接段隧道和起步段隧道的顶面上；一对轨道槽密封装置与一对轨道一一对应地设在舾装室出口的底部；给排水系统设在舾装室与外部水体之间。本发明能实现悬浮隧道管节运输、舾装等功能。
一种用于锚固悬浮隧道水下安装结构

[发明专利]一种具有自充气式气囊减震降噪结构的装置以及具有其的吸尘器-CN201810495642.1有效
发明人：陈勇;廖泓斌;王德旭;黄月林;陈闪毅;任敏;孟得浩;李吉 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： A47L5/24 文献下载
摘要：一种具有自充气式气囊减震降噪结构的装置，包括电机(2)，设置在所述电机(2)外部的机壳(3)，还包括相互连通的气囊本体(1)和充气本体(4)，其中所述气囊本体(1)设置在所述电机(2)与所述机壳(3)之间，所述充气本体(4)设置在所述电机(2)的排气端(22)下游，所述充气本体(4)通过收集所述电机(2)的排气对所述气囊本体(1)充气，使所述气囊本体(1)填充在所述电机(2)与所述机壳(3)之间。一种吸尘器，包括所述具有自充气式气囊减震降噪结构的装置。本发明的优点在于气囊气压稳定，减震效果优异，噪音小，装配方便，密封性能佳。
一种具有充气式气囊减震结构装置以及吸尘器

[发明专利]一种带有电压检测功能的IGBT器件-CN202310411675.4在审
发明人：李泽宏;董立航;杨洋;任敏 -专利权人：重庆邮电大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有电压检测功能的IGBT器件，通过在与IGBT主结相邻位处设置浮空场，在浮空场环内加入氧化物电容介质层形成两个寄生电容C1与C2，其中，C2接地，两个寄生电容为串联关系能够感测来自浮空环中的电势变化，在C1和C2之间引出电压采样电极15对寄生电容C2的电压进行测量，得到电压采样电极Vsensor与IGBT集电极电压Vce之间的对应关系，通过调整两个寄生电容的大小，能够有效控制电压采样比，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性。
一种带有电压检测功能 igbt 器件

[发明专利]组件模板的建立方法和装置、表单建立方法和装置-CN202211485865.2在审
发明人：杨光;白雪峰;周萌;任敏;李崇;张树海;于璐 -专利权人：昆仑数智科技有限责任公司;中国石油天然气集团有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F8/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种组件模板的建立方法和装置、表单建立方法和装置，属于计算机技术领域。所述方法包括：获取待配置的组件模板的配置信息，其中，所述组件模板包括多个组件；基于所述配置信息，建立组件模板，其中，所述组件模板包括组件的多个属性信息的子模板，所述组件的属性信息包括所述组件的控件标题、控件编码、控件长度、是否只读、是否导入、是否导出、最大长度、提示文字、控件字典、功能联动、控件校验、显示条件、数据逻辑中的至少一种。采用本申请，用户在建立表单时，无需再对组件和组件的属性信息一一进行人工编写，用户可以直接使用建立好的组件和组件的属性信息，从而节省了人力资源，提高了建立表单的效率。
组件模板建立方法装置表单

[发明专利]一种抗单粒子辐射加固的屏蔽栅VDMOS-CN202310308490.0在审
发明人：任敏;吴逸凝;郭霄;周子怡;李泽宏;张波;母国才 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种抗单粒子辐射加固的屏蔽栅VDMOS，包括：漏极金属，重掺杂第一导电类型半导体衬底，第一导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体阱区，第二导电类型多晶硅区，重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区，重掺杂第一导电类型半导体源区，屏蔽栅多晶硅电极，栅多晶硅电极，屏蔽栅介质层，隔离介质层，栅极介质层，栅源间介质层，源极金属。本发明提出了一种带第二导电类型多晶硅区的屏蔽栅VDMOS结构，该器件在经受单粒子辐照效应后，第二导电类型多晶硅体区可以加速辐照产生的空穴载流子抽取，提高器件的抗单粒子烧毁和抗单粒子栅穿能力。
一种粒子辐射加固屏蔽 vdmos

[发明专利]一种具有电压采样功能的IGBT器件-CN202310411263.0在审
发明人：任敏;董立航;杨洋;李泽宏 -专利权人：重庆邮电大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电压采样功能的IGBT器件，通过在与IGBT主结相邻的浮空场环内引入MOS结构作为电压传感器，浮空环电势的变化控制MOS结构的沟道开启与关断，利用MOS结构源极外接采样电阻，其源极电压变化与IGBT耐压之间存在映射关系，由于MOS结构沟道开启需要一个阈值电压，该阈值电压映射到IGBT集电极电压上为Vst，即当IGBT集电极电压增大到Vst时，Sensor才会开始检测Vce，采样MOS源极电压变化与IGBT集电极之间的映射关系，实现局部电压采样功能，能够有效缓解采样信号动态范围和分辨率之间的矛盾，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性。
一种具有电压采样功能 igbt 器件

[发明专利]线控转向系统、基于线控转向系统的转向控制方法和装置-CN202310511633.8在审
发明人：张明轩;任敏;张佳雯;戴渌爻 -专利权人：经纬恒润（天津）研究开发有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B62D5/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种线控转向系统、基于线控转向系统的转向控制方法和装置。基于线控转向系统的转向控制方法包括：接收转向控制输入，转向控制输入包括控制车辆的方向盘转动角度的输入；响应于转向控制输入，获取当前车辆的目标转向控制模式和车辆的转向运行信息，其中，目标转向控制模式基于用户对转向控制模式的控制输入确定；根据目标转向控制模式对应的角度转换关系、方向盘转动角度和转向运行信息，生成目标转向控制信息；根据目标转向控制信息，控制转向轮转动，使目标对象转动至目标转向角度。根据本申请实施例，能够支持多种转向控制模式，提高驾驶员控制车辆转向的灵活性，保障车辆行驶安全。
转向系统基于控制方法装置

[发明专利]确定传输机会的方法及装置、存储介质、电子装置-CN201810032025.8有效
发明人：任敏;夏树强;田力;韩祥辉;石靖;林伟 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H04W72/232 文献下载
摘要：本发明提供了一种确定传输机会的方法及装置、存储介质、电子装置，其中，所述方法包括：根据资源分配信息、时域格式指示信息和冗余版本信息确定上行数据的传输机会。通过本发明，解决了相关技术中资源分配信息和时域格式指示信息发生冲突时，一般采用的方式是不能发送上行数据，从而导致所有重复发送的上行数据会全部丢失的问题，以达到避免所有重复发送的上行数据会全部丢失的效果。
确定传输机会方法装置存储介质电子

[发明专利]参考信号、控制信道单元的确定方法及装置、存储介质-CN201711050997.1有效
发明人：石靖;夏树强;张雯;梁春丽;韩祥辉;任敏 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H04W72/232 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种参考信号、控制信道单元的确定方法及装置、存储介质，其中，上述参考信号的确定方法包括：通过预设方式指示在调度的N个传输时间间隔中，至少一个传输时间间隔中存在参考信号,其中，N为正整数，采用上述技术方案，解决了相关技术中，由于在每个短时间间隔中都传输参考信号，进而导致参考信号的开销较大的问题，减少了参考信号的开销。
参考信号控制信道单元确定方法装置存储介质

[发明专利]一种横纵向功率MOSFET器件及制造方法-CN202310459362.6在审
发明人：任敏;张淑萍;郭霄;陶霖;李东野;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种横纵向功率MOSFET器件，包括漏极金属，重掺杂第一导电类型半导体衬底，轻掺杂第二导电类型半导体外延层，绝缘介质埋层，重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片，栅极介质层，栅多晶硅电极，第二导电类型半导体体区，第一导电类型半导体漂移区，重掺杂第一导电类型半导体源区，重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区，介质层，源极金属。本发明通过在器件内部漂移区下方，垂直沉片的两侧引入绝缘介质埋层结构，有效地抑制重掺杂垂直沉片对器件内部漂移区的不良影响，使得器件的耐压和导通特性更加稳定。
一种纵向功率 mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种功率MOSFET器件及制备方法-CN202310317792.4在审
发明人：任敏;张淑萍;周子怡;王彤阳;李泽宏;张波;母国才 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种功率MOSFET器件及制备方法，包括漏极金属，重掺杂第一导电类型半导体衬底，轻掺杂第二导电类型半导体外延层，第一导电类型半导体垂直沉片，栅极介质层，栅多晶硅电极，第二导电类型半导体体区，第一导电类型半导体漂移区，重掺杂第一导电类型半导体源区，重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区，第一绝缘介质层，源极金属，沟槽结构，第二绝缘介质层，重掺杂第一导电类型多晶硅。本发明具有垂直沉片结构，可以将电流路径由横向变为纵向，且由漂移区和垂直沉片构成的横纵向耐压结构有效地提高了器件的耐压特性。此外，该结构还具有较小的栅极寄生效应和较大的电流能力。
一种功率 mosfet 器件制备方法

[实用新型]一种具有监测功能的市政过滤雨水口-CN202320606635.0有效
发明人：王小菲;黄建文;黄琴;王兴霞;胡从群;王明良;任敏;谢湖;雷聪 -专利权人：三峡大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： E03F5/04 文献下载
摘要：一种具有监测功能的市政过滤雨水口，包括有主体构筑物、雨篦子、拦污挂篮和过滤箱；主体构筑物的内部构成了截留间和溢流间，所述截留间和溢流间的中间部位设有连通口，溢流间的内部连通有雨水连接管，截留间的上端开口处设有雨篦子，截留间的内部安设有过滤箱，过滤箱的内部放置有截污挂篮，过滤箱和雨篦子之间设有监测装置；本实用新型结合了单篦雨水口、截污挂篮、过滤箱、监测装置等优点，不仅能有效拦截径流中较大污染物，还可有效解决由于清淤频率低导致雨水口堵塞的问题。
一种具有监测功能市政过滤雨水